- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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MOSFET
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MOSFET 美國國家半導體
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業界領先的散熱能力，有助于提高系統可靠性、減小線路板空間及降低系統總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設計而優化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅動和電燈驅動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在
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MOSFET 單片機 飛兆半導體 嵌入式系統
- 飛兆半導體推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業界領先的散熱能力，有助于提高系統可靠性、減小線路板空間及降低系統總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設計而優化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅動和電燈驅動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在單一封裝中集
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Fairchild LCD設計 MOSFET 電源技術 模擬技術 液晶顯示 LCD
- Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅動電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅動IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應用。該75VMOSFET驅動器可用于汽車中的高強度放電管，以及各種終端產品中的高壓降壓轉換器、推拉式轉換器、全橋與半橋式轉換器、有源鉗位正向轉換器、電源、電機控制及D類音頻系統。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時間驅動1,000pF的負載。
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IC MOSFET Vishayn 電源技術 模擬技術
- 4月20日訊,半導體制造商ROHM株式會社（總社設在京都市）最近開發出適合汽車駕駛導向系統、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開關和電動機驅動器使用的MPT6 雙元件系列產品，這種產品采用獨創的小型大功率封裝，是低導通電阻的元器件。這種產品從2007年4月開始逐步供應樣品；預定從2007年8月開始以月產300萬個的規模大量生產。生產過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. （
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MOSFET MPT6 ROHM 電源技術 模擬技術 封裝
- ROHM株式會社最近開發出適合汽車駕駛導向系統、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開關和電動機驅動器使用的「MPT6 Dual（2元件）」型系列產品，這種產品采用獨創的小型大功率封裝，低導通電阻的元器件。 這種產品從2007年4月開始逐步供應樣品；預定從2007年8月開始以月產300萬個的規模大量生產。生產過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND)
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MOSFET ROHM 消費電子 封裝 消費電子
- Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩壓器，輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個輸出電壓，可以在1V至電壓電源的80%的范圍內進行選擇或者進行外部調節，并且總輸出電流高達6A。2個PWM是180o異相同步的，降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。
ISL65426的獨特電源模塊架構允許對6個電流高達1A的模塊進行分配，以便支持4個輸出配置選項之一。一個主電源模塊與各個同步轉換器通道相關聯。4個浮動從電源模塊允許用戶將其分配給任一條通
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MOSFET 電源技術 模擬技術 雙同步降壓穩壓器
- ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過獨立狀態引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業性高壓系統的可靠性。
最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關負載，如電燈、電機及電磁鐵。
ZXMS6002G具有針對過熱、過流和過壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關斷等不同模式的模擬指示，無需外部元件。這種診斷功能有助于實現智能的
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MOSFET ZXMS6002/3 工業控制 工業控制
- Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過獨立狀態引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業性高壓系統的可靠性。
最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關負載，如電燈、電機及電磁鐵。
ZXMS6002G具有針對過熱、過流和過壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關斷等不同模
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MOSFET Zetex 單片機 嵌入式系統 封裝
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產品經專門設計，可為等離子體顯示板 (PDP) 應用提供業界領先的系統效率和優化的占位空間。利用飛兆半導體專利的PowerTrench® 工藝技術，這些MOSFET比較市場上同類型器件提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
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MOSFET 單片機 飛兆 嵌入式系統
- 摘 要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎的RF 功率 MOSFET的功能特性、產品結構和制造工藝特點。文中結合6寸芯片生產線，設計了產品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點，并提出了解決方案。關鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結構；制造工藝
引言RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
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LDMOSFET MOSFET RF RF專題 電源技術 功率 模擬技術 器件結構 制造工藝
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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LDO IC MOSFET
- 模擬信號處理及功率管理解決方案供應商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅動電壓應用設計的N 溝道增強模式 MOSFET。 這三款新產品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封裝）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（兩者均為SOT23封裝）。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開關功能，可以使用兩個1.2V 電池或一個鋰離子電池驅動。其超低柵極驅動意味著可
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MOSFET Zetex 超低柵極驅動 電源技術 模擬技術
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