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        如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響

        • 在IGBT時代,門極電壓的選擇比較統一,無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域,還未有約定俗成的門極電壓規范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑,提供些有用的參考。下文所述,主要以英飛凌工業1200V SiC MOSFET的M1H系列產品與應用為參考,其他不同電壓等級或不同廠家的SiC產品,不盡相同。在SiC產品的規格書中,都會有SiC Vgs電壓范圍和推薦電壓區間(如圖1所示),以供大家在實際應用中參考。但是推薦非強制,
        • 關鍵字: 英飛凌  Vgs  門極電壓  
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