?氮化鎵文章最新資訊

氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專(zhuān)利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇

松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強(qiáng)型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對(duì)于其柵極驅(qū)動(dòng)IC，如上期所介紹的，英飛凌對(duì)其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專(zhuān)利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請(qǐng)了不少專(zhuān)利，其中就包括采用RC電路的負(fù)壓關(guān)斷方案。松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強(qiáng)型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對(duì)于其柵極驅(qū)動(dòng)IC，如上期所介紹的，英飛凌對(duì)其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專(zhuān)利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請(qǐng)了不
關(guān)鍵字：氮化鎵松下

Transphorm拓展中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù),擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室

Transphorm拓展中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù),擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室大中華區(qū)新增辦事處提升服務(wù)亞太區(qū)域電力電子客戶(hù)的能力加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. 宣布在中國(guó)深圳開(kāi)設(shè)新的辦事處。作為一家外商獨(dú)資企業(yè)(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負(fù)責(zé)加強(qiáng)當(dāng)?shù)乜蛻?hù)支持、銷(xiāo)售和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)工作，另外，該辦事處將作為當(dāng)?shù)刂С挚蛻?hù)開(kāi)發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，并同時(shí)支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm
關(guān)鍵字： Transphorm 氮化鎵

Transphorm拓展中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù), 擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室

加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中國(guó)深圳開(kāi)設(shè)新的辦事處。作為一家外商獨(dú)資企業(yè)(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負(fù)責(zé)加強(qiáng)當(dāng)?shù)乜蛻?hù)支持、銷(xiāo)售和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)工作，另外，該辦事處將作為當(dāng)?shù)刂С挚蛻?hù)開(kāi)發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，并同時(shí)支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm現(xiàn)任亞洲銷(xiāo)售副總裁Kenny Yim管理，他同時(shí)也擔(dān)任中國(guó)區(qū)總經(jīng)理一職。Trans
關(guān)鍵字： Transphorm 氮化鎵

好馬配好鞍——鎵未來(lái)氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器比翼雙飛，助力氮化鎵先進(jìn)應(yīng)用

未來(lái)已來(lái)，氮化鎵的社會(huì)經(jīng)濟(jì)價(jià)值加速到來(lái)。本文介紹了鎵未來(lái)和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。鎵未來(lái)提供的緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器配合，隔離驅(qū)動(dòng)器保證了異常工作情況下對(duì)氮化鎵器件的有效保護(hù)，完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進(jìn)應(yīng)用中高效率低損耗的核心價(jià)值，讓工程師放心無(wú)憂(yōu)采用氮化鎵。普通消費(fèi)者了解并接受氮化鎵，是從2018年氮化鎵PD快充開(kāi)始的。憑借氮化鎵卓越的開(kāi)關(guān)特性，可以高頻工作，實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率，氮化鎵PD快充成功實(shí)現(xiàn)了小型化和輕量化，消費(fèi)者易于攜帶，用戶(hù)體驗(yàn)大幅度提升。在過(guò)去
關(guān)鍵字：氮化鎵納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器

PI相約德國(guó)慕尼黑電子展推出新款可編程小型電源IC

德國(guó)時(shí)間2022年11月15日，Power Integrations亮相德國(guó)慕尼黑電子展，并推出了新款可編程、小巧及高效的零電壓開(kāi)關(guān)電源IC——InnoSwitch4-Pro產(chǎn)品系列。了解PI產(chǎn)品的讀者肯定會(huì)記得，在上一代系列產(chǎn)品InnoSwitch3-Pro中，輸出功率為65W，適用于包括USB功率傳輸(PD)3.0 + PPS、Quick Charge? 4/4+、AFC、VOOC、SCP、FCP，以及其他工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電池充電器、可調(diào)光LED鎮(zhèn)流器驅(qū)
關(guān)鍵字：德國(guó)慕尼黑電子展開(kāi)關(guān)電源IC 氮化鎵 InnoSwitch4-Pro

SEMICON China | 探討熱點(diǎn)與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿(mǎn)舉辦

11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國(guó)際論壇2022”在上海國(guó)際會(huì)議中心成功舉辦。共有19位來(lái)自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場(chǎng)做報(bào)告分享。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括：開(kāi)幕演講，化合物半導(dǎo)體與光電及通訊，寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國(guó)區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導(dǎo)體國(guó)際論壇從2016年開(kāi)始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴(yán)格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺(tái)上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎么能
關(guān)鍵字：碳化硅氮化鎵 InP

EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件，讓高功率密度應(yīng)用實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉(zhuǎn)換、AC/DC SMPS和充電器、太陽(yáng)能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。?EPC 是增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)功率FET和 IC 領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者，新推采用更耐熱的QFN封裝且可立即發(fā)貨的150 V EPC2308氮化鎵器件，用于電動(dòng)工具和機(jī)器人的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、用于工業(yè)應(yīng)用的80 V/100 V高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器、用于充電器、適配器和電源供
關(guān)鍵字： EPC 氮化鎵高功率密度

