東芝電子元件及存儲裝置發布150V N溝道功率MOSFET
加入技術交流群
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）“TPH9R00CQH”。該產品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業設備的開關電源，包括部署在數據中心和通信基站的設備。3月31日開始出貨。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/202204/432754.htmTPH9R00CQH的漏極-源極導通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當前U-MOSVIII-H工藝的150V產品。新款MOSFET結構的優化改善了漏極-源極導通電阻之間的權衡（*2）和兩個電荷特性（*3），實現了優異的低損耗特點。此外，開關操作時漏極和源極之間的峰值電壓也有所降低，有助于降低開關電源的電磁干擾(EMI)。有兩種類型的表面貼裝封裝可供選擇，分別為：SOP Advance和SOP Advance (N)，后一種更受歡迎。東芝還提供支持開關電源電路設計的工具。除了可以在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE型號外，現在還推出了高精度的G2 SPICE型號，可以準確地再現瞬態特性。
東芝將擴大其功率MOSFET產品陣容，通過減少損耗來提高設備的供電效率，幫助降低功耗。
注：
(*1) 截至2022年3月的東芝調查。
(*2) 與目前的產品TPH1500CNH（U-MOSVIII-H系列）相比，該產品的漏源極導通電阻x柵極開關電荷提高了大約20%，漏源極導通電阻x輸出電荷提高了大約28%。
(*3) 柵極開關電荷和輸出電荷
應用領域
通信設備的電源
開關電源（高效直流-直流轉換器等）
特點
優異的低損耗特性。
（在導通電阻和柵極開關電荷與輸出電荷之間進行權衡）低導通電阻：RDS(ON)=9.0milliohms（最大）@VGS=10V
通道溫度額定值高：Tch（最大）=175C
評論