SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優勢。當然，要進行大批量生產，逆變器除了靜態和動態性能之外，還必須具備適當的可靠性，以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導通驅動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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電源轉換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年PCIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發揮碳化硅技術的潛力。 英飛凌工業功率控
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英飛凌 碳化硅
三菱電機于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)展會中，以十款新型功率器件強勢登場，其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機展位號：E06)。 三菱電機以“創新功率器件構建可持續未來”為主題，今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業應用和新能源發電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。 變頻家電市場 在變頻家電應用方面，三菱電機展出
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三菱電機 碳化硅
全球出現的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節能新政。電子產品的能耗標準越來越嚴格，對于電源設計工程師，如何設計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰。本文從電源PCB的布局出發。
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電源模塊性能 PCB布局技術 MOSFET
功率因數校正（PFC）市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準。由于北美沒有管理PFC的規定，能源節省和空間/成本的考慮成為在消費類產品、計算機和通信領域中必須使用PFC的
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碳化硅 肖特基二極管 電源 DCM PFC
實際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數字電路開關控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管
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三極管 MOSFET
“MOSFET(場效應管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應管)(Power MOSFET(場效應管))是指它能輸出較大的工作電流
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功率MOSFET MOSFET
在本設計小貼士中，我們來了解一下自驅動同整流器并探討何時需要分立驅動器來保護同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下，您可以利用電源變壓器直接驅動同步整流器，但是由于寬泛的輸入電壓變量，變壓器電壓會變得很高以至于可能會損壞同步整流器。
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分立器件 MOSFET 同步整流器 電源設計小貼士
分立器件可以幫助您節約成本。價值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅動器 IC 成本降低 10 倍。分立驅動器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外，該器件還可去除控制 IC 中的高開關電流，從而提高穩壓和噪聲性能。
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德州儀器 分立器件 MOSFET 電源設計小貼士
即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統中插入或移除電路板，從而避免了出現連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題。控制器 IC 驅動與插入電路板之電源相串聯的功率 MOSFET 開關 (圖 1)。電路板插入后，MOSFE
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安全工作區 MOSFET LTC4233 熱插拔 熱插拔控制器
在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網絡的各種電壓代表各個溫度。
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熱插拔 MOSFET 網絡
意法半導體推出了采用先進的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產品可提高汽車系統電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進技術的汽車零配件大廠電裝株式會社選用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開關。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設計，同時將頂部的源極曝露在
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意法半導體 MOSFET
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壯大現有的CoolMOS?技術產品陣容，推出600 V CoolMOS? P7和600 V CoolMOS? C7 Gold (G7)系列。這兩個產品系列的擊穿電壓高達600 V，具備更出色的超結MOSFET性能。它們可在目標應用中實現非常出色的功率密度。 600 V CoolMOS&
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碳化硅 mosfet介紹
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