氮化鎵（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯二極管實現第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導致效率損失。為實現雙向可控傳導，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯兩個器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統復雜度。由于有效的州電阻（RDSON）加倍，因此需要這些設備的平行組，以使返回到使用單向開關獲得的值。可以執行此類四季度操作的單片設備可以通過用單個設備替換四個活
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英飛凌 氮化鎵 雙向開關
航嘉深耕電源領域30余年，始終以技術創新與安全標準引領行業發展。此前航嘉推出的充吧產品持續迭代，如充吧高能 W68，以 68W 雙 C 口快充、七合一接口布局（2C2A+3AC）和 AI 智能分流技術，成為桌面充電領域的經典。該產品采用第三代氮化鎵技術，體積縮減 40% 的同時實現 68W 高效輸出，搭配雙 C 口盲插功能與 10 重電路防護，完美適配筆記本、手機、平板等多設備快充需求。如今，面對用戶對更便攜的高功率用電的需求，航嘉推出全新充吧靈動 H67，以 67W GaN 快充與七口聚合設計（3AC+
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航嘉 氮化鎵
●? ?雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯合開發協議，致力于為AI數據中心、可再生能源發電與存儲、汽車等領域打造面向未來的功率電子技術●? ?英諾賽科可借助意法半導體在歐洲的制造產能，意法半導體可借助英諾賽科在中國的制造產能服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍企業英諾賽科，共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發與制造協議。雙方將充分發揮各自優
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近日，九峰山實驗室發布國內首個100 nm硅基氮化鎵商用工藝設計套（PDK），性能指標達到國內領先、國際一流水平。作為全球第二個、國內首個商用方案，其技術指標可支撐高通量Ku/Ka頻段低軌衛星通信，能夠滿足下一代移動通信、商用衛星通信與航天領域、車聯網及工業物聯網、手機終端等多領域對高頻、高功率、高效率氮化鎵器件的需求，推動我國相關領域器件從“進口替代”邁向“技術輸出”。PDK（Process Design Kit，工藝設計套件）是半導體制造中不可或缺的工具包。它為芯片設計者提供工藝參數、器件模型、設計規
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本期充電頭網繼續為大家帶來航嘉靈動F40 Pro 40W氮化鎵快速充電器的拆解，這款產品基于此前經典G35 Pro款進行設計，除新增可折疊插腳設計外，外觀以及大小等基本沒有變化，不過功率提升至40W，并且還支持20W+20W輸出，可以滿足兩部iPhone 16新機快充需求。下面一起來看看產品內部有何不同。此前充電頭網還拆解過航嘉20W安全快充充電器、航嘉迷你30W安全快充、航嘉100W氮化鎵雙認證安全快充、航嘉65W 1A1C氮化鎵快充充電器等產品，歡迎查閱。航嘉靈動F40 Pro安全快充開箱包裝盒正面印
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氮化鎵 快速充電器 拆解
據英諾賽科官微消息，12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）在香港聯合交易所主板掛牌上市。據了解，英諾賽科是一家專注于第三代半導體氮化鎵研發與制造的高新技術企業，擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應用于消費與家電、數據中心、汽車電子、新能源與工業等領域。據悉，英諾賽科此番戰略配售，吸引了包括意法半導體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創聯以及蘇州高端裝備在內的4名基石投資者，合共認
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英諾賽科 氮化鎵
12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當地時間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發和量產事宜建立戰略合作伙伴關系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V?氮化鎵 HEMT（注：高電子遷移率晶體管）工藝推出了 EcoGaN 系列新產品。羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發技術與臺積電業界先進的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術優勢結合起來，滿足市場對高耐壓和高頻特性優異的功率器件日益增長的需求。臺積電在新聞稿中提到，
