- 在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統的應用有什么樣的聯系，如何在實際的應用中評定這些參數對其的影響，以及在哪些應用條件下需要考慮這些參數。本文將論述這些問題，同時探討功率MOSFET在非鉗位感性開關條件下的工作狀態。
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雪崩 能量 UIS MOSFET 功率 理解
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的液晶電視功率解決方案相比現今使用的傳統解決方案，可為設計人員提供顯著優勢，最近的創新技術能夠減少元件數目，簡化設計，并進一步提高可靠性——所有這些可以大幅降低成本。
通過技術進步，飛兆半導體的半橋解決方案Ultra FRFET系列進一步優化設計，具有35ns~65ns的同類最佳反向恢復時間(trr)和業界最小的反向恢復電流(1.8A ~ 3.1A)。目前的液晶電視設計使用MOSFET和半橋電路中的兩個快速恢
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Fairchild 液晶電視 MOSFET
- 據iSuppli公司，由于高端服務器、筆記本電腦、手機和有線通訊領域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場到2013年預計將達到1.836億美元，而2010年實際上還幾乎一片空白。
GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技術，最近已從大學實驗階段進入商業化階段。該技術對于供應商來說是一個有吸引力的市場機會，它可以向它們的客戶提供目前半導體工藝材料可能無法企及的性能。
iSuppli公司認為，在過去兩年里，有幾件事情使得GaN成為電源管理半導體領域中大有前途的新星。
首先，硅在
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iSuppli MOSFET 電源管理芯片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產品。這些系列器件具有業內領先的標準，如容值電壓、電流等級和導通電阻。這些創新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進行展示，是很多關鍵應用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產品線組合的典型代表產品。
2010年將要發布的Super 12產品是：
597D和T97多模鉭電容：對于+28V應
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Vishay 電容 導通電阻 MOSFET
- 全球高性能模擬半導體設計和制造領導廠商Intersil公司今天宣布，推出最新的雙通道同步降壓穩壓器 --- ISL8088。該器件采用超小封裝，具有非常高的功率轉換效率和低靜態電流。
ISL8088是每通道800mA的雙通道降壓穩壓器，內部集成了功率MOSFET。2.7V～5.5V的輸入電壓和35mA的靜態電流，使ISL8088成為電池供電和其他“綠色電源”應用的理想之選。ISL8088可以選擇工作在強制的PWM模式和自動的PWM/PFM模式，以延長電池壽命。
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Intersil 穩壓器 ISL8088 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉換器解決方案，具有先進的控制器IC和柵極驅動器、兩個針對PWM控制優化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨立降壓穩壓器配置中的自啟動開關，采用節省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。
microBUCK系列的產品綜合了Vishay獨特的分立MOSFET設計、IC專長和封裝工藝，為客戶提供了具有成本效
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Vishay microBUCK MOSFET 封裝
- 在節能環保意識的鞭策及世界各地最新能效規范的推動下，提高能效已經成為業界共識。與反激、正激、雙開關反激、雙開關正激和全橋等硬開關技術相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對稱半橋(AHB)及移相全橋等軟開關技術能提供更高的能效。因此，在注重高能效的應用中，軟開關技術越來越受設計人員青睞。
另一方面，半橋配置最適合提供高能效/高功率密度的中低功率應用。半橋配置涉及兩種基本類型的MOSFET驅動器，即高端(High-Side)驅動器和低端(Low-Side)驅動器。高端表示M
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安森美 MOSFET 變壓器 硅芯片
- 國際著名電子、電機和工業產品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導體公司的1200類半導體產品。
此次推出的產品中，除了有采用三洋半導體獨自技術達成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業界最高水準的低導通電阻特性, 并實現了小型薄型大功率), 低壓驅動閃光用IGBT產品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產品。 通過驅使獨自的核心技術, 三洋在多
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RS MOSFET IGBT
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現業界領先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。
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IR MOSFET HEXFET
- PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新產品系列共由16款高度集成的功率轉換IC組成，其內部均集成有一個725 V功率MOSFET，適用于設計反激式電源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整個負載范圍內的功率效率。由于在滿功率下工作效率較高，因此可減少正常工作期間的功率消耗量，同時降低系統散熱管理的復雜性及費用支出。在低輸入功率水平下，高效率還可使適配器的空載功耗降至最低，增大待機模式下對系統的供電量，這一點特別適用于受到能效標準和規范約束的產品應用。
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PI 功率轉換IC TOPSwitch-JX MOSFET
- 基于UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用,1 引言
隨著電力電子技術的發展，各種新型的驅動芯片層出不窮，為驅動電路的設計提供了更多的選擇和設計思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅動電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
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- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實現更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產品系列，可應對工業、計算和電信系統對更高效率和功率密度的設計挑戰。
FDMC7570S是采用3mm x 3mm MLP 封裝、具有業界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件，可提供無與倫比的效率和結溫性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS(ON) 為1.6mOhm，在4.5VGS下則為2.3mOhm;其傳導損耗更比其它外形尺寸相同
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Fairchild MOSFET 電源
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semicondcutor) 將在IIC China 2010展會上，展示其最新的功率技術和移動技術。時間及地點分別是3月4至5日于深圳會展中心2號展館2K19展臺，以及3月15至16日于上海世貿商城四樓8H01展臺。
智能移動解決方案：
飛兆半導體將展示其豐富的模擬技術產品系列，以及相關的定制解決方案和系統級專有技術，這些產品及方案在解決移動領域之設計和應用難題方面發揮不可或缺的重要作用。例如，飛兆半導體的業界最小的USB附件開關FSA800將所有主
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飛兆 功率 智能移動 MOSFET
- 中心議題：
馬達的結構
提升馬達工作的效率
解決方案：
正弦脈沖調制控制方式
智能功率模塊
近些年來，家用電器對節能的要求變得越來越強烈。這是很顯然的，僅電冰箱所消耗的能量就超過家庭用電量的10%。由于電冰箱的馬達主要在低速運轉，就有非常大的節能潛力，通過在低速驅動器中簡單改進馬達的驅動效率就能實現。
同樣，據估計工業用電的65%被電驅動馬達所消耗，毫無疑問，商家正逐漸意識到節能將成為改善收益率和競爭能力的關鍵。在電驅動馬達中降低能量消耗有兩種主要的方式：改善
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工業電子 馬達 MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產品陣容。該系列器件經過優化，適合應用于計算機服務器電源的電壓調節電路和電信/數據通信的開關。這種全新的MOSFET還被集成進滿足英特爾DrMOS規范的TDA21220 DrMOS。
通過大幅降低三個關鍵的能效優值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
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英飛凌 OptiMOS MOSFET DrMOS
碳化硅(sic)mosfet介紹
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