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        半導體 文章 最新資訊

        SK集團擬垂直整合業(yè)務(wù),積極打入半導體材料和零件領(lǐng)域

        •   據(jù)韓媒消息,SK集團搶攻半導體市場,欲以 SK 海力士為中心,采取一條龍式的經(jīng)營模式,積極打入半導體材料和零件領(lǐng)域,垂直整合各項業(yè)務(wù)。   韓媒報導,SK 海力士原本向日本信越化學(Shin-Etsu Chemical)、SUMCO、韓國 LG Siltron、美國 SunEdison Semiconductor 等購買晶圓。今年年初 SK 集團并購原屬 LG 集團的晶圓生產(chǎn)商“LG Siltron”,未來可能會向 LG Siltron 采購更多晶圓。   業(yè)界人士表示,S
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        半導體銷售額增長創(chuàng)新高 為強“芯”大陸花巨資買裝備

        • 我國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的決心和熱情,也是有目共睹的。那么半導體市場近況如何?我國最近又為實現(xiàn)自主替代做了哪些努力呢?
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        張忠謀:半導體極限還有8~10年 封裝是延壽的解藥

        •   臺積電董事長張忠謀8日在股東會中表示,臺積電營運猶如今日艷陽高照的天氣,象征營運是蓬勃有朝氣,2016年是營運創(chuàng)新高紀錄的一年,2017年也是不錯的一年。   今年臺積電的股東會后,張忠謀并沒有開記者會暢所欲言,但在股東會中,他仍是勉勵同仁表示,要開心地迎接各種挑戰(zhàn),當今產(chǎn)業(yè)有很多很強的競爭者,我們不容輕視競爭者們,大家齊心協(xié)力,站在各自崗位上做努力。   眾所皆知,臺積電這幾年營運突飛猛進的秘訣,是持續(xù)投資高端制程技術(shù),甩開競爭對手,雖然有英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Elec
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        SMIC創(chuàng)始人張汝京離開新昇半導體,去向不明

        •   6月10日,上海新昇半導體官方微信發(fā)布消息宣布,張汝京博士決定于2017年6月30曰為止不再擔任新昇總經(jīng)理職務(wù),但繼續(xù)擔任新昇董事。王福祥先生也決定不再出任董事長,但同時還將繼續(xù)擔任董事職務(wù)。   新昇官方表示,新昇能夠快速發(fā)展到今天的程度,兩位先生功不可沒。當年在大硅片項目缺乏投資之時,是王福祥先生挺身而出,成為新昇的創(chuàng)立者之一,并帶領(lǐng)新昇逐步發(fā)展成為一個越來越成 熟的公司,如今新昇的美好前景已經(jīng)吸引眾多投資者紛至沓來。   張汝京博士為新昇作出了偉大的貢獻,他領(lǐng)導新昇團隊在創(chuàng)紀錄的時間內(nèi)建成了
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        中國半導體企業(yè)一擲千金招攬韓國人才

        •   中國人來了。這句話大家已經(jīng)耳熟能詳,現(xiàn)在韓國媒體又說了一遍,只不過這次,中國人不是來旅游的,而是來挖人的。   6月7日,韓國媒體亞洲經(jīng)濟消息稱,韓國的半導體產(chǎn)業(yè)遭遇中國“挖墻腳”,面對人才向中國流動的情況束手無策。   據(jù)韓國產(chǎn)業(yè)界6日消息,中國企業(yè)正在有組織地挖走韓國優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)的人才,并且已經(jīng)達到了非常嚴重的程度。從化妝品、食品等基本生活用品領(lǐng)域,到信息通信、半導體、生物科技等尖端領(lǐng)域,中國企業(yè)的高薪誘惑已經(jīng)使不少韓國技術(shù)人才自愿跳槽。   國內(nèi)一家芯片加工廠內(nèi)部@
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        半導體封裝專利訴訟 以色列公司控告臺積電、蘋果、華為

        •   2017年5月5日,以色列Uri Cohen博士,在德州東區(qū)聯(lián)邦地院控告臺灣臺積電及其北美子公司、中國華為和子公司海思半導體、以及美國蘋果公司,所生產(chǎn)制造、并使用在智能手機等產(chǎn)品的半導體芯片,侵害其美國專利編號6,518,668、6,924,226、7,199,052、7,282,445,主要涉及半導體晶圓多種子層封裝結(jié)構(gòu)及制造方法。   臺積電在本案中成為首要被告,華為和蘋果是臺積電主要客戶,由臺積電代工供應(yīng)半導體晶片。因販售至美國的智能手機等電子通訊產(chǎn)品,使用了涉嫌侵害系爭專利的臺積電16奈米及
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        全球前二十大半導體廠商大陸布局情況追蹤

        • 全球半導體TOP20的營收很大一部分來自中國大陸,大概范圍在30%到60%,可以說中國大陸已經(jīng)成為各大公司營收的主要來源。
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        韓國以35億美元打破臺灣半導體界鐵牢律 咋做到的?

