東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業界領先的低導通電阻和改進的反向恢復特性
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/202303/445125.htmTPH9R00CQ5具有行業領先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導通電阻，與東芝現有產品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時，與東芝現有產品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢復電荷減少約74%，反向恢復[5]時間縮短約44%，上述指標是體現同步整流應用性能的兩大關鍵反向恢復指標。新產品面向同步整流應用[6]，降低了開關電源的功率損耗，有助于提高系統效率。此外，與TPH9R00CQH相比，新產品減少了開關過程中產生的尖峰電壓，有助于降低電源的EMI。
該產品采用業界廣泛認可的表面貼裝型SOP Advance（N）封裝。
此外，東芝還提供支持開關電源電路設計的相關工具。除能夠迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外，現在還提供能夠準確地再現電路瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。
東芝利用該產品還開發出了“用于通信設備的1kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉換器”與“采用MOSFET的3相多電平逆變器”參考設計。即日起可訪問東芝官網獲取上述參考設計。除此以外，新產品還可用于已發布的“1kW全橋DC-DC轉換器”參考設計。
東芝將繼續擴大自身的功率MOSFET產品線，以降低功率損耗、提高電源效率，并助力改善設備效率。
■ 應用
- 工業設備電源，如用于數據中心和通信基站的電源
- 開關電源（高效率DC-DC轉換器等）
■ 特性
- 業界領先的[2]低導通電阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）（VGS＝10V）
- 業界領先的[2]低反向恢復電荷：Qrr＝34nC（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 業界領先的[2]快速反向恢復時間：trr＝40ns（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 高額定結溫：Tch（最大值）＝175℃
■ 主要規格
（除非另有說明，Ta＝25℃）
器件型號 | TPH9R00CQ5 | ||
絕對最大 額定值 | 漏極-源極電壓VDSS（V） | 150 | |
漏極電流（DC）ID（A） | TC＝25℃ | 64 | |
結溫Tch（℃） | 175 | ||
電氣特性 | 漏極-源極導通電阻 RDS(ON)最大值（mΩ） | VGS＝10V | 9.0 |
VGS＝8V | 11.0 | ||
總柵極電荷Qg典型值（nC） | 44 | ||
柵極開關電荷QSW典型值（nC） | 11.7 | ||
輸出電荷Qoss典型值（nC） | 87 | ||
輸入電容Ciss典型值（pF） | 3500 | ||
反向恢復時間trr典型值（ns） | -dIDR/dt＝100A/μs | 40 | |
反向恢復電荷Qrr典型值（nC） | 34 | ||
封裝 | 名稱 | SOP Advance（N） | |
尺寸典型值（mm） | 4.9×6.1×1.0 | ||
庫存查詢與購買 | 在線購買 | ||
參考設計：“用于通信設備的1kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉換器”
參考設計：“采用MOSFET的3相多電平逆變器”
注：
[1] 截至2023年3月的數據。
[2] 截至2023年3月，與其他150V產品的對比。東芝調查。
[3] 采用當前一代U-MOSVIII-H工藝的150V產品。
[4] 產品采用與TPH9R00CQ5相同的生產工藝，并具有相同的電壓和導通電阻。
[5] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開關動作。
[6] 如果新產品用于不執行反向恢復操作的電路，則功耗相當于TPH9R00CQH的水平。
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