大功率線性射頻放大器模塊廣泛應用于電子對抗、雷達、探測等重要的通訊系統中，其寬頻帶、大功率的產生技術是無線電子通訊系統中的一項非常關鍵的技術。隨著現代無線通訊技術的發展，寬頻帶大功率技術、寬頻帶跳頻、擴頻技術對固態線性功率放大器設計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設備模塊化。
通常情況下，在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放，采用場效應管(FET)設計要比使用常規功率晶體管設計方便簡單，正是基于場效應管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易
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放大器 寬帶射頻 MOSFET
Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動器系列，用于開關電源和電機驅動器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅動器IC更快，有助于加快開關時間，提高電路效率。
該系列包含4款高速非反向柵極驅動器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關射極跟隨器配置，實現了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時間，有效改善了對MOSFET開關性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
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Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT
電子系統常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進行隔離,比如在醫療產品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵源必須與后級處理電路隔離,當然需要隔離的應用場合還很多，如采集爆炸現場參數的電路同樣需要與后級完全隔離，等等。
在這些應用中,通常需要采集被隔離電路的數字線上的一些狀態參數, 傳統的辦法是采用光耦得以實現.然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉換時間長(或動態響應慢)，再者,隨著光發射器老化，其光電轉換增益將隨時間減小。
采用圖1所示電
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Maxim MOSFET RC DATA_IN
AB類輸出級精度不高可能有下列幾個原因：
·柵極閾值電壓變化與VGS溫度系數變化引起的MOSFET與雙極管間相對溫度系數的失配。
·輸出器件與檢測器件間耦合的延遲與衰減。
·驅動器工作在不同的溫度。
·調整單個放大器偏壓時存在誤差。
·老化引起的閾值電壓長期漂移。
鑒于上述原因，自然想用控制環來替代VBE放大器，前者基于偏置電流本身的反饋；而后者只是一種誤差反饋。新設計由下列三部分構成；偏置電流檢
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MOSFET 自偏壓電路
對于電路需要 3.3V 及更低電壓的應用，負載點 (POL) 轉換器已發展成為面向這些應用的廣受歡迎的解決方案。對此類電壓水平的需求源自對更低內核電壓的要求，這樣即使功率保持相同, 對這些轉換器的電流要求將會很明顯地增加。
自引入 POL 理念以來已建議并使用了許多不同的配置，當前尚沒有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過去使用傳統分布式功率架構 (DPAs) 從單個“前端轉換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應用中，48V 的輸
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POL MOSFET
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）發布了全新的小信號MOSFET器件系列，新產品采用了全球最小封裝之一的SOT883進行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小，僅為1.0 x 0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只需占據14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對眾多應用而設計，包括DC/DC電源轉換器模塊、液晶電視電源以及手機和其他便攜設備的負載開關。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開關速度和非常低的Rds(on)
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MOSFET
“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。
MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。功率MO
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MOSFET
我們如何才能使汽車駕駛室具備更多的功能，使發動機具有更大的功率，同時還能夠符合各國政府對每加侖行駛距離的要求?只有采用新一代的低導通電阻功率 MOSFET將汽車中傳統的電力系統和液壓系統改為電子系統，這些MOSFET不但可以提高汽車的舒適性和安全性，還能夠提高燃油的行駛距離。
發動機不僅僅要讓汽車在路上行駛，還要為整個汽車系統提供動力。現在人們對汽車的娛樂性、舒適性及安全性的要求越來越高。通過深入分析發現，對于一輛普通的汽車，每加侖的汽油所產生的能量最終用在車輪行駛上的不到15%，而大部分的能量
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MOSFET 油耗
上世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發展和變化，經歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統的集成技術三個發展階段。
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開關電源，IGBT 碳化硅 AC/DC
一個采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能夠于高達2mhz/相位下工作，并提供120a電流，且滿足負載點電源的瞬態響應要求。
與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率mosfet技術在發展方向上正經歷著一場重大的變革。如今，并在可以預見的未來，開關速度正在逐步成為負載點(pol)電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1v或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關速度是滿足其供電要求的關鍵因素。電源的性能將取決于功率mosfet能
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MOSFET POL 電源 放大器
Maxim推出MAX8833/MAX8855，該系列器件是業界第一款具有以下功能的降壓型調節器：工作在3.3V或2.5V輸入下，分別可提供雙路3A或雙路5A輸出，并且內置開關可最大程度節省空間。除了節省空間外，器件由于采用內部MOSFET，因此可有效地工作在低輸入電壓下，這是采用大尺寸、分立MOSFET所不可能實現的。在低壓應用中，分立的競爭方案需要更高電壓實現完全導通，相比較而言，內部MOSFET則可提供更優異的性能。MAX8833/MAX8855分別具有49mΩ和37mΩ低導通阻抗，可以以超過1M
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Maxim 調節器 MOSFET 其他IC 制程
l 前言
絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅動器的設計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動電路。
有源電力濾波器設計中應用4個IGBT作為開關，并用4個EXB84l組成驅動電路，其原理如圖l所示。在實驗中，根據補償電流與指令電流的關系，用數字信號處理器(DSP
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IGBT MOSFET 場效應晶體管 電源
全球能源需求的不斷增長以及環境保護意識的逐步提升使得高效、節能產品成為市場發展的新趨勢。為此，電源|穩壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來越多的應用到整機產品中。在整機市場產量不斷增加以及功率器件在整機產品中應用比例不斷提升的雙重帶動下，中國功率器件市場在2007-2011年將繼續保持快速增長，但由于市場基數的不斷擴大，市場增長率將逐年下降。預計到2011年時中國功率器件市場銷售額將達到1680.4億元，2007-2011年中國功率器件市場年均復合增長率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
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模擬技術 電源技術 MOSFET 芯片 IC 元件 制造
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。
一、電力場效應管的結構和工作原理
電力場效應晶體管種類和結構有許多種，按導電溝道可分為P溝道和N溝道，同時
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MOSFET 半導體材料
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