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第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）或引發(fā)充電革命？
- 半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年，隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導(dǎo)體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩。除了進一步發(fā)展在摩爾定律下的制造工藝外，尋找硅（Si）以外新一代的半導(dǎo)體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，氮化鎵（GaN）近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。GaN是一種新型的半導(dǎo)體材料，中文名為氮化鎵，英文名稱是 Gallium nitride。它是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（Direct Bandgap）的半導(dǎo)體，也是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料。與碳化硅（
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氮化鎵“爆紅”，康佳全面布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
- 提起康佳這個品牌,相信很多人第一印象都會想到電視機。不過近些年由于市場競爭的家居,康佳電視的風(fēng)光程度也大不如從前。不過康佳也早有未雨綢繆,從家電行業(yè)轉(zhuǎn)進半導(dǎo)體芯片市場的不止格力電器一家,康佳公司這兩年也開始布局芯片市場。并且成果漸顯,首款存儲芯片實現(xiàn)量產(chǎn)引發(fā)多方關(guān)注。康佳入場芯片領(lǐng)域康佳集團于1992年上市,曾是中國彩電和手機行業(yè)的龍頭公司,擁有消費多媒體、移動通信、信息網(wǎng)絡(luò)和相關(guān)配套器件等產(chǎn)業(yè)板塊。2018年5月,康佳宣布由家電企業(yè)轉(zhuǎn)型為以科技創(chuàng)新驅(qū)動的投資平臺,同時成立了半導(dǎo)體科技事業(yè)部,正式進軍芯片
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Power Integrations發(fā)布基于氮化鎵的InnoSwitch3 AC-DC變換器IC
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2019年7月25日訊– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC的新成員。新IC可在整個負(fù)載范圍內(nèi)提供95%的高效率，并且在密閉適配器內(nèi)不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內(nèi)部開發(fā)的高壓氮化鎵開關(guān)技術(shù)。準(zhǔn)諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro I
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英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)
- 英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN? 600 V增強型HEMT和氮化鎵開關(guān)管專用驅(qū)動IC(GaN EiceDRIVER? IC)，精彩亮相2018年德國慕尼黑電子展。英飛凌展示了其產(chǎn)品的優(yōu)越性：它們具備更高功率密度，可實現(xiàn)更加小巧、輕便的設(shè)計，從而降低系統(tǒng)總成本和運行成本，以及減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅(qū)動IC的推出，目前，英飛凌是市場上唯一一家提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列
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氮化鎵（GaN）技術(shù)推動電源管理不斷革新
- Ahmad Bahai，德州儀器(TI)公司首席技術(shù)官 我們可以想象一下：當(dāng)你駕駛著電動汽車行駛在馬路上，電動車充電設(shè)備的充電效率可以達到你目前所用充電效率的兩倍;僅有一半大小的電機驅(qū)動比目前應(yīng)用的效率更高;筆記本電腦電源適配器小到可以放進口袋。 電子設(shè)備的未來取決于電源管理創(chuàng)新。 或者設(shè)想一下：每個簡單的互聯(lián)網(wǎng)搜索查詢使用的電力足以灼燒一個60瓦燈泡約17秒。現(xiàn)在乘上每天發(fā)生的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時的能耗。 更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(G
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英飛凌：功率半導(dǎo)體技術(shù)進步為電路創(chuàng)新提供契機
- 近年來，由于節(jié)能環(huán)保的概念日益深化，在資源有限的現(xiàn)實環(huán)境下，各國政府以及相關(guān)機構(gòu)也相應(yīng)制定出法律法規(guī)，積極發(fā)展綠色能源。像太陽能、電動車，以及充電站等配套設(shè)備，需要依靠高效率的電源轉(zhuǎn)換器，才能使設(shè)備發(fā)揮出最佳性能。
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氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動主流射頻應(yīng)用實現(xiàn)規(guī)模化、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對能力
- 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。 與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴展至高頻率。同時，綜合測試數(shù)據(jù)已證實，硅基氮化鎵符合嚴(yán)格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)。 硅基氮化鎵成為射頻半導(dǎo)體
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