【2023年8月3日，德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節省空間、降低成本和簡化應用設計方面發揮著至關重要的作用。此外，更高的功率密度還能實現靈活的布線并縮小系統的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣泛適用于各種應用，如服務器、通信
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英飛凌 OptiMOS 功率MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS?X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區擴展了76%[3]，使其適合線性
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東芝 功率MOSFET 電源電路
中國上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品，于今日開始批量出貨。 通過對柵極設計和工藝進行優化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品的單位面積漏源導通電阻降
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東芝推 超級結結構 N溝道 功率MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。TPH9R00CQ5具有行業領先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導通電阻，與東芝現有產品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時，與東芝現有產品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢復電荷減少約74%，反向恢復[5]時間縮短約44
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東芝 N溝道 功率MOSFET
未來電力電子系統的設計將持續推進，以實現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發展趨勢，英飛凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結構。該新產品系列在半導體器件級層面做出了重要的性能改進，為DC-DC功率轉換提供了極具吸引力的解決方案，同時也為服務器、通信、OR-ing、電池保護、電動工具以及充電器應用的系統創新開辟了新的可能性。該新產品系列采用了英飛凌
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英飛凌 源極底置 功率MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）“TPH9R00CQH”。該產品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業設備的開關電源，包括部署在數據中心和通信基站的設備。3月31日開始出貨。TPH9R00CQH的漏極-源極導通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當前U-MOSVIII-H工藝的15
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東芝 150V N溝道 功率MOSFET
本文主要分析了功率MOSFET的輸出電容和米勒電容的定義以及他們非線性特性的表現形態，探討了影響這二個電容的相關因素，闡述了耗盡層電荷濃度非線性變化以及耗盡層厚度增加輸出電容和米勒電容的非線性特性的原因。
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功率MOSFET 輸出電容 米勒電容 非線性
功率 MOSFET也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
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MOSFET 功率MOSFET
由于具有最低的導通電阻(RDS(on))，這些BiC MOSFET能夠以良好的性價比降低損耗。此外，通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來更低的滿載運作溫度。較低的反向恢復電荷(Qrr)通過顯著減小電壓過沖來提高系統可靠性，從而最大限度地減少對緩沖電路的需求，同時也減少了工程成本和工作量。這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°，有助于實現在更高的工作結溫下具有更高功率，或者在相同的工作結溫下具有更長使用壽命的設計。此外，隨著額定溫度的
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儒卓力 英飛凌OptiMOS? 功率MOSFET
本文論述了功率MOSFET數據表中安全工作區每條曲線的含義，詳細說明最大的脈沖漏極電流的定義。分析了基于環境溫度、最大允許結溫和功耗計算的安全工作區不能作為實際應用中MOSFET是否安全的標準原因。特別說明了功率MOSFET完全工作在線性區或較長的時間工作在線性區的應用中，必須采用實測的安全工作區理由。
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功率MOSFET 安全工作區 線性區 熱電效應 201903
“MOSFET(場效應管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應管)(Power MOSFET(場效應管))是指它能輸出較大的工作電流
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功率MOSFET MOSFET
Vishay(威世)在“2016慕尼黑上海電子展”上展出了眾多創新成果，包括無源元件、二極管、功率MOSFET和光電子器件等，并特辟了汽車電子展示區，展出了高效和高可靠性汽車電子應用。汽車電子展區的三大亮點 Vishay展示了3套特地從德國運來的與汽車電子相關的demo(演示)，分別是： ? 用于48V板網的馬達驅動裝置(48V/150W)，特點是用于輕混動力系統的電動機驅動裝置;功率可達10 kW。該裝置所有部分由Vishay獨立設計完成，可以提供馬達驅動的電流、轉速等調整。 據悉，48V在歐
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Vishay 無源元件 二極管 功率MOSFET 光電子器件 201605
什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來實現開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制...
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功率MOSFET IGBT 二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將在6月20至22日成都世紀城新國際會展中心舉行的2013中國電子展成都站（夏季會）上展出其全線技術方案。Vishay的展位在3號館A214，展示亮點是其最新的業界領先的創新產品，包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產品。
在2013中國電子展上，Vishay Siliconix將展出在4.5V柵極電壓下最大導通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET? Gen IV MOSFET，提高效
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無源元件 二極管 功率MOSFET
常用功率器件MOSFET基礎介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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功率mosfet介紹
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導體場效應晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場的效應來控制半導體S的場效應晶體管。除少數應用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數用作開關和驅動器，工作于開關狀態，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。 [
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