- 隨著臺積電、英特爾、三星等半導體大廠將在明年微縮制程進入20納米以下世代,設備廠也展開新一波的搶單計劃。
在應用材料于其SEMVision系列設備上引進首創缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DR SEM)技術后,另一設備大廠科磊(KLA Tencor)21日宣布,同步推出新一化光學及電子束晶圓缺陷檢測系統。隨著兩大設備廠已搶進臺積電及英特爾供應鏈,對于國內設備廠漢微科來說競爭壓力大增。
雖然半導體市場下半年景氣能見度不高,但是包括臺積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯電
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應材 晶圓
- 英特爾(Intel)的發言人透露,該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計劃自2013年1月起「順利展開」,該座代號為 D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經低調動土。
據了解,英特爾打算將D1X 第二期作為量產18寸晶圓IC的研發晶圓廠;該公司在2012年12月就透露正準備擴充D1X廠區,以「容納新的制造技術」,但該訊息僅低調地在美國奧勒岡州當地媒體曝光,并沒有公布在公司官網。
英特爾D1X廠的第一期工程預期會是該公司第一條以12寸晶圓生產14奈米 FinFET 晶片的生產線;而
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半導體 晶圓
- 非GAAP每股盈余為18美分,處于財測中位水平; GAAP每股盈余為14美分
? 移動設備和大屏幕電視需求旺盛,帶動半導體和顯示設備銷售增長
? 研發投入增加,推動精密材料工程領域的盈利性增長
2013年8月16日,加州圣克拉拉——全球領先的半導體、平板顯示和太陽能光伏行業制造解決方案供應商應用材料公司公布了截止于2013年7月28日的2013財年第三季度財務報告。
本季度,應用材料公司的訂單額為20億美元,較第二季度減少12%,主要由于晶圓代工業務的訂
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應用材料 晶圓
- 東京—東芝公司(Toshiba Corporation)和Nippon Denno Co., Ltd.日前宣布開發一種自動中止與關閉系統,可在發生地震時,關閉半導體生產設備。該系統已從2013年2月起在東芝旗下子公司—東芝巖手電子公司(Iwate Toshiba Electronics)投入使用。東芝打算進一步完善該系統,并將之推向市場。
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東芝 晶圓 半導體
- 晶圓龍頭臺積電13日董事會通過573.65億元資本支出,連同上次核準金額,合計為2033.65億元,約占臺積電全年資本支出上限100億美元的68%,顯示臺積電加速先進制程腳步。
臺積電將今年資本支出上修至95至100億美元(約新臺幣2990億),只少許落后英特爾的110億美元,是臺灣投資計畫最大的電子大廠。
設備廠商透露,臺積電加緊20納米及16納米先進制程量產及試產時程,添購所需設備,推估今年臺積電全年資本支出,絕對會在上限100億美元,而且明年也可能與今年相近。
設備商表示,臺積
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- 三維晶片(3DIC)商用量產設備與材料逐一到位。3DIC晶圓貼合與堆疊制程極為復雜且成本高昂,導致晶圓廠與封測業者遲遲難以導入量產。不過,近期半導體供應鏈業者已陸續發布新一代3DIC制程設備與材料解決方案,有助突破3DIC生產瓶頸,并減低晶圓薄化、貼合和堆疊的損壞率,讓成本盡快達到市場甜蜜點。
工研院材化所高寬頻先進構裝材料研究室研究員鄭志龍強調,3DIC材料占整體制程成本三成以上,足見其對終端晶片價格的影響性。
工研院材化所高寬頻先進構裝材料研究室研究員鄭志龍表示,高昂成本向來是3DIC
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晶圓 3D
- 三維晶片(3D IC)商用量產設備與材料逐一到位。3D IC晶圓貼合與堆疊制程極為復雜且成本高昂,導致晶圓廠與封測業者遲遲難以導入量產。不過,近期半導體供應鏈業者已陸續發布新一代3D IC制程設備與材料解決方案,有助突破3D IC生產瓶頸,并減低晶圓薄化、貼合和堆疊的損壞率,讓成本盡快達到市場甜蜜點。
工研院材化所高寬頻先進構裝材料研究室研究員鄭志龍強調,3D IC材料占整體制程成本三成以上,足見其對終端晶片價格的影響性。
工研院材化所高寬頻先進構裝材料研究室研究員鄭志龍表示,高昂成本向來
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晶圓 堆疊
- 高通在移動設備領域的處理器工藝普遍已經進入到28nm階段,而且此前均由臺積電代工生產;受制于臺積電產能的影響以及價格因素,有消息稱高通將會在9月份起將五分之一的28nm晶圓訂單轉交給28nm工藝同樣已經成熟的GlobalFoundries。
GlobalFoundries收獲高通28nm晶圓訂單
