碳化硅 mosfet 文章 最新資訊
傳中興急單ODM/OEM抬價20%搶貨：MOSFET全年漲價30%
- MOSFET漲價已經(jīng)很長一段時間，從今年年初至今，其漲價幅度已經(jīng)達到了5%-10%，相對另外一種被動元器件MLCC，MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內(nèi)。簡而言之，今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài)，包括英飛凌、威世、意法半導體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產(chǎn)能。 由于去年下半年以來，汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、云端計算等新應用加大對MOSFET的需求，導致電腦以及智能手機等3C電子產(chǎn)品用MOSFET供貨嚴重不足，價格已經(jīng)從今年年初上漲至今持續(xù)了3個季度!據(jù)市場表示，今年上半年MOSFET
- 關鍵字： 中興 ODM OEM MOSFET
汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E
- 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實現(xiàn)各種各樣的功能，包括負載切換、電機控制以及DC/DC轉(zhuǎn)換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
- 關鍵字： MOSFET DC/DC轉(zhuǎn)換 SQJQ480E
IGBT掃盲文，IGBT基礎與運用知識學習
- IGBT基礎與運用 IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)。 理想等效電路與實際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態(tài)特性(開關特性)。 動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
- 關鍵字： IGBT，MOSFET
宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務
- 隨著電子產(chǎn)品功能愈來愈多元，對于低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產(chǎn)能不足，客戶龐大需求下，電子產(chǎn)品驗證服務龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務」，目前已有20多家海內(nèi)外廠商，包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設計企業(yè)已于今年第一季底，前來宜特進行工程試樣，并于第二季初開始進行小量產(chǎn)，并在下半年正式量產(chǎn)。 宜特董事長 余維斌指出，在車用可靠度驗證分析本業(yè)上，已做到亞洲龍頭，然而在服務客戶的同時，發(fā)現(xiàn)了此
- 關鍵字： MOSFET 晶圓
意法半導體推出離線轉(zhuǎn)換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性
- 意法半導體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性。 邏輯級原邊MOSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作，可用于設計高效的5V輸出開關電源。結(jié)合內(nèi)部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能，這種優(yōu)勢可簡化設計，節(jié)省空間和物料清單成本。 VIPer11高壓轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
- 關鍵字： 意法半導體，MOSFET
工業(yè)設備輔助電源驅(qū)動用的SiC電源解決方案
- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優(yōu)勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案。 小型輔助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
- 關鍵字： SiC，MOSFET
計算MOSFET非線性電容
- 最初為高壓器件開發(fā)的超級結(jié)MOSFET，電荷平衡現(xiàn)在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結(jié)電容，但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計算或比較不同MOSFET參數(shù)以獲得最佳性能變得更加復雜。 MOSFET三個相關電容不能作為VDS的函數(shù)直接測量，其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數(shù)據(jù)手冊最終測量給出的三個值定義如下： CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中，輸入電容CG
- 關鍵字： MOSFET 非線性電容
國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行調(diào)研基本半導體
- 4月9日上午，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導體考察調(diào)研。 基本半導體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片。 隨后丁文武一行聽取了基本半導體總經(jīng)理和巍巍博士對公司發(fā)展情況的匯報。丁文武對基本半導體的技術創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團隊再接再厲，立足創(chuàng)新驅(qū)動，不斷發(fā)展壯大，成為中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的領軍企業(yè)。 國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金是為促進集
- 關鍵字： 基本半導體 碳化硅 功率芯片 集成電路
SiC將與IGBT或MOSFET共存
- 雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個高端應用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補其在價格方面的短板，尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視，將為中功率、高功率應用領域帶來大量需求。氮化鎵技術能夠降低成本，又能夠保持半導體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應用領域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被碳化硅替代，我們認為碳化硅和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢的領域中共同發(fā)揮所長，共生共棲。
- 關鍵字： 瑞薩，碳化硅
重磅消息！深圳第三代半導體研究院正式啟動
- 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導體和南方科技大學等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導體研究院的成立具有里程碑意義，將對中國乃至全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠影響。 科技部原副部長、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會主任、深圳第三代半導體研究院理事長曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長陳如桂，科技部高新司原司長、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會副主任、深圳第三代半
- 關鍵字： 青銅劍科技 半導體 碳化硅 功率器件
電源設計經(jīng)驗之MOS管驅(qū)動電路篇
- MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅(qū)動電路。 在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
- 關鍵字： MOSFET 電源IC
Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET
- 全球電路保護領域的領先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術開發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關系，旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。?這些產(chǎn)品在應用電力電子
- 關鍵字： Littelfuse MOSFET
高性能ZVS降壓穩(wěn)壓器消除在寬輸入范圍負載點應用中提高功率吞吐量的障礙
- 當前具有更高整體效率的電子系統(tǒng)需要更高的功率密度，這為非隔離負載點穩(wěn)壓器(niPOL)?帶來了大量變革。為了提高整體系統(tǒng)效率，設計人員選擇避免多級轉(zhuǎn)換，以獲得他們所需要的穩(wěn)壓負載點電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓，提供更高的轉(zhuǎn)換率。除此之外，niPOL還需要在保持最高效率的同時，繼續(xù)縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產(chǎn)品性能的提升，niPOL的功率需求會進一步提高。 電源行業(yè)通過對niPOL進行多項技術升級來應對這一挑戰(zhàn)。過去幾年，行業(yè)已經(jīng)看到器件封裝、半導體集成和M
- 關鍵字： ZVS MOSFET
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