存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

主控制器為USB存儲器件供電

主控制器為USB存儲器件供電　Parvus公司的全新四端口USB 2.0主控制器USB104+，可以直接為相連的USB器件供電，傳輸速度比USB 1.1的產(chǎn)品快40倍。其尺寸為3.55英寸
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Oxford雙SATA橋接芯片提供便攜數(shù)據(jù)存儲能力

Oxford雙SATA橋接芯片提供便攜數(shù)據(jù)存儲能力　Oxford半導體公司 (Oxford Semiconductor) 的OXU921DS器件支持USB2.0和外部SATA連接，容許外部存儲產(chǎn)品的設(shè)計可以在現(xiàn)有和未來計算平臺之間實現(xiàn)個人數(shù)據(jù)的完全便攜能力。　　全球首個可在USB2.0端口和多達兩個SATA磁盤之間進行透明數(shù)據(jù)傳輸?shù)臉蚪有酒琌XU921DS，提供了RAID 0和1功能及磁盤延伸能力。該芯片的嵌入USB鏈接和Phy允許全速和高速運作，有助于實現(xiàn)最大的數(shù)據(jù)吞吐量?！　τ谀切┫霝槠洚a(chǎn)品增添更高
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Oxford　Semi雙SATA芯片支持便攜數(shù)據(jù)存儲

　 Oxford半導體公司(Oxford Semiconductor)宣布推出全球首個可在USB2.0端口和多達兩個SATA磁盤之間進行透明數(shù)據(jù)傳輸?shù)臉蚪有酒狾XU921DS。該器件支持USB2.0和外部SATA連接，允許外部存儲產(chǎn)品的設(shè)計可以在現(xiàn)有和未來計算平臺之間實現(xiàn)個人數(shù)據(jù)的完全便攜能力。OXU921DS提供了RAID 0和1功能及磁盤延伸能力。該芯片的嵌入USB鏈接和Phy允許全速和高速運作，有助于實現(xiàn)最大的數(shù)據(jù)吞吐量。　　對于那些想為其產(chǎn)品增添更
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英飛凌拓展服務器內(nèi)存產(chǎn)品組合推出2GB DIMM

在舊金山召開的英特爾開發(fā)商論壇（IDF）上，全球內(nèi)存產(chǎn)品供應商英飛凌科技公司宣布，該公司正在推出容量為512MB、1GB與2GB的DDR2 VLP-DIMM （小型內(nèi)存模塊）樣品。英飛凌 VLP-DIMM的高度只有18.3毫米，比常用于服務器的1U 寄存式DIMM的高度低40%，專門面向高容量刀片式服務器應用。更小的外形將空間要求降低了一半以上，改善了空氣流通，為刀片式服務器中其他額外功能或更多的內(nèi)存模塊創(chuàng)造了空間。為了在保持小外形的同時，將內(nèi)存容量提升超過1GB，英飛凌運用了基于雙晶片的1
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中芯國際宣稱將提高內(nèi)存產(chǎn)量業(yè)界紛紛質(zhì)疑

　　8月28日消息，盡管中芯國際已經(jīng)表示會把重點日益轉(zhuǎn)向邏輯集成電路的生產(chǎn)，但仍然有傳言稱，它將增加SDRAM內(nèi)存芯片的產(chǎn)量。但是，SDRAM內(nèi)存芯片設(shè)計廠商對中芯國際的能否提高產(chǎn)量持懷疑態(tài)度，主要原因是技術(shù)方面的。　　在被要求對這些傳言進行評論時，中芯國際只是表示，對DRAM內(nèi)存芯片和邏輯集成電路芯片產(chǎn)量的任何調(diào)整都將是基于客戶需求的?！　〉牵瑯I(yè)界人士對中芯國際將提高SDRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)量的任何可能的措施提出了疑問。在SDRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)方面，中芯國際采用了0.16微米生產(chǎn)工藝，而我國
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AMD推出支持ECC無緩存內(nèi)存處理器

