7月9日,深圳基本半導體股份有限公司子公司——基本封裝測試(深圳)有限公司完成工商變更登記,公司注冊資本從1000萬元大幅增至2.1億元人民幣,由母公司基本半導體和深圳市投控基石新能源汽車產業私募股權投資基金合伙企業(有限合伙)共同注資。此舉標志著基本半導體在車規級碳化硅領域的戰略布局又邁出重要一步,為后續研發創新和產能擴充奠定堅實基礎。戰略資本加持 助力新能源汽車產業發展本次增資得到了深圳市投控基石新能源汽車產業基金的戰略支持,是對基本半導體在新能源汽車功率器件領域技術積累和市場優勢的充分認可。該基金是
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基本半導體 碳化硅 車規級
NCP51752是隔離單通道柵極驅動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5
A/-9A。 它們設計用于快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。
NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力,甚至更快地關閉,NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應該與NCP51752數據表以及onsemi的應用說明和技術支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
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onsemi NCP51752 隔離式 SiC MOSFET 閘極驅動器 評估板
在幾乎所有電機驅動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統中,都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級,此類電源通常受到的關注較少,但它們仍是幫助系統高效運行的關鍵組成部分。提高系統可靠性、減小系統尺寸以及縮減系統成本,同時最大限度地降低風險并支持多源采購——設計人員不斷面臨這些經常相互矛盾的挑戰。Wolfspeed 推出的工業級 C3M0900170x 和獲得車規級認證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產品系列,可在 20 至 200 W 范圍內增強輔助電源的
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Wolfspeed MOSFET 輔助電源系統
之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產品特點及導通特性 (參考閱讀: CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述 , CoolSiC? MOSFET G2導通特性解析 ) ,今天我們分析一下在軟開關和硬開關兩種場景下,如何進行CoolSiC? MOSFET G2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了R DS(on) ,開關損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因為SiC往往工
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英飛凌 MOSFET
近日,深圳基本半導體股份有限公司(簡稱“基本半導體”)宣布完成D輪融資,融資金額達1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開發區科創產業母基金與中山金控聯合投資,資金將主要用于碳化硅功率器件的技術研發、產能擴張以及市場拓展?;景雽w成立于2016年,是一家專注于碳化硅功率器件研發與制造的高新技術企業。其核心產品包括1200V/20A JBS碳化硅二極管、1200V平面柵碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二極管等。這些產品以低損耗、高頻率等優勢,廣泛應用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器和航空航天等領
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基本半導體 碳化硅
全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布,搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊,已應用于豐田汽車公司(TOYOTA MOTOR CORPORATION.,以下簡稱“豐田”)面向中國市場的全新跨界純電動汽車(BEV)“bZ5”的牽引逆變器中?!癰Z5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司(以下簡稱“BTET”)、一汽豐田汽車有限公司(以下簡稱“一汽豐田”)聯合開發的跨界純電動汽車,由一汽豐田于2025年6月正式發售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業——上海海姆希科
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羅姆 SiC MOSFET 豐田 純電車型
在10kW-50kW中高功率應用領域,SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯擴容能力突圍——當單管功率不足時,只需并聯一顆MOSFET即可實現功率躍升,為工業電源、新能源系統提供模塊之外的革新選擇。然而,功率并非是選用并聯MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的,并聯還可以降低開關能耗,改善導熱性能??紤]到熱效應對導通損耗的影響,并聯功率開關管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而,并非所有器件都適合并聯, 因為參數差異會影響均流特性。本文
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意法半導體 SiC MOSFET
據路透社援引彭博社報道,在關于即將破產的傳聞出現近一個月后,Wolfspeed 現在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領導的債權人正準備根據破產計劃接管公司。報道稱,這家陷入困境的碳化硅巨頭預計將在幾天內公布一項預包裝破產計劃——旨在迅速削減數十億美元的債務。在鎖定重組協議后,Wolfspeed 將要求債權人就計劃進行投票,然后正式申請第 11 章保護,報道補充道。由意法半導體領導的對頭將受益根據 TrendForce 的觀察,由于破產程序的不確定性,Wolfspeed 的 Si
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碳化硅 意法半導體 功率器件
據當地媒體《一財全球》和IT之家報道,據報道,美國碳化硅 (SiC) 巨頭 Wolfspeed 在與快速崛起的中國競爭對手的激烈競爭中徘徊在破產邊緣,中國最大的碳化硅晶圓廠已在武漢正式投產,旨在供應該國國內產量的 30%。YiCai 報告稱,一個 SiC 晶圓模型的車載測試最快將于下個月開始,而另外近 10 個模型已經在驗證中。不久之后將進行大規模生產和交付。IT Home 表示,該工廠的一期重點是功率器件,計劃年產 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圓。另一方面,益財國際補充說,這足以支持超過 1
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碳化硅 Wolfspeed
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術,并采用緊湊型DFN8×8封裝,適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件,與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比,其體
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東芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
MOSFET因其獨特的性能優勢,已成為模擬電路與數字電路中不可或缺的元件,廣泛應用于消費電子、工業設備、智能手機及便攜式數碼產品中。其核心優勢體現在三個方面:驅動電路設計簡化,所需驅動電流遠低于BJT,可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅動;開關速度優異,無電荷存儲效應,支持高速工作;熱穩定性強,無二次擊穿風險,高溫環境下性能表現更穩定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場景中表現尤為突出。近年來,隨著汽車、通信、能源、消費、綠色工業等大量應用MOSFET產品的行業在近幾年來得到了快速的發
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MOSFET
全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG(以下簡稱“SMA”)在其太陽能系統新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?!癝unny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一代技術設計的模塊化平臺,旨在進一步提高電網的效率和穩定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示:“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
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羅姆 ROHM SiC MOSFET 功率模塊 太陽能
引言碳化硅( SiC)MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發展,開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高,設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅動電路,確保對MOSFET的安全控制,防止寄生導通,避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結構免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案,有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅動器設計措施關于SiC-MOSFET驅動器電路的穩健性,有幾個問題值得考慮。除了驅動器安全切換半導
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碳化硅 MOSFET 電源 功率半導體
以Vishay SiE848DF的數據手冊圖作為參考示例,這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少?阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當驅動感性負載時,這包括施加的電壓加上任何感性感應電壓。對于感性負載,MOSFET 兩端的電壓實際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么?這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過最大漏源電壓并且電流沖
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電源管理 MOSFET 功率MOSFET
全社會都在積極推動低碳化轉型,而低碳化的背后其實是電氣化。在 新型電氣能源架構 中,相比于從前,一次能源到終端用戶的 能源轉換次數增多 。雖然可再生能源是免費的,但是這種多層級的能源轉換,每一步都會帶來一定的能耗損失,因此 追求更高效的能源轉化效率至關重要 。SiC正是功率半導體的 能效提升技術 ,它的出現滿足了低碳化時代兩大全新的市場需求:1能效創新: SiC技術在光伏、儲能、數據中心等大功率電源管理領域,能夠顯著
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