?氮化鎵文章最新資訊

Qorvo：關(guān)于氮化鎵的十個重要事實(shí)

　　從下一代的國防和航天應(yīng)用，到有線電視、VSAT、點(diǎn)對點(diǎn)(PtP)、基站基礎(chǔ)設(shè)施，Qorvo的GaN(氮化鎵)產(chǎn)品和技術(shù)為您身邊的各種系統(tǒng)提供領(lǐng)先的性能支持，讓您能夠隨時聯(lián)網(wǎng)并受到保護(hù)。這些領(lǐng)先性能包括：高功率密度、寬頻性能、高功率處理……閱讀下面的“氮化鎵的十個重要事實(shí)”，真正了解這個在我們的工作和生活中發(fā)揮重要作用的關(guān)鍵技術(shù)。　　關(guān)于氮化鎵的十個重要事實(shí)：　　一、氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由于氮化鎵器件的功率密度較高，
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北美稱半導(dǎo)體市場未來翻倍增長氮化鎵需求增長

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是整個電子信息產(chǎn)業(yè)鏈中最關(guān)鍵的產(chǎn)業(yè)之一，它為集成芯片產(chǎn)業(yè)、LED產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)等產(chǎn)業(yè)提供關(guān)鍵性基礎(chǔ)材料，對整個電子信息產(chǎn)業(yè)影響巨大。上世紀(jì)中葉，單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，引發(fā)了第三次技術(shù)革命;上世紀(jì)70年代初石英光導(dǎo)纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明，促進(jìn)了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，使人類進(jìn)入了信息時代。　　　　半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在電子工業(yè)和微電子工業(yè)中，用來制作各種晶體管、集成電路、固態(tài)激光器等各種精密原器件。　　有
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安森美半導(dǎo)體與 Transphorm合作提供領(lǐng)先業(yè)界能效的基于氮化鎵(GaN)的電源系統(tǒng)方案

　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)與功率轉(zhuǎn)換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關(guān)系，共同開發(fā)及共同推廣基于氮化鎵(GaN)的產(chǎn)品和電源系統(tǒng)方案，用于工業(yè)、計算機(jī)、電信及網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的各種高壓應(yīng)用。　　這策略合作充分發(fā)揮兩家公司固有的實(shí)力。Transphorm是公認(rèn)的第一家將600伏(V)GaN硅晶體管量產(chǎn)通過授證的公司，并在這先進(jìn)技術(shù)有無與倫比的經(jīng)驗(yàn)。安森美半導(dǎo)體是一家領(lǐng)先的高能效電源方案供應(yīng)商，在系統(tǒng)設(shè)計具備深厚的專知和技術(shù)，提供寬廣的陣容產(chǎn)品，從功率分立器件
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Veeco推出EPIK700 MOCVD系統(tǒng) 加快固態(tài)照明的普及

　　今日，Veeco公司推出了最新的的TurboDisc®EPIK700™氮化鎵(GaN)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)系統(tǒng)，結(jié)合了該行業(yè)最高的生產(chǎn)率與最佳良率這兩大優(yōu)勢，運(yùn)營成本低，從而進(jìn)一步降低通用照明應(yīng)用的發(fā)光二極管(LED)的制造成本。　　EPIK700 MOCVD系統(tǒng)采用了Veeco大生產(chǎn)驗(yàn)證過的TurboDisc技術(shù)，具有行業(yè)內(nèi)最大的反應(yīng)腔，其產(chǎn)能相當(dāng)于目前的其它反應(yīng)腔的兩倍多。反應(yīng)腔的容量增加，再加上腔內(nèi)波長均勻性以及生產(chǎn)力的提升，與之前的反應(yīng)腔相比，其產(chǎn)量提高了
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在高頻降壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）

我們會探討在高頻降壓轉(zhuǎn)換器使用最優(yōu)版圖并在1MHz頻率開關(guān)時可實(shí)現(xiàn)高于96%效率。降壓轉(zhuǎn)換器縱然具備最優(yōu)電...
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如何使用氮化鎵:氮化鎵場效應(yīng)晶體管的驅(qū)動器和版圖的考慮因素

我們在之前的文章討論了氮化鎵場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢，以及它具備可實(shí)現(xiàn)更高效率和更快開關(guān)速度的潛力，為硅MOSFET...
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納米級壓電LED陣列推動機(jī)器人觸感皮膚技術(shù)發(fā)展

電子簽名、指紋掃描、以及機(jī)器人觸感皮膚之間有什么共同點(diǎn)？得益于一套能將氧化鋅納米線陣列轉(zhuǎn)化成微型L...
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美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓可制造軍用設(shè)備

　　據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報道，美國射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實(shí)現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉(zhuǎn)變，以降低成本滿足不斷增長的氮化鎵器件市場需求。　　RFMD公司總裁兼首席執(zhí)行官鮑勃稱：“我們很高興在RFMD公司的現(xiàn)有高產(chǎn)量6寸砷化鎵生產(chǎn)線上推出業(yè)界首款6寸碳化硅基氮化鎵射頻技術(shù)。氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”策略
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如何使用氮化鎵器件：引進(jìn)氮化鎵晶體管技術(shù)

如何使用氮化鎵器件：引進(jìn)氮化鎵晶體管技術(shù),本文是專為功率系統(tǒng)設(shè)計工程師及工程經(jīng)理而設(shè)的連載文章的第一章。我們在未來數(shù)個月將介紹應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù)，并討論其基本設(shè)計及輔以應(yīng)用范例。硅器件已稱王多時
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TriQuint發(fā)布了新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器

技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，日前發(fā)布了新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器，為快速增長的有線電視基礎(chǔ)構(gòu)架提供了優(yōu)異的性能。
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從直流到18 GHz氮化鎵產(chǎn)品選擇

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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高頻氮化鎵(eGaN)助力無線充電技術(shù)發(fā)展

　　增強(qiáng)型氮化鎵電源管理器件的供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司(Efficient Power Conversion)日前宣布，WiTricity?公司開發(fā)出采用高頻氮化鎵(eGaN?)的無線電源展示系統(tǒng)。　　WiTricity?公司的無線電源展示系統(tǒng)內(nèi)含宜普公司的具高頻開關(guān)性能的氮化鎵晶體管，該氮化鎵晶體管所具備的性能可以在高頻、高壓及高功率情況下有效率地工作。　　WiTricity?的創(chuàng)始人發(fā)明了具非常高的共振頻率的無線電源傳送。WiTricity&trade
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氮化鎵基高亮度LED核心專利分析

目前，世界范圍內(nèi)在GaN基高亮度LED及半導(dǎo)體全固態(tài)照明光源的研發(fā)方面居于領(lǐng)先水平的公司主要有：美國的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他綜合性大公司(如NEC、Matsushita、
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“主流GaN”的發(fā)展和未來

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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IR率先推出氮化鎵集成功率級器件iP2010和iP2011

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。　　iP2010和iP2011集成了非常先進(jìn)的超快速PowIRtune驅(qū)動器IC，并匹配一個多開關(guān)單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個倒裝芯片封裝平臺上，可帶來比最先進(jìn)的硅集成功率級器件
關(guān)鍵字： IR 功率器件氮化鎵 DC-DC