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使用溫度計算和Arrhenius方程了解電阻器和放大器的老化行為，以了解電阻器漂移、電阻器穩定性和運算放大器漂移。之前，我們討論了使用相對較短的測試時間來評估電子元件長期穩定性的高溫加速老化方法。在本文中，我們將繼續討論......
這次給大家講解一下可控硅觸發電路原理，常見的可控硅觸發電路。可控硅柵極觸發電路為了使使用可控硅（SCR）的電路正常運行，觸發電路應在準確的時間提供觸發信號，以確保在需要時開啟。一般來說，用于觸發可控硅2SCR的觸發電路必......
今天給大家講一下晶閘管（可控硅）怎么測好壞？在講晶閘管怎么測好壞之前，先給大家講一下晶閘管（可控硅）極性的判斷方法。晶閘管（可控硅）極性判斷的方法晶閘管（可控硅）極性的判斷方法--根據封裝形式（外觀）普通晶閘管（可控硅）......
今天給大家分享的是：過零檢測器、過零檢測電路。一、什么是過零檢測器（ZCD）？過零檢測器檢測輸入信號過零值或零電壓電平的次數。零檢測器基本上是一個比較器電路，將輸入的正弦信號或正弦波信號與零電壓電平進行比較。換句話說，我......
了解如何計算老化過程的活化能，以及關于Arrhenius方程在預測晶體老化過程時的有用性的一些相互矛盾的觀點。在之前的一篇文章中，我們討論了高溫加速老化方法是一種有效的技術，它使制造商能夠使用相對較短的測試時間來確定電子......
了解由于使用石英晶體的溫度和時間，以及應用外推方法、老化方程和Arrhenius方程，電子元件的老化和穩定性挑戰。即使有固定的輸入，電子電路也不是完全穩定的；經常隨時間和溫度漂移。這些與理想行為的偏差會給精確測量增加相當......
了解電子電路（即電阻器和放大器）中的溫度漂移。我們還將介紹閃爍噪聲的影響如何發揮作用，以及漂移如何限制信號平均的有效性。即使在固定的電氣條件下（電源電壓、輸入和負載），電子電路也不是完全穩定的，因為它們往往會隨著時間和溫......
JFET 與 MOSFET的區別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結上的電場引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場......
今天給大家講講結型場效應管極性判斷方法。用萬用表來判斷JFET極性相對來說比較簡單，因為只有一個PN結要測：要么在柵極和源極之間測量，要么在柵極和漏極之間測量。1、結型場效應管極性判斷方法--引腳識別JFET的柵極對應晶......
在這篇文章中，我們探討了在電感器的磁芯中引入氣隙的優點。設計磁性元件時，鐵芯飽和是一個主要問題。大多數應用都試圖避免這種情況。正如我們在前一篇文章中討論的那樣，通過減少電感器的匝數，可以將鐵芯的磁通密度限制在飽和水平以下......
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