當前，服務器、通信和網絡存儲應用都在盡最大努力降低功耗和縮減解決方案的尺寸。與此同時，瞬息萬變的市場也要求系統解決方案提供商比以往更快地滿足市場需求。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY）推出了高效、可靠的DC-DC降壓轉換器模塊，進一步壯大其POL（負載電源）模塊的產品陣容。這些模塊對于希望借助緊湊、完全集成和易于設計的POL產品來幫助他們加快新產品上市的系統設計師而言，是理想的選擇。它們主要面向空間和散熱條件受限的應用，例如電信和數據通信應用、服務器以及
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英飛凌 DC-DC 降壓 電源模塊
受訪人：英飛凌科技1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？ 相似之處：相較于傳統的硅材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料，具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場強，使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有耐高壓、低導通電阻、寄生參數小等優異特性。 不同之處及分別適用于哪些應用：碳化硅和氮化硅這兩種寬禁帶半導體材料之間也存在著諸多差異。
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英飛凌 第三代半導體 硅
英飛凌科技股份公司和Oxford Ionics宣布雙方將攜手打造完全集成的高性能量子處理器（QPU）。Oxford Ionics獨特的電子量子比特控制（EQC）技術與英飛凌全球領先的工程、制造能力以及在量子科技方面的技術專長相結合，將為在未來五年內實現數百量子比特的量子處理器的工業化生產奠定基礎。雙方的合作旨在讓量子計算技術從實驗室走向應用場，轉化為真正的工業級解決方案。 Infineon ion trap許多行業正在尋求從根本上改進其流程和能力，量子計算將為它們開啟算力新時代。而實現這一目標，
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英飛凌 離子阱量子處理器
7月8日，全球首屈一指的汽車半導體供應商英飛凌科技與合眾新能源旗下的哪吒汽車在中國桐鄉，共同舉辦哪吒天工電池與英飛凌BMS整體解決方案技術合作發布儀式。來自哪吒汽車和英飛凌科技（中國）有限公司的嘉賓共同參與了該發布儀式。?哪吒天工電池與英飛凌BMS整體解決方案技術合作發布儀式BMS電池管理系統是電池的“大腦”，也是新能源汽車產業的核心技術之一。雙方合作開發的BMS系統級解決方案，包括了哪吒汽車自研的天工電池，及英飛凌 AURIX?微控制器、12通道AFE、電源管理芯片等產品，滿足ASIL D的系
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英飛凌 電動汽車 電池管理
數字化、低碳化等全球大趨勢推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類器件具備獨特的技術特性，能夠助力電源產品優化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與臺達電子工業股份有限公司 (TWSE: 2308) 兩家全球電子大廠，長期致力于創新的半導體和電力電子領域，今日宣布深化其合作，強化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產品上的應用，為終端客戶提供出色的解決方案。??600 V CoolGaN HSOF
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英飛凌 寬帶隙 電源
憑借其眾多優點，三相無刷直流（BLDC）電機正在成為設計現代化電池供電型電機產品的首要選擇。然而，為了讓產品符合人體工學設計并延長電池的使用壽命，需要縮小產品的尺寸并減輕重量，這給產品設計帶來了巨大挑戰。為了幫助設計師滿足終端市場的需求，英飛凌科技股份公司推出了完全可編程的電機控制器MOTIX? IMD700A和IMD701A。它們采用9 x 9 mm2 64引腳VQFN封裝，能夠讓無線電動工具、園藝用品、無人機、電動自行車以及自動導引車擁有更高的集成度以及功率密度，從而滿足用戶需求。?MOTI
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英飛凌 電機控制器 柵極驅動器
人體存在感知是智能家居中極其重要的一項應用技術，智能家居設備通過精準地感知人體存在和狀態，做出相應的響應或互動。但長期以來，人體傳感器卻普遍存在不夠精準、無法對靜態人體進行監測等問題。 針對這一問題，全球半導體解決方案領導者英飛凌科技（簡稱英飛凌）與全屋智能領域的領軍企業Aqara綠米合作，推出了一套具有高成本效益的、完整的智能家居人體存在解決方案，即Aqara人體存在傳感器FP1。該產品已在Aqara電商及線下Aqara Home智能家居體驗館正式上市。它搭載了英飛凌高度精準的XENSIV?毫
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英飛凌 毫米波雷達 智能家居
