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        功率mosfet 文章 最新資訊

        UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用

        • 1引言隨著電力電子技術的發展,各種新型的驅動芯片層出不窮,為驅動電路的設計提供了更多的選擇和設計思...
        • 關鍵字: 功率MOSFET  柵極驅動  解耦  

        MOSFET的諧極驅動

        深入理解功率MOSFET數據表

        • 在汽車電子的驅動負載的各種應用中,最常見的半導體元件就是功率MOSFET了。本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFE...
        • 關鍵字: 功率MOSFET  

        功率MOSFET的開關損耗的研究

        • 本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知...
        • 關鍵字: 功率MOSFET  開關損耗  

        Vishay Siliconix推出0.6mm超低外形MOSFET

        •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用0.6mm超低外形的熱增強Thin PowerPAK? SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內,新的SiA444DJT實現了N溝道MOSFET當中業內最低的外形,而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導通電阻。 
        • 關鍵字: Vishay  功率MOSFET  

        功率MOSFET供貨緊張

        •   據iSuppli公司,由于2010年銷售增長50%以上,而且產量有限,英飛凌、意法半導體和飛兆半導體等主要供應商的某些功率MOSFET對中國市場實行配給,而且交貨期拉長。  
        • 關鍵字: 英飛凌  功率MOSFET  

        IR新型-30VP溝道功率MOSFET使設計更簡單靈活

        •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件,適用于電池充電和放電開關,以及直流應用的系統/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?,可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉換或充電泵電路,使其成為系統/負載開關應用非常理想的解決方案。   IR 亞太區銷售副總裁潘
        • 關鍵字: IR  功率MOSFET  

        IR 新型-30V P 溝道功率MOSFET 使設計更簡單靈活

        •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件,適用于電池充電和放電開關,以及直流應用的系統/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?,可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉換或充電泵電路,使其成為系統/負載開關應用非常理想的解決方案。   IR 亞太區銷售副總裁潘
        • 關鍵字: IR  功率MOSFET  

        IR 推出為開關應用優化的 AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2

        •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 今天宣布針對開關應用,推出兩款具有低柵級電荷的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET ,這些開關應用包括開關電源 (SMPS) 、D 類音頻系統、高強度氣體放電燈 (HID) 照明,以及其它汽車電源轉換應用。   AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2 是 IR為 DC-DC 應用量身定制的首款汽車級 DirectFET? 器件,提供低
        • 關鍵字: IR  功率MOSFET  AUIRF7648M2  

        為功率MOSFET增加自動防故障擊穿保護

        瑞薩發布雙類型功率MOSFET DC/DC轉換器

        •   瑞薩科技(Renesas Technology Corp.)近日宣布,推出適用于筆記本電腦及通信設備等產品的存儲器或ASIC同步整流DC/DC轉換器的RJK0383DPA。該器件集成雙類型功率MOSFET,可以實現更高的電源效率。據悉,此器件樣品將于在2008年10月在日本開始供應。   RJK0383DPA集成了兩種不同類型的雙功率MOSFET,構成了一個采用WPAK『注1』(瑞薩封裝代碼)高熱輻射封裝的同步整流DC/DC轉換器,其面積為5.1×6.1 mm,厚度為0.8 mm(最大)
        • 關鍵字: 瑞薩  轉換器  功率MOSFET  DC/DC  

        功率MOSFET的保護

        •   功率MOSFET的薄弱之處是柵極絕緣層易被擊穿損壞,柵源間電壓不得超過
        • 關鍵字: 功率MOSFET  保護  半導體材料  

        TNY256型單片機開關電源及其應用

        •   摘要:單片開關電源具有性價比高、外圍電路簡單、效率高、功耗低等顯著特點,文中介紹了TNY256的性能特點、工作原理,并給出了TNY256的典型應用電路。     關鍵詞:單片開關電源 TNY256 自動重啟計數器 功率MOSFET 1 TNY256的性能特點   
        • 關鍵字: 單片開關電源  TNY256  自動重啟計數器  功率MOSFET  MCU和嵌入式微處理器  
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        功率mosfet介紹

          “MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫,意即“金屬氧化物半導體場效應晶體管”,功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場的效應來控制半導體S的場效應晶體管。除少數應用于音頻功率放大器,工作于線性范圍,大多數用作開關和驅動器,工作于開關狀態,耐壓從幾十伏到上千伏,工作電流可達幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細 ]

        功率mosfet專欄文章

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