SiC將與IGBT或MOSFET共存

作者/落合康彥 瑞薩電子中國汽車電子業務中心高級部門專家

雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個高端應用中所表現出的高性能也能夠彌補其在價格方面的短板，尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視，將為中功率、高功率應用領域帶來大量需求。氮化鎵技術能夠降低成本，又能夠保持半導體器件的優越性能，在中、低功率應用領域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被碳化硅替代，我們認為碳化硅和現存的IGBT或MOSFET都能在其有優勢的領域中共同發揮所長，共生共棲。

瑞薩電子已經推出了集成電源轉換電路的低損耗碳化硅功率器件，能夠提供工業設備的電源產品的功率器件的解決方案，同時也著手開始以面向車載為重點的碳化硅MOSFET的研發，為電動汽車的應用帶來最佳的解決方案。