?氮化鎵 文章 最新資訊
臺積電將逐步淘汰其氮化鎵業(yè)務
- 臺積電昨日在一份聲明中表示，將在未來兩年內逐步淘汰其化合物半導體氮化鎵 （GaN） 業(yè)務，并援引市場動態(tài)。這家全球最大的合同芯片制造商表示，這一決定不會影響其之前宣布的財務目標。“我們正在與客戶密切合作，以確保平穩(wěn)過渡，并在此期間繼續(xù)致力于滿足他們的需求，”它說。“我們的重點仍然是為我們的合作伙伴和市場提供持續(xù)的價值。”臺積電的最新舉措出乎意料，因為這家芯片制造商在其年度報告中表示，它已經開發(fā)了第二代 650 伏和 100 伏 GaN 芯片，預計將于今年開始生產，同時它正在開發(fā) 8 英寸 650 伏增強型
- 關鍵字： 臺積電 氮化鎵 Powerchip
英飛凌推出用于高壓應用的EasyPACK? CoolGaN?功率模塊，進一步擴大其氮化鎵功率產品組合
- 隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動汽車的日益普及，以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢的持續(xù)，預計全球對電力的需求將會快速增長。為應對這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司近日推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，進一步擴大其持續(xù)壯大的氮化鎵（GaN）功率產品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺，專為數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)、直流電動汽車充電樁等大功率應用開發(fā)。它能滿足日益增長的高性能需求，提供更大的易用性，幫助客戶加快設計進程，縮短產品上市時間。英飛凌EasyPACK?英飛凌科技
- 關鍵字： 英飛凌 EasyPACK CoolGaN 功率模塊 氮化鎵
功率器件新突破！氮化鎵實現(xiàn)單片集成雙向開關
- 氮化鎵（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實現(xiàn)第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導致效率損失。為實現(xiàn)雙向可控傳導，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯(lián)兩個器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復雜度。由于有效的州電阻（RDSON）加倍，因此需要這些設備的平行組，以使返回到使用單向開關獲得的值。可以執(zhí)行此類四季度操作的單片設備可以通過用單個設備替換四個活
- 關鍵字： 英飛凌 氮化鎵 雙向開關
意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議
- ●? ?雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領域打造面向未來的功率電子技術●? ?英諾賽科可借助意法半導體在歐洲的制造產能，意法半導體可借助英諾賽科在中國的制造產能服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍企業(yè)英諾賽科，共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)
- 關鍵字： 意法半導體 英諾賽科 氮化鎵
九峰山實驗室推出全國首個100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺
- 近日，九峰山實驗室發(fā)布國內首個100 nm硅基氮化鎵商用工藝設計套（PDK），性能指標達到國內領先、國際一流水平。作為全球第二個、國內首個商用方案，其技術指標可支撐高通量Ku/Ka頻段低軌衛(wèi)星通信，能夠滿足下一代移動通信、商用衛(wèi)星通信與航天領域、車聯(lián)網(wǎng)及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機終端等多領域對高頻、高功率、高效率氮化鎵器件的需求，推動我國相關領域器件從“進口替代”邁向“技術輸出”。PDK（Process Design Kit，工藝設計套件）是半導體制造中不可或缺的工具包。它為芯片設計者提供工藝參數(shù)、器件模型、設計規(guī)
- 關鍵字： 九峰山實驗室 100nm 氮化鎵 PDK平臺
氮化鎵芯片制造商英諾賽科成功上市
- 據(jù)英諾賽科官微消息，12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。據(jù)了解，英諾賽科是一家專注于第三代半導體氮化鎵研發(fā)與制造的高新技術企業(yè)，擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應用于消費與家電、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、新能源與工業(yè)等領域。據(jù)悉，英諾賽科此番戰(zhàn)略配售，吸引了包括意法半導體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創(chuàng)聯(lián)以及蘇州高端裝備在內的4名基石投資者，合共認
- 關鍵字： 英諾賽科 氮化鎵
羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關系
- 12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當?shù)貢r間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發(fā)和量產事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V?氮化鎵 HEMT（注：高電子遷移率晶體管）工藝推出了 EcoGaN 系列新產品。羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術與臺積電業(yè)界先進的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術優(yōu)勢結合起來，滿足市場對高耐壓和高頻特性優(yōu)異的功率器件日益增長的需求。臺積電在新聞稿中提到，
- 關鍵字： 羅姆 臺積電 氮化鎵 功率器件
發(fā)力氮化鎵，格芯獲巨額補貼
- 12月4日，據(jù)GlobalFoundries（格芯）官網(wǎng)消息，其又從美國政府獲得了950萬美元（折合人民幣約6900萬元）的聯(lián)邦資助，用于推進其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導體的生產。據(jù)介紹，這筆資金由美國國防部可信接入項目辦公室（TAPO）提供，是美國聯(lián)邦政府為支持格芯在佛蒙特州的氮化鎵項目而投入的最新資金。獲得這筆資金后，格芯將繼續(xù)為其氮化鎵IP產品組合和可靠性測試增加新的工具、設備和原型開發(fā)能力，其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。據(jù)悉，自2020年以來，包括
- 關鍵字： 氮化鎵 格芯
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