MOSFET驅動器及功耗計算方法

我們先來看看MOS關模型：



Cgs：由源極和溝道區域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個不同作用的結果。第一JFET區域和門電極的重疊，第二是
耗盡區電容（非線性）。等效的Cgd電容是一個Vds電壓的函數。
Cds：也是非線性的電容，它是體二極管的結電容，也是和電壓相關的。
這些電容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss決定的。
由于Cgd同時在輸入和輸出，因此等效值由于 Vds電壓要比原來大很多，這個稱為米勒效應。
由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的，我們在實際應用的時候需要修改Cgd的值。



開啟和關斷的過程分析：



功耗的計算：
MOSFET 驅動器的功耗包含三部分：
1. 由于MOSFET柵極電容充電和放電產生的功耗。
與MOSFET柵極電容充電和放電有關。這部分功耗通常是最高的，特別在很低的開關頻率時。
2. 由于MOSFET 驅動器吸收靜態電流而產生的功耗。
高電平時和低電平時的靜態功耗。
3. MOSFET 驅動器交越導通（穿通）電流產生的功耗。
由于MOSFET 驅動器交越導通而產生的功耗，通常這也被稱為穿通。這是由于輸出驅動級的P溝道和N 溝道場效應管（FET）在其導通和截止狀態之間切換時同時導通而引起的。