能華推出高可靠性65W氮化鎵筆電適配器方案

　　前言　　最近充電頭網(wǎng)拿到了一款基于能華CE65H160TOAI氮化鎵功率器件的65W筆電適配器方案樣品，該方案是為配合工信部國(guó)產(chǎn)替代政策而設(shè)計(jì)。　　該方案采用奶白色的外殼，方形，給人簡(jiǎn)約時(shí)尚感覺(jué)；其內(nèi)部采用卡扣散熱設(shè)計(jì)方案，裝配緊湊牢固、安裝方式簡(jiǎn)單，免除其它散熱方案所需要的生產(chǎn)夾具，降低生產(chǎn)成本，利于規(guī)模化的生產(chǎn)制造；再加上能華的低熱阻封裝TO-220的CoreGaN產(chǎn)品，使得系統(tǒng)的熱可靠性大為提高，已經(jīng)通過(guò)了環(huán)溫40°下的嚴(yán)苛可靠性測(cè)試。下面就隨小編來(lái)詳細(xì)了解該方案。　　能華65W快充外觀(guān)　　能華
關(guān)鍵字：拆解筆電充電器氮化鎵

友尚新推采用安森美NCP1345搭配氮化鎵系統(tǒng)的65瓦PD電源方案_大幅精簡(jiǎn)線(xiàn)路與提高功率密度

NCP1345是次世代高度集成的準(zhǔn)共振Flyback, 適用于設(shè)計(jì)高性能電源轉(zhuǎn)換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉(zhuǎn)換器, 包括雙 VCC 架構(gòu), 允許直接連接到輔助繞組, 以進(jìn)行簡(jiǎn)化 VCC 管理零件計(jì)數(shù)減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側(cè)的輸出限制電路，以確保恒定輸出電流限制,無(wú)論設(shè)計(jì)輸出電壓或輸出功率如何。準(zhǔn)共振 (QR）專(zhuān)有波谷鎖定電路，以確保穩(wěn)定的波谷切換,當(dāng)下降到第6
關(guān)鍵字： onsemi 電源轉(zhuǎn)換 NCP1345 氮化鎵

世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器
關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi

除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域？

硅材料制作的功率器件，也被稱(chēng)為第一代半導(dǎo)體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導(dǎo)體，第二代半導(dǎo)體在高頻性能上優(yōu)于硅器件，通常用于射頻應(yīng)用。氮化鎵（GaN）或碳化硅（SiC）器件也被成為第三代半導(dǎo)體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場(chǎng)強(qiáng)約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更低的導(dǎo)通壓降，轉(zhuǎn)換效率高，也更適應(yīng)高溫工作環(huán)境。與硅材料和SiC相比，GaN材料電子飽和漂移速率更高，適合高頻率應(yīng)用場(chǎng)景，因而在電力電子應(yīng)用中，GaN器件可以在MHz以上頻率工作，大大減小了對(duì)外圍電路中電
關(guān)鍵字：貿(mào)澤電子快充技術(shù) 氮化鎵

第三代半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)，硅的時(shí)代要結(jié)束了嗎

半導(dǎo)體寒氣襲人知誰(shuí)暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導(dǎo)體部門(mén)負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun就預(yù)計(jì)芯片銷(xiāo)售大幅下滑態(tài)勢(shì)將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長(zhǎng)率由原先預(yù)估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴(kuò)大至衰退6%；費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù) (SOX)近6個(gè)月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時(shí)，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料卻在迎來(lái)市場(chǎng)倍增與產(chǎn)能擴(kuò)張。安森美二季度財(cái)報(bào)發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營(yíng)收預(yù)期上調(diào)為“同比增長(zhǎng)3倍”，而
關(guān)鍵字：碳化硅氮化鎵

hofer powertrain和VisIC Technologies宣布新一代氮化鎵電力電子元件

hofer powertrain為新一代電動(dòng)汽車(chē)傳動(dòng)系統(tǒng)奠定基礎(chǔ)。德國(guó)動(dòng)力系統(tǒng)專(zhuān)家hofer powertrain選擇前瞻性芯片技術(shù)，通過(guò)汽車(chē)領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者VisIC Technologies公司提供最新氮化鎵芯片技術(shù)D3GaN（直驅(qū)D型）實(shí)現(xiàn)新的多級(jí)電力電子元件。新解決方案在效率和功率密度方面超過(guò)硅基技術(shù)的性能，最近的測(cè)試證明了它的成功。氮化鎵半導(dǎo)體是提高效率、增加電動(dòng)汽車(chē)行駛里程和壽命的關(guān)鍵。hofer powertrain和VisIC Technologies的目標(biāo)是開(kāi)發(fā)基于氮化鎵的
關(guān)鍵字： hofer powertrain VisIC Technologies 氮化鎵電力電子

飛宏新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)宣布，全球電源產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(chē)充電站供應(yīng)商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術(shù)，這是一種氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(FET)平臺(tái)，具有以下優(yōu)點(diǎn)：系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，元件數(shù)量少，性能更高，可靠性一流。飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個(gè)US
關(guān)鍵字：飛宏 USB PD 適配器 Transphorm 氮化鎵

功率半導(dǎo)體組件的主流爭(zhēng)霸戰(zhàn)

功率半導(dǎo)體組件與電源、電力控制應(yīng)用有關(guān)，特點(diǎn)是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來(lái)，功率半導(dǎo)體以硅（Si）為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計(jì)架構(gòu)成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類(lèi)半導(dǎo)體材料出現(xiàn)，讓功率半導(dǎo)體組件的應(yīng)用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點(diǎn)高功率組件應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)林若蓁博士（現(xiàn)職為臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)研究院研究一所副所長(zhǎng)）指出，功率半導(dǎo)體組件是電源及電力控制應(yīng)用的核心，具有降低導(dǎo)通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管）與IGBT（絕緣
關(guān)鍵字：硅碳化硅氮化鎵功率半導(dǎo)體