這篇微信文章，其實構思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發布了兩篇基礎篇。2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯中的寄生導通問題。這篇微信文章，其實構思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發布了兩篇基礎篇：● 2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導通現象》● 2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯均流特性》2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯中的寄生導通問題。特別提醒：仿真只是工具，仿真無法替代實驗，仿真只供參考。在展開
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英飛凌 SiC
變頻器在設計上不斷的推陳出新，為了提高功率密度并降低成本，工程師更是絞盡腦汁。IGBT（絕緣柵型雙極性晶體管）在變頻器里屬于關鍵器件，其選型和損耗直接關系散熱器的大小，也直接影響著系統的性能、成本和尺寸。本文從變頻器的應用特點出發，結合第七代IGBT的低飽和壓降和最大運行結溫等特點，介紹了第七代IGBT如何助力變頻器應用。本文通過分析變頻器的損耗組成，并通過熱仿真對比第四代IGBT和第七代IGBT的性能，最后通過實驗來驗證結論。相同工況下IGBT7損耗和結溫明顯低于IGBT4，這樣可以減小變頻器的體積或是
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英飛凌
米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應，硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當的柵極電壓是設計所有柵極驅動電路的關鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術，設計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關斷電壓僅需確保器件保持安全關斷即可。英飛凌鼓勵設計人員在0V下關斷分立式MOSFET，從而簡化柵極驅動電路。為此，本文介紹了
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英飛凌 MOSFET
CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態和動態性能以及關鍵影響參數，以實現他們的設計目標。在下面的文章中，我們將為您提供更多關于這方面的見解。溫度對CoolSiC? MOSFET導通特性的影響MOSFET靜態輸出特性的關鍵參數是漏極-源極導通電阻RDS(on)。我們定義了CoolSiC? MOSFET不同溫度下的輸出特性曲線，如圖1左側所述。閾值電壓VGS(th)遵循器件的物理原理，隨著溫度的
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英飛凌
在物聯網系統中，信任機制是設備與云服務之間進行各種交互的基石。因此，必須為每臺設備提供唯一的可信身份標識，以便在設備連接入網時進行安全身份認證。與此同時，為成千上萬臺設備提供安全ID，對OEM廠商來說是一個不小的挑戰。為了幫助OEM廠商應對這些挑戰，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將OPTIGA? Trust M Express安全芯片與CIRRENT? Cloud ID服務相結合，推出了一款高端安全解決方案，為物聯網設備大規模接入云端提供硬件信任錨。 &
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英飛凌 安全芯片
過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。引言過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。經過不斷研究和持續優化，現在，全新推出的CoolSiC? MO
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英飛凌 MOSFET
3D深度傳感器在汽車座艙監控系統中發揮著舉足輕重的作用，有助于打造創新的汽車智慧座艙，支持新服務的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實現自動駕駛愿景等都至關重要。有鑒于此，英飛凌科技（Infineon）與專注于3D ToF（飛時測距）系統領域的湃安德（pmd）合作，開發出了第二代車用REAL3影像傳感器，該傳感器符合ISO 26262標準，具有更高的分辨率。英飛凌3D感測業務副總裁Christian Herzum表示，在針對行動消費終端的3D傳感器領域，英飛凌一直處
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ISO 26262 英飛凌 3D影像傳感器
現在的高功率變頻器和驅動器承載更大的負載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產生的），電路中VS腳的電壓會從高壓母線電壓（S1通S2關時）變化到低于地的負壓（S1關閉時）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負載電路中產生的瞬態負電壓。電平轉移高壓驅動芯片有兩個主要組成部分：1 電平轉移電路，其作用是把以COM腳為參考的輸入邏輯信號轉換成以VS腳為參考的輸出驅動信號。2 自舉二極管，對浮地端的供電電容進行充電。對于這兩部分電路，英飛凌的SOI驅動芯
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英飛凌 高壓驅動芯片
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