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12月4日，據GlobalFoundries（格芯）官網消息，其又從美國政府獲得了950萬美元（折合人民幣約6900萬元）的聯邦資助，用于推進其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導體的生產。據介紹，這筆資金由美國國防部可信接入項目辦公室（TAPO）提供，是美國聯邦政府為支持格芯在佛蒙特州的氮化鎵項目而投入的最新資金。獲得這筆資金后，格芯將繼續為其氮化鎵IP產品組合和可靠性測試增加新的工具、設備和原型開發能力，其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。據悉，自2020年以來，包括
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今年十月份，日本功率器件大廠羅姆半導體（ROHM）公開表示，將在氮化鎵功率半導體領域加強與臺積電合作，公司旗下的氮化鎵（GaN）產品將全面委托臺積電代工生產。值得注意的是，羅姆之前主要利用內部工廠來生產相關器件，但是近年來已經開始將部分產品委托臺積電代工，只不過羅姆此前并未對外公布。而此次，羅姆將全面委托臺積電代工生產有望運用于廣泛用途的 650V 耐壓產品，借由活用外部資源，應對急增的需求，擴大業務規模。有分析認為，羅姆全面委托臺積電代工氮化鎵產品，旨在降低成本。畢竟，氮化鎵材料雖然性能優越，但成本一直
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英飛凌科技股份公司近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數據中心、電信整流器等消費和工業開關電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機驅動器。最新一代CoolGaN?晶體管可直接替代CoolGaN? 600 V G1晶體管，實現了現有平臺的快速重新設計。新器件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的開關性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產
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1932年，研究人員在George Herbert Jones實驗室，將金屬鎵和氨在900℃至1000℃的高溫下進行反應，成功合成了GaN材料。近一個世紀的時間里，氮化鎵逐漸引領著功率變換領域的新一輪變革。特別是Power Integrations公司近日推出的業界首款1700V氮化鎵開關IC——InnoMux?-2系列產品，不僅刷新了氮化鎵技術的耐壓紀錄，更是以其卓越的性能和廣泛的應用前景，成為了電源管理領域的遙遙領先者。 氮化鎵逐漸成為王者 最佳開關電源技術覆蓋從十瓦至一兆瓦的廣泛
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深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日推出InnoMux?-2系列單級、獨立調整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術制造而成，是業界首款1700V氮化鎵開關IC。1700V額定耐壓進一步提升了氮化鎵功率器件的先進水平，此前的業界首創產品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激設計中輕松支持1000VDC額定輸入電壓，并在需要一個、兩個或三
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自德州儀器官網獲悉，日前，德州儀器公司（TI）宣布已開始在日本會津工廠生產基于氮化鎵(GaN)的功率半導體。隨著會津工廠的投產，結合其在德克薩斯州達拉斯的現有GaN制造能力，德州儀器的內部GaN基功率半導體制造能力將翻四倍。德州儀器技術與制造高級副總裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片設計和制造方面擁有十多年的豐富經驗后，TI成功地將200mm GaN技術（這是目前制造GaN的最具可擴展性和成本競爭力的方法）應用于會津工廠的量產。這一里程碑使德州儀器能夠在內部制造更多的Ga
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新聞亮點：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個工廠的GaN半導體自有制造產能提升至原來的四倍。●? ?德州儀器基于GaN的半導體現已投產上市。●? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產品。●? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應用GaN制造工藝的試點項目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠投產，
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2023 年全球可再生能源發電量首次超過全球總發電量的 30%創歷史新高，這則消息的背后是技術的不斷創新與突破。一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對于光伏而言，只能根據光照進行發電，而無法根據需求而定。不過，隨著儲能技術的推進，微型逆變器和串式逆變器正朝向雙向操作技術方向演進，且隨時可以按需智能地融入電網。一個重要且可預見的趨勢是氮化鎵可作為下一代家庭太陽能生產的重要組成部分，提供更高的功率密度，更小的外部無源元件、從而降低系統成本，增加系統效率，提供智能電網的彈性。作為氮化鎵供應商的先驅
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