Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應用。
Diodes 亞太區技術市場總監梁后權指出：“這個N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數目，同時簡化柵極驅動電路設計。比方說，SO8充分發揮了
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Diodes MOSFET ZXMC10A816
Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應用減少了元件數量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風扇和 CCFL 逆變器電路設計。
Diodes 亞太區技術市場總監梁后權指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補N型和P型MOSFET，可取代四個分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個SO8 互補MOSFET 封裝。對于現有不同類型的電機或其它感性負載驅動裝置來說，這意味著可節省至少一半的PCB占板面積，同時大幅降低整體存貨成本。”
ZXM
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Diodes MOSFET 半橋器件 ZXMHC SO8
Maxim推出內置升壓開關的低電壓、降壓調節器MAX17083。該器件專為空間緊張的應用而設計，在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開關。內部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達5A的持續負載電流，在保證高效率的同時減少了元件數量。MAX17083無需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管，進一步節省了空間和成本。這款小型降壓調節器理想用于超便攜移動PC (UMPC)、上網本、便攜式游戲機及其它緊湊的低功耗應用。
MAX17083采用電流模式
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Maxim 降壓調節器 MAX17083 MOSFET
今日在深圳舉辦的中國國際電源展覽會上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產品系列具備業內領先的導通電阻(RDS(on))和品質因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負載條件下，降低開關模式電源(SMPS)、電機控制和快速開關D類功放等電源產品的功率損耗并改善其整體能效。
OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開關模式電源(譬如面向全球市場的臺式機和計算機服務器裝備的電源)的同步整流的
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英飛凌 MOSFET OptiMOS SMPS
本文描述了不對稱半橋轉換器的基本工作原理，并介紹了一種相比普通分立式MOSFET及PWM控制器解決方案具有顯著優勢的集成式功率開關。此外還闡釋了這種專門為軟開關轉換器而設計的功率開關如何降低設計總成本和元件數目、減小尺寸和重量，同時提高效率、產能和系統可靠性。
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飛兆 SMPS PWM MOSFET PCB版圖設計 200906
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，適用于低、中、高壓汽車應用，包括汽車預電充開關、步進驅動器和DC-DC轉換器。
AUIRS2003S符合AEC-Q100標準，是一款堅固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅動器，并備有高、低側參考輸出通道，適用于惡劣的汽車環境及引擎罩下的應用。這款輸出驅動器具有高脈沖電流緩沖級，可將驅動器跨導降至最低，而浮動通道可在最高200V的高側配置中驅動一個 N 溝道功率MOSFET。
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IR MOSFET 驅動器IC
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能，適用于消費和網絡領域的計算應用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 經過驗證的硅技術，可提供基準通態電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉換損耗也有助于實現高效率
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IR MOSFET 硅技術
Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術,推出便攜式充電設備的開關。
Diodes 亞太區技術市場總監梁后權先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個20V的P溝道增強模式MOSFET與一個配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。
與傳統便攜式應用設計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
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Diodes MOSFET DFN封裝
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質因數 (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導體先進的PowerTrench® 工藝技術，能夠最大限度地減小導通阻抗，同時保持優良的開關性能和穩健性
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Fairchild MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業電池及電源應用。
新系列基準MOSFET采用了IR最新的溝道技術，可在4.5V Vgs下實現非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護頻帶，并可減少由
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IR 溝道 MOSFET
Maxim推出具有同步整流的雙通道、Quick-PWM降壓控制器MAX17031，用于為電池供電系統產生5V/3.3V電源。器件內置100mA線性穩壓器，以產生上電或其它低功耗、“常備電路”所需的5V偏置電壓。控制器還包含一路低電流(5mA)，“始終開啟”的線性穩壓器，當筆記本電腦的其它所有調節器關閉時為實時時鐘(RTC)供電。MAX17031能夠為筆記本電腦、便攜式PC及其它便攜式設備提供完整的、節省空間的電源方案。
器件采用低邊MOSFET
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Maxim MOSFET 控制器
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設計人員帶來具有業界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設計的嚴苛要求，采用延長電池壽命的技術，實現更薄、更小的應用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝，相比傳統的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導損耗。該器件采
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Fairchild MOSFET
使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 襯底
前不久，能源之星發布了2.0版外部電源能效規范。新規范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達到72.3%，新規范要求空載功耗應低于300mW，這些都比目前使用的規范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產品及家電產品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設計已經成為一個越來越迫切的問題。
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MOSFET 節能
Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統的設計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務器及大型機應用中，實現更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。
Diodes 亞太區技術市場總監梁后權表示，傳統上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高，這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關系。如果用典型正向電壓低于100mV的導通電阻較低的MOSFET替代二極管，功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
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Diodes MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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