飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產品經專門設計，可為等離子體顯示板 (PDP) 應用提供業界領先的系統效率和優化的占位空間。利用飛兆半導體專利的PowerTrench® 工藝技術，這些MOSFET比較市場上同類型器件提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低的柵極電荷 (Qg)，使得該器件具有同級產品最佳的品質因數(FOM)，因而在PDP系統中能獲得更低的傳導損耗和出色的開關性能。器件極低的導通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200V 或 250V的擊穿電壓，可以封裝在占位面積更小的D2PAK封裝中。PowerTrench MOSFET的另一個優勢是能夠承受高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 開關瞬態響應，有助于提高系統的可靠性。

　　飛兆半導體功率產品部副總裁Taehoon Kim 表示：“飛兆半導體的FDB2614 和 FDB2710 MOSFET具有領先的FOM及采用緊湊的D2PAK封裝，非常適合于PDP應用中的路徑開關。這些器件經過量身度做，可為纖巧的PDP板設計提供高電流處理能力和節省占位空間的封裝。飛兆半導體這項產品的推出再次彰顯了其決心和能力，為客戶解決最緊迫的應用問題。”

　　FDB2614 和 FDB2710的主要功能和優勢包括：