三星電子率先量產(chǎn)40納米DDR3 DRAM

　　7月21日三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)40納米2Gb DDR3 Dram。這是該級別產(chǎn)品全世界首次進入量產(chǎn)。同時該產(chǎn)品比去年九月量產(chǎn)的50納米產(chǎn)品擁有更高的量產(chǎn)性。

　　據(jù)悉，繼2008年9月三星電子在業(yè)內首次量產(chǎn)50納米DDR3 Dram之后，該公司又于2009年1月首次開發(fā)出40納米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量產(chǎn)。三星電子通過不斷簡化生產(chǎn)工藝縮短生產(chǎn)時間，極大地提高了生產(chǎn)效率和成本競爭力。

　　三星電子表示，新一代量產(chǎn)的40納米產(chǎn)品擁有更高的科技水平和環(huán)保型解決方案從而將獲得比50納米產(chǎn)品更高的市場評價。同時為了進一步擴展DDR3內存的市場，三星電子今后將針對區(qū)域服務器(16G或8G內存)、小型服務器及個人臺式機(4G內存)、筆記本電腦(4G內存)等提供更高效的內存產(chǎn)品。

　　半導體市場調查機構I supply提供的數(shù)據(jù)表明DDR3產(chǎn)品將從目前占整體Dram市場的20%增長到2012年的82%。2G DDR3產(chǎn)品將從目前占整體DDR3市場的5%發(fā)展到2012年82%。而作為以生產(chǎn)Dram產(chǎn)品著稱的全球第二大半導體廠商，三星電子正是依靠在業(yè)內不斷率先開發(fā)新一代更高容量和性能的Dram產(chǎn)品，確保了其在內存市場的主導地位。