        •   全球半導體界有個鐵牢律:臺灣地區(qū)出貨第一,韓國出貨第二。而且從銷售額上看,第一要遠超過第二名的百分之五十。但是2017年第一季度,韓國方面突然沖破了這條枷鎖,奪下了世界第一的桂冠。看似險勝臺灣,然而韓國方面成長率卻十分驚人。   據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)統(tǒng)計,第1季全球半導體設(shè)備出貨金額達131億美元,季增14%,年增58%,并超越2000年第3季創(chuàng)下的歷史新高紀錄。   韓國方面半導體設(shè)備銷售額35.3億美元,季增48%,年增1.1倍。而臺灣方面不僅沒有增長,反而季減16%,銷售額為34
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        靠代工稱霸半導體產(chǎn)業(yè) 臺積電專利報告

        • 通過苦心經(jīng)營與突破性創(chuàng)新研發(fā),臺積電的半導體代工業(yè)務(wù)不僅讓其占據(jù)了半導體代工市場60%的份額,更讓其在市值與工藝上雙雙戰(zhàn)勝了“老大哥”Intel。
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        從“學生”變“老師” “中國芯”打鐵還要自身硬

        • 瓴盛科技成立的信息一發(fā)布,就引來一陣熱議。一時之間,各種各樣的觀點紛紛出爐,很多的是沒有進行深入思考甚至是僅僅搞噱頭而已。
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        DC/DC電源模塊高溫失效原因

        • DC/DC電源模塊(以下簡稱模塊),是一種運用功率半導體開關(guān)器件實現(xiàn)DC/DC功率變換的開關(guān)電源。它廣泛應(yīng)用于遠程及數(shù)據(jù)通信、計算機、辦公自動化設(shè)備、工業(yè)儀器儀表、軍事、航天等領(lǐng)域,涉及到國民經(jīng)擠的各行各業(yè),并在遠程和數(shù)字通信領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。隨著電子技術(shù)的高速發(fā)展r開關(guān)電源韻應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛,所工作的環(huán)境也越來越惡劣,統(tǒng)計資料表明,電子元器件溫度每升高2℃,可靠性下降10%,溫升為50℃時的壽命只有溫升25℃時的1/6。本文所研究的電源模塊是中電集團第四十三所研制的廣泛用于軍工的一款高性能DC/
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        2016年全球收入前十大半導體廠商排行榜

        •   全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的研究顯示,2016年全球半導體收入總計3,435億美元,較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下,前二十五大半導體廠商總收入增加10.5%,表現(xiàn)遠優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長率。   Gartner研究總監(jiān)James Hines表示:“2016年半導體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟,但下半年需求增強,定價環(huán)境得到改善。助力全球半導體收入增長的因素包括多項電子設(shè)備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價的上揚及相對
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        Gartner:2016年全球半導體收入增長2.6%

        •   全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的研究顯示,2016年全球半導體收入總計3,435億美元,較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下,前二十五大半導體廠商總收入增加10.5%,表現(xiàn)遠優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長率。  Gartner研究總監(jiān)James Hines表示:“2016年半導體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟,但下半年需求增強,定價環(huán)境得到改善。助力全球半導體收入增長的因素包括多項電子設(shè)備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價的上揚及相對溫和的
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        追趕世界強國 中國半導體產(chǎn)業(yè)還有多少路要走?

        • 中國半導體業(yè)發(fā)展要齊頭并進,除了IC設(shè)計、制造及封裝業(yè)之外,包括配套的設(shè)備與材料業(yè)等,以及人才培養(yǎng)與產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的逐步改善。在未來的AI、物聯(lián)網(wǎng)等市場,中國擁有市場優(yōu)勢,很有可能抓緊機遇、異軍突起,然后逐步轉(zhuǎn)強,所以要持續(xù)堅定的走市場化道路。
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        埃米時代 半導體先進工藝藍圖將更新

        •   隨著半導體發(fā)展腳步接近未來的14埃米,工程師們可能得開始在相同的芯片上混合FinFET和納米線或穿隧FET或自旋波晶體管,他們還必須嘗試更多類型的內(nèi)存;另一方面,14埃米節(jié)點也暗示著原子極限不遠了…   在今年的Imec技術(shù)論壇(ITF2017)上,Imec半導體技術(shù)與系統(tǒng)執(zhí)行副總裁An Steegen展示最新的半導體開發(fā)藍圖,預(yù)計在2025年后將出現(xiàn)新工藝節(jié)點——14埃米(14A;14-angstrom)。這一工藝相當于從2025年的2nm再微縮0.7倍;
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        半導體介紹

        semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體;化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]
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