- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業內P溝道MOSFET最低的導通電阻。
新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產品。這種最先進的技術能夠實現超精細、亞微米的節距工藝，將業內P溝道MOSFET所能實現的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2
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Vishay MOSFET TrenchFET
- 英飛凌科技股份公司與飛兆半導體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協議。
兼容協議旨在保證供貨穩定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的專業技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。
英飛凌低壓MOSFET產品總監兼產品線經理Richard Kuncic表示：“我們的客戶將從功
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英飛凌 MOSFET 飛兆半導體
- Maxim推出內置28V MOSFET的雙向過流保護器MAX14544/MAX14545，有效避免主機因過載故障和/或輸出過壓而損壞。器件本身的集成功能，結合開關斷開狀態下輸出端較高的耐壓能力，使其成為外設供電端口保護的理想選擇。目標應用包括：蜂窩電話、MID (移動互聯網設備)、電子書及其它外掛配件的便攜設備。
MAX14544/MAX14545的正向限流值可在200mA和400mA的工廠預置門限之間選擇，反向限流值設置為150mA。器件采用2mm x 2mm、8引腳TDFN無鉛封裝，工作在-
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Maxim MOSFET 過流保護器
- 恩智浦半導體(NXP?Semiconductors)近日成為首個發布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強無損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應商。結合了恩智浦在封裝技術及TrenchMOS技術方面的優勢和經驗，新的符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對高密度汽車應用進行了優化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。
隨著對電子應用不斷增長的消費需求，汽車
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NXP MOSFET LFPAK
- 全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協議。
兼容協議旨在保證供貨穩定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的專業技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。
飛兆半
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英飛凌 MOSFET DC-DC
- 全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協議。
兼容協議旨在保證供貨穩定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的專業技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。
飛兆半
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Fairchild MOSFET
- 據來自IC分銷渠道的消息人士透露，目前包括電源管理芯片(PWM)、金氧半場效晶體管(MOSFET)和DRAM在內的大部分半導體元件供應比較緊張，但是由于代工廠已經在滿負荷運行，預計短期內這種情況不會得到緩解。
據臺灣媒體報道，消息人士指出，預計在今年第二季度，半導體元件的價格漲幅將超過10%。在第一季度中，其價格已經平均提高了5-10%。
另外，消息人士還表示，由于在第一季度NOR閃存芯片供應不足，多芯片封裝(multi-chip package，MCP)價格漲幅最大，在今年余下幾個月中，
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PWM MOSFET DRAM
- 準方波諧振轉換器也稱準諧振(QR)轉換器，廣泛用于電源適配器。準方波諧振的關鍵特征是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達到其最低值時導通，從而減小開關損耗及改善電磁干擾(EMI)信號。
準諧振轉換器采用不連續導電模式(DCM)工作時，VDS必須從輸入電壓(Vin)與反射電壓(Vreflect)之和降低到Vin。變壓器初級電感(Lp)與節點電容(Clump，即環繞MOSFET漏極節點的所有電容組合值，包括MOSFET電容和變壓器寄生電容等)構成諧振網絡，Lp與C
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安森美 MOSFET 電源適配器 EMI
- 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出創新的雙端子CAPZero系列IC，該IC可對X電容自動進行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿足各項安全標準。
X電容通常位于電源的輸入端子之間，用于過濾EMI噪聲。由于它們可以在AC斷電后長時間貯存高壓電能，因此會構成安全威脅。電阻通常用于對這些電容進行放電，以便滿足安全要求;但這些電阻會在AC接通后產生恒定的功率損耗，這是造成空載及待機輸入功耗的重要因素。
CAPZero與放電電容串聯
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PI CAPZero MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術，還具有業界領先的性能指數 (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開
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IR MOSFET DirectFET 芯片組
- 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產品。
NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉換器應用中的同步端而優化，達致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及1
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安森美 MOSFET 肖特基二極管
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導通電阻的各種應用，包括電動助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動發電機 (ISA) 泵和電機控制、DC-DC 轉換、電池開關，以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺的其它重載應用。
新器件采用了 IR 經過驗證的 Gen 10.2 技術，可提供低至 1.0 mΩ 的導通電阻 (最大) ，在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至
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IR MOSFET
- 下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非所有原創。包含 MOS管的推選 ，特征，驅動以及運用 電路。
在運用 MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會思慮 M
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MOSFET 利用 原理 電路 驅動
- 日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現更高的效率，同時避免出現導致MOSFET燒毀的內部體二極管恢復故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅動下的最大導通電
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Vishay MOSFET
- 美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規模。iSuppli預測，該產品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優點，可提高電源電路的轉
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GaN MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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