　 AMD宣布全面推出支持錯誤校驗碼(ECC)無緩存內(nèi)存的AMD皓龍™100系列處理器。目前，單路服務器和工作站的關(guān)鍵市場數(shù)量不斷增加，客戶需求旺盛，為此，AMD擴展了AMD皓龍100系列處理器支持的內(nèi)存類型?，F(xiàn)在，這種擴展支持已成為100系列處理器的標準。　　AMD將繼續(xù)為需要的用戶（包括那些根據(jù)AMD64嵌入式處理器發(fā)展規(guī)劃設(shè)計高端產(chǎn)品的用戶）提供支持帶寄存器內(nèi)存的AMD皓龍100系列處理器。　　雙核心AMD皓龍100系列處理器也將支持ECC無緩存內(nèi)存，該產(chǎn)品有望在30日內(nèi)
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一種新型非易失性存儲器的原理及應用

摘要：本文詳細了介紹了德國ZMD公司的非易失性存儲器（nvSRAM）的原理、種類及應用。德國ZMD公司的非易失性存儲器采用SRAM+EEPROM方式，巧妙地將兩種存儲技術(shù)集成進一個芯片之中，降低了成本，提高了可靠性。本文除介紹芯片原理之外，還提供了參考框圖。關(guān)鍵詞：ZMD，nvSRAM，非易失性存儲器，掉電非易失縱觀目前低容量并行接口的非易失存儲器市場，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占據(jù)了市場主流，其中EEPROM的供應廠家很多，其中以ATMEL，ST等廠家占主導地位，F(xiàn)RAM只
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多元化有助內(nèi)存市場穩(wěn)定，OEM買家面臨新挑戰(zhàn)

日前，市場研究機構(gòu)iSuppli公司市場分析師Nam Hyung Kim表示，隨著內(nèi)存供應商將產(chǎn)品線多樣化，這類產(chǎn)品價格變動頻繁的特點可能將成為過去，如DRAM。 Kim表示，生產(chǎn)商正持續(xù)把產(chǎn)能轉(zhuǎn)向其他類型的內(nèi)存產(chǎn)品，比如NAND閃存，以減少他們的投資風險，但是這讓OEM廠商采購變得復雜。Kim說，“供應商希望產(chǎn)品多元化，如果你有多樣化的產(chǎn)品系列就能有效規(guī)避風險?！?nbsp; 這種趨勢已經(jīng)發(fā)生，Kim注意到
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傳內(nèi)存制造商英飛凌將與臺灣南亞科技合并

　　最近英飛凌內(nèi)存事業(yè)部總裁的突然辭職，及新任總裁立即訪臺的行動，激起了市場對德國這家芯片制造商有可能與它長期的合作伙伴南亞科技合并的猜測。　　對此，據(jù)digitimes網(wǎng)站報道，英飛凌重申該公司將不會對任何合并猜測進行評論。南亞科技拒絕對即將來臨的會面置評。　　英飛凌內(nèi)存事業(yè)部新任總裁羅建華將在下周出訪臺灣。消息來源相信羅將與臺灣兩家領(lǐng)先內(nèi)存制造商進行會談，南亞便是其中之一。　　分析家同時還注意到，南亞與英飛凌穩(wěn)固的伙伴關(guān)系使它成為了一個理想的收購對象。&nbs
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Lexar發(fā)力中國存儲消費市場把握存儲未來

　　2005年，全球存儲卡、高性能數(shù)碼媒體及其輔助產(chǎn)品生產(chǎn)商美國LEXAR（雷克沙）公司正式創(chuàng)立了中國總部，啟用了“雷克沙”全新中文標識，自此LEXAR（雷克沙）數(shù)碼存儲產(chǎn)品便全面入駐國內(nèi)市場，拉開了宏圖偉業(yè)的序幕。通過短短幾個月的市場推廣，LEXAR（雷克沙）系列存儲卡、閃存盤產(chǎn)品已經(jīng)在國內(nèi)電子市場遍地開花，成為廣大消費者熟知并喜愛的品牌。　　作為全球移動存儲產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導廠商，LEXAR（雷克沙）一直專注于各種數(shù)碼電子存儲消費品的生產(chǎn)和研發(fā)，產(chǎn)品線涵蓋CF、MS、SD、MMC、xD等全系
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南方匯通微硬盤獲8億元投資暫解資金饑渴

