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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲器

        存儲器 文章 進入存儲器技術社區

        Ramtron針對嵌入式數采推出微控制器

        •      Ramtron公司宣布推出Versa Mix 8051 系列 (VMX51C1xxx) 混合信號微控制器,這是單芯片的解決方案,可用于工業、醫療、消費電子、儀表和汽車市場等各種不同的信號調節、數據采集、處理和控制應用。Ramtron還同時提供Versa 8051系列 (VRS51x1xxx/5xx) 的低成本、符合業界標準并以8051為基礎的插入式MCU,帶有高達12
        • 關鍵字: Ramtron  嵌入式  微控制器  存儲器  

        內存供過于求 06年半導體前景待觀望

        •       市場研究機構Gartner/Dataquest表示,雖然半導體行業在2006年預期將有合理的增長,但是不排除在平穩增長的時候會出現一些增長過快的情況,如內存的供過于求。    Gartner/Dataquest的分析師Klaus Rinner預測2006年集成電路的市場增長率為7.6%,但是在資本支出上將有0.4%的下降。    在一次講座中Rinnen表示:市場的前景并非一片大好。    在市
        • 關鍵字: 半導體  內存  前景  存儲器  

        DRAM售價下降 英飛凌Q1將虧損1.477億美元

        •       歐洲芯片廠商英飛凌表示,DRAM內存平均銷售價格的下降影響了該公司2006財年第一季度的財報結果。         據reed-electronics.com網站報道,英飛凌截止到去年12月份的2006財年第一季度的銷售收入是大約20億美元(16.7億歐元),利息和稅項之前的利潤為虧損1.477億美元(1.22億歐元)。英飛凌的凈虧損為2.216億美元(1
        • 關鍵字: DRAM  虧損  英飛凌  存儲器  

        內存供過于求06年半導體前景待觀望

        •       市場研究機構Gartner/Dataquest表示,雖然半導體行業在2006年預期將有合理的增長,但是不排除在平穩增長的時候會出現一些增長過快的情況,如內存的供過于求。    Gartner/Dataquest的分析師Klaus Rinner預測2006年集成電路的市場增長率為7.6%,但是在資本支出上將有0.4%的下降。    在一次講座中Rinnen表示:市場的前景并非一片大好。    在市
        • 關鍵字: 半導體  供過于求  內存  存儲器  

        ST推出內置DRAM存儲器的微控制器

        •      意法半導體(ST)日前公布了一款針對無線基礎設施設備開發的多用途微控制器的細節。這個代號為"GreenFIELD"、產品編號為STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC處理器核心、16Mbit片上eDRAM內存、eFPGA(嵌入式現場可編程邏輯門陣列)模塊以及各種模擬和數字外設。GreenFIELD-STW21000是ST無線基礎設施產品部發布的第二款先進的系統芯片產品。   GreenFI
        • 關鍵字: DRAM  ST  微控制器  存儲器  

        Ramtron推出新型混合信號微控制器

        •       Ramtron公司宣布推出Versa Mix 8051 系列 (VMX51C1xxx) 混合信號微控制器,這是單芯片的解決方案,可用于工業、醫療、消費電子、儀表和汽車市場等各種不同的信號調節、數據采集、處理和控制應用。Ramtron還同時提供Versa 8051系列 (VRS51x1xxx/5xx) 的低成本、符合業界標準并以8051為基礎的插入式MCU,
        • 關鍵字: Ramtron  微控制器  信號  存儲器  

        Ramtron推出高集成度混合信號微控制器

        • Ramtron公司宣布推出Versa Mix 8051 系列 (VMX51C1xxx) 混合信號微控制器,這是單芯片的解決方案,可用于工業、醫療、消費電子、儀表和汽車市場等各種不同的信號調節、數據采集、處理和控制應用。Ramtron還同時提供Versa 8051系列 (VRS51x1xxx/5xx) 的低成本、符合業界標準并以8051為基礎的插入式MCU,帶有高達128KB ISP/IAP閃存,專為簡化設備的轉移而設
        • 關鍵字: Ramtron  微控制器  信號  存儲器  

        AMD7500萬美元獲Rambus內存專利授權

        •   內存技術公司Rambus近日宣布,美國芯片制造商AMD已經和該公司簽署專利許可授權協議。AMD耗資7500美元獲得5年內使用Rambus公司有關內存和邏輯控制器設計的專利的授權。      據悉,這次授權的專利有關如下技術:DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、FB-DIMM、PCI Express、XDR等控制器的設計,以及有關目前和未來的高速內存和邏輯控制器接口技術。      這項授權協議覆蓋了除內存芯片以外的所有內存相關技術。該協議還可以
        • 關鍵字: Rambus  內存  授權  專利  存儲器  