此前GF長期因為工藝進展緩慢而備受批評,而如今GF的28nm生產線看上去已經完全成熟,因此勢頭良好的高通投來大筆訂單。業內人士認為,GF之所以能夠吸引高通的青睞,主要原因應該是價格更具優勢,比如說
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- Intel近日確認,位于美國俄勒岡州的Fab 1DX二期工程已經破土動工,這也是全球第一座將會用來生產450毫米大尺寸晶圓的工廠(目前主流300毫米)。
Intel發言人Chuck Mulloy對媒體透露說:“D1X二期工程的建設已經開始。”
Intel今年初驕傲地展示了全球第一塊450毫米晶圓,同時宣布將在今年內投資20億美元興建新工廠,不過當時給出的時間表只是模糊的今年晚些時候。看來雖然大環境情況一般,Intel前進的步伐卻依然鏗鏘有力。
Chuck Mu
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- 行業領先的嵌入式市場閃存解決方案創新廠商Spansion公司(紐約證交所碼:CODE)與中國發展最迅速的300mm半導體晶圓廠XMC(武漢新芯集成電路制造有限公司)日前共同宣布一項技術許可協議。根據該協議,XMC將獲得Spansion 浮柵(Floating Gate)NOR閃存技術授權。
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- 2013年時間已然過半,全球半導體市場發展態勢初露端倪。據權威機構挪威奧斯陸的卡內基集團分析師Bruce Diesen的最新數據顯示,2013年全球半導體增長1%,與2012年下降2%、2011年持平以及2010年大漲32%相比,反映又一個下降周期到來。但業界都認為2014年半導體產業可能會有較為明顯的增長。
增長動能尚在積累
2013年半導體業向上增長的動能尚在積累之中,估計2014年才會有較為明顯的增長。然而在未跨入EUV與450mm硅片時代之前,半導體產業可能很難再有近10%的增長。
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- 2009年,TI建造了行業里第一個300mm的用于模擬芯片的晶圓廠,此舉改變了半導體行業的局面。
到那時為止,模擬芯片的制造使用的是200mm以及更小尺寸的晶圓。在300mm晶圓廠里,TI可以獲得比競爭對手更有利的die-size和成本優勢。理論上,一塊300mm晶圓提供的芯片數比200mm的晶圓多2.5倍,從而使TI降低整體的制造成本。
在過去的一年里,英飛凌和意法半導體已經開始加緊籌劃各自的用于模擬芯片的300mm晶圓廠。并且尋求填補缺少晶圓廠和輕晶圓客戶空隙的方法,GlobalFou
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- 臺積電28日在紐約州魚溪市(Fishkill)進行第二天的美東征才活動。臺積電著眼于此區域豐沛的半導體人才,期待志同道合的菁英加入。
臺積電北美人力資源處資深處長曾春良說,「臺積電是一家龍頭企業,每個人都想來龍頭企業上班。」這是臺積電征才的最大優勢。
臺積電全球員工人數已超過3萬7000人,2012年擁有足以生產相當于1509萬片八寸晶圓的產能。其中,包括三座先進的12寸晶圓廠、四座8寸晶圓廠、一座6寸晶圓廠,是全球規模最大的專業積體電路制造服務公司。
曾春良指出,「在臺積電上班,你
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- 一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式,加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產腳步。包括IBM授權技術陣營中的聯電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預計在2014年以14納米FinFET前段閘極結合20納米后段金屬導線制程的方式達 成試量產目標;而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代,初版方案亦可望采用類似的混搭技術,足見此設計方式已成為晶圓廠進入 FinFET世代的共通策略。
聯華電子市場行銷處處長黃克勤提到,各家廠商在16/
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晶圓 FinFET
- 當我在1987年創立臺積電的時候,沒有人會預料到我們未來會有怎么樣的發展。”張忠謀回憶說。在當時,半導體公司只設計和制造芯片。臺積電是第一個純粹的“晶圓代工廠”——剛開始的定位就是一家沒有芯片設計師的晶圓廠。其他廠商的顧慮成就了臺積電的發展。在張忠謀以82歲高齡擔任董事長并第二次出任公司CEO的時候說到,這樣的發展方式使的臺積電在開始的八年內沒有任何競爭。
現在,我們的理念逐漸成為一種趨勢。去年,全球一半的邏輯芯片是由臺積電生產的(相對
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晶圓 介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [
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