英飛凌140W(28V/5A) USB-PD3.1 高功率密度方案
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隨著市場對筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對28V輸出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長期以來的100W功率限制，最高功率可達到140W，進一步提高筆記本的充電效率，可以滿足更大功率的設備供電。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/202206/435270.htm英飛凌USB-PD 3.1 EPR的140W高功率密度解決方案
● 采用混合反激 （HFB）拓撲,支持5-28V寬壓輸出
● 可靈活搭配CoolGaN? 或 CoolMOS? ，滿足不同的產品定位需求
● 相比傳統QR,ACF拓撲，具有明顯的系統優勢：
- HFB拓撲優勢，磁性器件更小（用RM8實現140W設計）
- 全軟開關控制，EMI更易處理
- HFB級用CoolMOS? 即可達到業界領先的效率和功率密度
-同步整流可使用80V MOSFET，降低成本及器件的選型難度
● 協議部份采用了基于ARM核的EZ-PD? CCG3PA，支持PD3.1 EPR
XDP? 用于高功率充電器和適配器的控制器
數字多模式混合反激(HFB) IC - XDPS2201
系統/ 應用概況
關鍵特性
集成600V高壓啟動和高低邊MOS 驅動
● 多模式運作 用于優化不同輸入，輸出及負載條件下的效率
-在所有條件下實現ZVS
-CRM* 實現最優效率
-ZV-RVS** 改善輕載效率
-Active burst-mode 改善極輕輕載效率和待機功耗
● 支持 USB-PD 變電壓輸出應用
● 頻率抖動 用于改善EMI
● 高度靈活可變的IC參數 通過UART 配置滿足指定系統的需求
● 高系統可靠性 IC集成整套完備的保護
-可通過引腳讀出
* CRM: 連續諧振模式
** ZV-RVS: 零電壓諧振谷底開關
EZ-PD? CCG3PA
即插件即用型 USB-C PD 控制器
系統/ 應用概況
關鍵特性
● USB-C PD 控制器, 支持PD3.1,PD 3.0,QC 4.0,BC1.2,Apple Charging 2.4A,Samsung AFC
● 基于Arm? Cortex?-M0 的 MCU 64KB Flash
● EZ-PD 配置功能可針對客戶特定規格進行參數配置
● 集成計時/計數/脈寬調制模塊 ，6個GPIO
● 集成模擬模塊
-可配置的 VBUS 過壓保護，過流, 欠壓, 和短路
-集成 2個 VBUS 放電管和 及負載開關驅動
- 低邊電流檢測
● 24 QFN (16 mm2)
CoolGaN?
高效，高可靠性的氮化鎵產品
CoolGaN?驅動簡單可靠
電流型驅動器件，只要RRC網絡即可直接驅動，簡單，可靠。
針對適配器應用600V
CoolGaN? 產品陣容
分立CoolGaN?關鍵特性
● 采混合漏極結構具有非常優異的動態Rdson性能
● 柵極電流注入驅動
-柵極不易產生電壓尖峰，集成ESD保護，提高可靠性
- 通過注入空穴提升溝道載子密度提高飽和電流密度
-通過柵極阻容設計兼容傳統模擬控制器，開關速度可調
● 經過市場及高可靠應用驗證的成熟產品
集成Driver的
CoolGaN?關鍵特性
● 基于CoolGaN? 開發的集成驅動的氮化鎵產品
● 采用半橋結構，目標應用圖騰柱PFC, ACF,AHB, LLC和基于DSP/MCU的數字電源方案
● 支持3.3V邏輯電平輸入，集成18nS的抗尖峰脈沖濾波器
● 通過柵極的Rtr可調節開關速度
PFD7 系列
專為軟開關拓撲設計的CoolMOS?
MOS滯回損耗產生
PFD7專為軟開關設計
● 在軟開關應用中，非常小的滯回損耗提升系統效率
● 集成ESD保護器件提高生產良率，降低成本及產品售后失效率
● 更低的驅動損耗 (Qg, Qgd）提升輕載效率
● 集成快恢復體二極管超低 Qrr降低，為半橋開關提供一個額外的安全裕量，減少設計量
產品陣容
減小滯回損耗的案例
英飛凌65W內部測試用板
● 輸入電壓:90 VAC – 265 VAC
● 輸出電壓: 5 - 20 V
● 標稱功率: 65 W
● 工作頻率: 100 - 220 kHz
● 變壓器: RM10LP
OptiMOS? PD用于
充電器/適配器的低壓MOSFET產品
● OptiMOS? PD 功率 MOSFETs 的主要封裝 PQFN 3.3x3.3 和PQFN 5*6封裝
● 專為充電器/適配器設計，價格和交付更有靈活性
● 支持邏輯電平輸入保證在低電壓下完全導通，具有很低的通態電阻
● 業界領先的低開關損耗，幫助通過能效等級測試。
OptiMOS? PD:
用于同步整流的重點推薦型號
OptiMOS? PD/6:
用于負載開關的重點推薦型號
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