        日立與瑞薩推出相位轉換存儲器原型

        •     日立(Hitachi Ltd.)與瑞薩科技(Renesas Technology)日前發布了低功耗相位轉換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進行編程。與采用以前技術的日立和瑞薩發布的產品相比,每個單元的功耗降低了50%。     據介紹,相對于現有的非易失存儲器,新的相位轉換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優異。因此,
        • 關鍵字: 日立  瑞薩  相位轉換存儲器  存儲器  

        邁威推出超小型手機存儲卡microSD卡

        • 邁威國際自進入中國大陸市場以來不斷推出新產品,而且推出的產品性價比非常高。隨著照相手機、PDA手機的逐漸普及,數碼存儲卡也越來越輕、薄、短、小。 此次邁威在國內市場推出的128M microSD卡,就是一款主要應用于手機的數碼閃存卡,隨卡邁威還附贈了一塊適配器,加上適配器,此款microSD卡就可變成一款標準型的SD卡,可以廣泛應用于數碼相機、數碼攝像機、MP3播放機、PDA、手機,等等有SD卡插槽的數碼設備中。 MAKWAY microSD卡非常小巧,尺寸大小僅為11
        • 關鍵字: microSD  邁威  手機  存儲器  

        日立瑞薩開發低功耗轉換存儲器單元

        • 新型單元是一種用于嵌入式系統的下一代微控制器片上非易失存儲器的頗具前途的解決方案,它可以在1.5V電源電壓條件下進行編程,且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發布了低功耗相位轉換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進行編程——與采用以前技術的日立和瑞薩發布的產品相比,每個單元的功耗降低了50%。此外,相對于現有的非易失存儲器,新的相位轉換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優異。因此,這些原型可在
        • 關鍵字: MOS  日立  瑞薩  存儲器  

        Infineon推出新型512Mb圖像DRAM

        •      支持時鐘頻率高達800MHz      Infineon公司推出高性能512Mb GDDR3 圖像DRAM,和ATI公司的Mobility Radeon X1600圖像處理器一起使用,目標在筆記本電腦. Mobility Radeon X1600是ATI創新的移動圖像處理器,能為薄型筆記本電腦提供極好視像和快速的圖像,滿足高性能設計中的越來越多的移
        • 關鍵字: Infineon  存儲器  

        三星推出8GB FB-DIMM服務器存儲器

        •       Samsung公司推出新的8GB產品用于服務器.在十月份推出的8GB注冊雙列直插存儲器模塊(R-DIMM),Samsung現在增加它的全緩沖雙列直插存儲器模塊(FB-DIMM),包括采用80nm 2Gb DDR的8GB,用于高速服務器.這種器件代表了在高檔服務器存儲器架構中重大意義的飛躍.         采用Samsung的大容量存儲器將會增加
        • 關鍵字: 三星  存儲器  

        英特爾與意法推出公用內存子系統

        • 協助手機制造商降低開發成本 意法半導體與英特爾公司近期宣布推出一款公用閃存子系統。該系統旨在幫助降低手機原始設備制造商 (OEM) 的開發成本,使他們能夠更快向市場推出功能豐富的手機產品。為了簡化手機內存設計,兩家公司將基于公用規范提供硬件和軟件兼容的內存產品。在此基礎之上,手機制造商將可以顯著縮短產品開發時間,降低產品成本,同時還將能夠以較低成本,快速過渡到兩家公司開發的下一代 NOR 閃存產品。 NOR 閃存是大眾主流手機市場首選的內存技術。據業界調研
        • 關鍵字: 英特爾  存儲器  

        韓國開發變阻存儲器元件原創技術

        •     韓國產業資源部近日宣布,韓國光州科學技術院教授黃賢尚領導的科研小組成功開發出了變阻存儲器(ReRAM-Resistance Random Access Memory)元件的核心原創技術,這一技術足以克服新一代存儲器閃存芯片的缺陷。   據介紹,迄今為止,閃存芯片存在的最大缺陷是信息存儲和刷新的時間長,存儲容量難以達到32千兆位(Gb)以上。    專家介紹說,黃賢尚科研小組開發出的“單結晶鍶鈦氧化物(SrTi03)”和使這種氧化物保持原有特性的表面
        • 關鍵字: 韓國  存儲器  
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        存儲器介紹

        什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統中的記憶設備,用來存放程序和數據。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構成 構成存儲器的存儲介質,目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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