英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將推出AIROC? CYW20820藍牙? 和低功耗藍牙?片上系統（SoC），進一步壯大其AIROC藍牙系列的產品陣容。AIROC CYW20820 藍牙和低功耗藍牙片上系統，專為物聯網應用而設計，符合藍牙5.2核心規范。它可支持家居自動化以及傳感器的豐富應用場景，包括醫療、家居、安防、工業、照明、藍牙Mesh網絡以及其他需要采用低功耗藍牙或雙模藍牙連接的物聯網應用。 AIROC? CYW20820 A
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英飛凌 藍牙
隨著市場對筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對28V輸出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長期以來的100W功率限制，最高功率可達到140W，進一步提高筆記本的充電效率，可以滿足更大功率的設備供電。英飛凌USB-PD 3.1 EPR的140W高功率密度解決方案● 采用混合反激 （HFB）拓撲,支持5-28V寬壓輸出● 可靈活搭配CoolGaN? 或 CoolMOS? ，滿足不同的產品定位需求● 相比傳統QR,ACF
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英飛凌
IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數據手冊是這樣描述短路能力的，在驅動電壓不超過15V時，短路電流典型值是2400A，只要在10us內成功關斷短路電流，器件不會損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護贏得時間，驅動保護電路可以從容安全地關斷短路電流。短路能力不是免費的器
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英飛凌 IGBT 功率半導體
在通用變頻器或伺服驅動器的設計中，經常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據后面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由于其多數都是連接電網工作于工頻50或60Hz工況，芯片結溫波動很小，因此其通常不會是IGBT PIM模塊是否適用的瓶頸，所以一般在器件選型時也不會特意去計算或仿真PIM模塊中整流橋部分的損耗。但有些客戶的機型要滿足一些特殊工況，或需要考慮模塊的整體損耗來做系統的熱設計，這時就需要計算整流橋的損耗。而目
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英飛凌 PIM
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。下文所述，主要以英飛凌工業1200V SiC MOSFET的M1H系列產品與應用為參考，其他不同電壓等級或不同廠家的SiC產品，不盡相同。在SiC產品的規格書中，都會有SiC Vgs電壓范圍和推薦電壓區間(如圖1所示)，以供大家在實際應用中參考。但是推薦非強制，
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英飛凌 Vgs 門極電壓
在之前的技術文章中，介紹了驅動芯片的概覽和PN結隔離(JI)技術，本文會繼續介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅動芯片技術。高壓柵極驅動IC的技術經過長期的發展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，簡稱SOI），SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅，相對于傳統的導電型的硅襯底，它有三層結構，第一層是厚的硅襯底層，用于提供機械支撐，第二層是薄的二氧化硅層，二氧化硅是一種絕緣體，從而形成一層絕緣結構，第三層是薄的單晶硅頂層，在這一層進行電路的刻蝕，形成驅動IC的工作層。圖１.絕緣
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英飛凌 驅動芯片
英飛凌科技（Infineon）發布了新一代XENSIV MEMS麥克風。新產品包括IM69D127、IM73A135和IM72D128三款型號，進一步壯大了英飛凌的麥克風產品組合，同時也為業界樹立了新標竿。這些具有可選功率模式的MEMS麥克風適用于各種消費電子產品，例如具有主動降噪（ANC）功能的耳機、TWS耳機、具有波束成形功能的會議設備、筆記本電腦、平板計算機或具有語音交互功能的智能音箱。此外該產品還適用于某些工業類應用，例如預側性維護和安全等。這些高性能MEMS麥克風旨在以更高的精度和音質擷取音頻訊
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英飛凌 XENSIV MEMS麥克風
海英搏爾電氣股份有限公司，率先引入英飛凌科技股份有限公司最新推出750 V車規級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩款型號。 這款分立式IGBT EDT2組件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關的性能，并節約系統成本。除此之外，它們還能夠為設計師提供更大的自由度，有助于實現系統整合。英搏爾MCU技術總監劉宏鑫表示：「英搏爾堅定不移地遵循使用分立式組件設計電機控制單元（MCU）的技術路線，不斷開發出高性價比的產品，從而始終保持
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英搏爾 英飛凌 IGBT EDT2組件
中國領先的車載逆變器供應商珠海英搏爾電氣股份有限公司率先引入了英飛凌科技股份公司（FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY）最新推出的750 V車規級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2兩個型號。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關的性能，并節約系統成本。除此之外，它們還能夠為設計師提供更大的自由度，有助于實現系統集成。?? ? ? ? &
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英博爾 英飛凌 IGBT
隨著PD產品在市場的日趨成長，Type-C連接口的應用越來越廣泛，PD協議是以Type-C作為載體傳輸資料或充電，也就是說PD協議需要搭配Type-C界面來實現。常見筆電標配的電源供應器由于體積較大，加上不好收納的電源線，影響攜帶時的便利性，因此利用大功率的PD充電器加上誘騙器即能快速解決問題。具有智慧快充誘騙功能的PD電源，可解決USB輸入口供電不足的問題并結合快充功能的充電器使用，達到輸出功率更大，效率更高，提高其實用性，并可利用不同的PD電源產品利用誘騙器來提供給無Type C界面的產品使用，既可提
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英飛凌 BCR CYPD3177 PD控制
物聯網提升生活品質的潛力有賴于無數設備之間分享、傳輸和訪問海量信息的能力。不過這種便利卻增加了數據泄露的風險，因此需要強大的安全技術，以保護敏感數據。這就是為什么安富利為您推介英飛凌，實事可以證明其解決方案將對您的物聯網設計非常有價值。 英飛凌OPTIGA物聯網安全解決方案在物聯網節點參考設計中并入了主管安全的器件。它還包括了使用意法半導體(ST Micro)傳感器的傳感器中樞和圍繞Dialog Semi設計的低功耗藍牙模塊，通用性極強。令人印象深刻的是，英飛凌OPTIGA Trust產品為在安全應
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安富利 英飛凌 物聯網
SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅動電路和的短路響應迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。圖1是傳統典型的驅動芯片退飽和檢測原理，芯片內置一個恒流源。功率開關器件在門極電壓一定時，發生短路后，電流不斷增加，導致器件VCE電壓迅速提升至母線電壓，高壓二極管被阻斷，恒流源電流向電容CDESAT充電，當上電容CDESAT的電壓被恒流源充至大于比較器參考電壓后，觸發驅動器關閉輸出。
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英飛凌 desat 驅動芯片
導讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。應用痛點氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉速高達10萬轉以上，輸出頻率可達2000Hz，調制頻率50kHz以上是常見的設計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會造成空壓機線包發熱和電機軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
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英飛凌 MOSFET 2L-SRC
IGBT作為一種功率開關，從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間，就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現象隨著IGBT被高頻PWM調制信號驅動時，時常會無奈發生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯續流二極管FWD在硬開關續流時反向恢復特性也會變快。什么是窄脈沖現象IGBT作為一種功率開關，從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間，就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現象隨著I
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英飛凌 IGBT 窄脈沖
【導讀】先說結論，如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關斷的。但是從成本和設計的復雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負壓。下面我們從門極寄生導通現象來看這個問題。IGBT是一個受門極電壓控制開關的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關，在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG電容產生分布電流灌入門極，使門極電壓抬升，可能導致原本處于關斷狀態的IGBT開通，如圖1所示。電流變化di/dt可以通過發射極和驅動回路共用的
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英飛凌 門極驅動
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