　　一直被資金瓶頸困擾的南方匯通(000920.SZ)高管們終于可以舒口氣了。旗下微硬盤項目獲得8億元的政府資金注入，也為該參股公司2007年登陸美國納斯達克市場的目標打開了想象空間。　　7月30日，南方匯通明確表示，作為貴州省政府指定投資主體對其參股公司貴州南方匯通世華微硬盤有限公司(下稱“世華微硬盤”)的出資，110億日元已于2005年7月25日，按當日匯價兌換為人民幣79818.2萬元到達世華微硬盤在貴陽的銀行賬號。　　對于此次資金注入的投資主體，南方匯通并沒有明確指明，只表示是“貴州省內(nèi)的國有
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普天志在移動存儲標準自有品牌產(chǎn)品已出爐

　　中國最大的信息產(chǎn)業(yè)集團普天集團終于有了獨立的產(chǎn)品品牌：“普天牌”。　　日前召開的“青島中國國際消費電子博覽會”(SINOCES)上，剛成立一年之久的重慶普天茂富推出了“普天牌”存儲卡。　　同時，作為國內(nèi)首家設(shè)計、生產(chǎn)移動存儲記憶產(chǎn)品的企業(yè)，普天茂富同時還宣布了自己的另一個身份：參與制訂中國移動存儲標準的主導廠商之一。　　“盡管目前只以‘普天’牌銷售，但是從成立之初，茂富便將自己定位于全球化公司，它有著全球視野?！逼仗烀豢偨?jīng)理林育中對記者說。林育中另外的身份是臺灣茂德科技副總經(jīng)理。　　“普天”
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FPGA到高速DRAM的接口設(shè)計

FPGA做為系統(tǒng)的核心元件正在更多的用于網(wǎng)絡(luò)、通信、存儲和高性能計算應用中，在這些應用中都需要復雜的數(shù)據(jù)處理。所以，現(xiàn)在FPGA支持高速、外部存儲器接口是必須遵循的?，F(xiàn)在的FPGA具有直接接口各種高速存儲器件的專門特性。本文集中描述高速DRAM到FPGA的接口設(shè)計。設(shè)計高速外部存儲器接口不是一件簡單的任務。例如，同步DRAM已發(fā)展成高性能、高密度存儲器并正在用于主機中。最新的DRAM存儲器—DDR SDRAM，DDR2和RLDRAM II支持頻率范圍達到133MHz（260Mbits/s）_400MHz（
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美國自殺式硬盤防泄密　被竊后可自毀數(shù)據(jù)

　　硬盤被盜、數(shù)據(jù)外泄，可能造成重大損失。據(jù)德國《焦點》周刊報道，美國隱藏數(shù)據(jù)技術(shù)公司(Ensconce)日前發(fā)明了一種“自殺式”硬盤，可在被竊后根據(jù)要求自毀數(shù)據(jù)，阻止竊賊濫用其中的敏感數(shù)據(jù)。　　這種數(shù)據(jù)保護技術(shù)的關(guān)鍵在于外部信號。比如全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)傳感器探知硬盤離開安全區(qū)域后會發(fā)出信號。接到信號后，事先安裝在硬盤盒內(nèi)的容器會向磁盤噴射一種化學制劑，永久抹掉上面的數(shù)據(jù)。　　報道說，這種新型硬盤計劃于明年初面市。
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丑聞讓英飛凌COO下臺內(nèi)存業(yè)務上市將擱淺

　　世界半導體巨頭英飛凌高管受賄的“腐敗門”丑聞有了最新進展。17日，英飛凌監(jiān)事會接受了首席營運官AndreasvonZitzewitz的辭職申請。Zitzewitz的下臺不僅留下了一個極為關(guān)鍵的位置空缺，而且一舉打亂了英飛凌謀劃已久的內(nèi)存芯片業(yè)務上市計劃。　　在這又一起發(fā)生在德國知名大公司身上的賄賂丑聞中，Zitzewitz涉嫌從一家公關(guān)公司處撈取了25.9萬歐元的不正當回扣。德國檢察官上周五突襲搜查了英飛凌的總部以及部分高管的家，僅僅一天后Zitzewitz宣布辭職。　　英
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]