MOSFET和三極管，在ON 狀態時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢? 三極管ON狀態時工作于飽和區，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。 MOS管在ON狀態時工作于線性區(相當于三極管的飽
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MOSFET 三極管
本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點。可以說，IGBT是一個非通即斷的開關，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
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IGBT MOSFET
MOSFET的擊穿有哪幾種? Source、Drain、Gate 場效應管的三極:源級S 漏級D 柵級G (這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿) 先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。 1) Drain->Source穿通擊穿: 這個主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk
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MOS管 MOSFET
為了降低能源成本，設備設計人員正在不斷尋找優化功率密度的新方法。通常情況下，電源設計人員通過增大開關頻率來降低功耗和縮小系統尺寸。由于具有諸多優勢如寬輸出調節范圍、窄開關頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開關，LLC 諧振轉換器應用越來越普遍。但是，功率 MOSFET 出現故障一直是LLC 諧振轉換器中存在的一個問題。在本文中，我們將闡述如何避免這些情況下出現MOSFET 故障。
初級 MOSFET 的不良體二極管性能可能導致一些意想不到的系統或器件故障，如在各種異常條件下發生嚴重的直通
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諧振轉換器 MOSFET
為了提高系統可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發生故障，避免對電子系統造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現，但是在更多情況下，設計人員使用完全自保護的MOSFET功率器件來完成。 圖1顯示了完全自保護MOSFET的一般拓撲結構。這些器件常見的其他特性包括狀態指示、數字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數器件都具備三個電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護。 &n
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MOSFET 功率器件
SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業上，例如產線機器人、逆變器、伺服等。車輛方面，主要是電動車(EV)，此外還有工廠車間的搬運車等特種車。
相比IGBT，SiC有一些特點，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應適應高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產品，這可體現出耐高壓的特點。
現在ROHM SiC模塊中，300A是量產中最大的電流(如圖)，由幾個芯片并聯在一起的。如果一個芯片40A左右，就需要約七八個芯片并聯，面積只有單個芯片那么大。絕緣層是由氧
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ROHM SiC
東芝在工業領域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關產品。這些產品可以廣泛用到電氣機車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業變頻、電動汽車等工業領域，這些領域對減小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高。 東芝是全球第一個商業化生產IGBT器件的廠家，率先導入了“門級注入增強”技術以降低IGBT靜態損耗，用該技術注冊了東芝大功率IGBT的專用商標---“IEGT”。 東芝電子(中國)公司副董事長野村尚司 目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產品系列。通過使用高耐壓、高結溫的IEGT及SiC材料
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IEGT SiC
大阪大學和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產業技術綜合開發機構(NEDO)的項目下，發現了有望提高碳化硅(SiC)功率半導體長期可靠性的接合材料自我修復現象。研究人員發現，在高溫的設備工作環境下，用作接合材料的銀燒結材料自行修復了龜裂，這大大提高了SiC半導體在汽車等領域的應用可能性。
此次的SiC接合使用銀膏燒結粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環境實施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優點，包
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SiC 功率半導體
功率MOSFET在目前一些大功率電源的產品設計中得到了廣泛的應用，此前本文曾經就幾種常見的MOSFET電路設計類型進行了簡單總結和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器件的另一種應用方式，即有隔離變壓器存在的互補驅動電路，進行簡要分析。 有隔離變壓器的互補驅動電路作為一種比較常見的驅動電路形式，在目前的家電產品設計中應用較多，其典型電路結構如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結構中，V1、V2為互補工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環或磁罐。
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MOSFET 驅動電路
功率器件MOSFET是目前應用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學習時的重點方向。如果設計得當，MOSFET驅動電路可以幫助工程師快速、高效、節能的完成電路系統的驅動設計，本文在這里將會分享一種比較常見的MOSFET驅動電路設計方案，該方案尤其適用于小功率電路系統的采用。 下圖中，圖1(a)所展示的是一種目前業內比較常用的小功率MOSFET驅動電路，這一電路系統的特點是簡單可靠，且設計成本比較低，尤其適用于不要求隔離的小功率開關設備。圖1(b)所示驅動電路開關速度很快，驅動能力強，為防
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MOSFET 驅動電路
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達+175°C，非常適合在高溫環境下工作。DMTH4004SPSQ旨在滿足水泵和燃油泵等超過750W的高功率無刷直流電機應用的要求;DMTH4005SPSQ則適用于低功率無刷直流應用，包括備用泵和暖通空調系統。 DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ為滿足三相無刷直流電機控制應用的嚴格要求，
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Diodes MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM現身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT(物聯網)的發展做出貢獻的傳感器網絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產品。這些高新領先的技術、強勢多元化的產品、多種熱門應用解決方案，吸引了眾多業內外人士駐足及交流。
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ROHM SiC
全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能夠使需要100V MOSFET的電源、電機驅動和其他應用
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Fairchild MOSFET
一、引言 MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導致整個系統不能穩定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能。 二、開關管MOSFET的功耗分析
MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態損耗;2.導通損耗;3.關斷損耗;4.驅動
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MOSFET EMI
碳化硅(sic)mosfet介紹
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