中國首個256位分子存儲器電路研制成功

近日，中科院微電子所納米加工與新器件集成技術實驗室成功研制出國內首個256位分子存儲器電路。

分子電路是指在分子層次上構筑的電子器件及其集成電路，是后摩爾時代接替硅基電路最受關注的方向之一，它能夠使電子器件的關鍵尺寸縮小到分子尺度，突破摩爾定律極限，推動集成電路向更小尺寸，更高集成度方向發展。

電阻轉變型雙穩態材料的存儲特性在信息存儲以及存儲器方面有著非常廣闊的應用前景，是一種天生的存儲材料。

具有此類雙穩態特性的分子功能材料由于其低成本、低功耗，并且有潛力將特征尺寸縮小到分子尺度等優點，而受到廣泛的關注。分子存儲器是利用有機分子的電學雙穩態特性實現存儲功能的，分子存儲器要實現高密度存儲，就需要有效的降低特征尺寸，即存儲點的周期。

研究人員在深入研究不同轉變機理的各種電阻轉變型雙穩態材料的基礎上，基于一次電子束光刻和二次X射線曝光的具有完全知識產權的混合光刻技術，成功研制了國內首個256位分子存儲器電路，該存儲器電路的特征尺寸達到250nm，電學性能優異，實驗結果表明分子存儲器的分子層沒有受到損傷。

國內首個256位分子存儲器電路的研制成功，為我國分子電路的高集成度、高速度和低功耗的實現奠定了重要基礎, 有力推動了我國分子電子學的發展。

本工作得到了國家973項目的支持，中國科學院化學所提供了分子材料的制備生長，二次X射線光刻工藝在國家同步輻射實驗室完成。

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