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        安森美半導體推出兩款靜電放電保護器件

        作者: 時間:2009-06-22 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          全球領先的高性能、高能效硅方案供應商半導體推出兩款采用最新的超小型0201雙硅片無引腳(Dual Silicon No-Lead ,DSN-2)封裝的靜電放電()保護器件。這DSN型封裝尺寸僅為 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm,令工作的硅片百分之百地利用封裝面積,與采用塑模封裝的產(chǎn)品相比,提供顯著的性能/電路板面積比優(yōu)勢。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/95515.htm

          半導體采用這新型封裝的首批產(chǎn)品是11N5.0ST5G和11B5.0ST5G,擴展了公司高性能片外ESD保護產(chǎn)品系列。半導體將ESD保護產(chǎn)品系列以業(yè)界最小的封裝面市,實力又進一步。這最新ESD產(chǎn)品系列非常適用于保護如手機、MP3播放器、個人數(shù)字助理(PDA)和數(shù)碼相機等極之講究電路板空間的便攜應用中的數(shù)據(jù)線路。

          是安森美半導體下一代的專有ESD保護技術,提供驕人的鉗位電壓。安森美半導體結合業(yè)界最低的鉗位電壓及最小的封裝,提供無與倫比的ESD保護選擇。這些產(chǎn)品減少的尺寸及雙向單線的設計提供極靈活及簡單的布線,適用于種種空間受限的應用。新的0201 DSN-2封裝尺寸僅為0.6 mm x 0.3 mm x 0.3mm,與常見的SOD-923(也稱0402)封裝相比,節(jié)省3倍的電路板空間。

          這0.6皮法(pF)器件,利用安森美半導體的專利集成ESD技術,提高鉗位性能,同時維持低電容。低電容值確保這器件幾乎不影響高速數(shù)據(jù)線路的信號完整性,使其非常適用于USB 2.0和高清多媒體接口(HDMI)等應用。此外,在達3千兆赫(GHz)頻率時維持低于0.5分貝(dB)的插入損耗,并在不同電壓和頻率范圍內維持極佳的電容線性度,故適合保護高頻天線線路,而影響極小。而這15 pF器件,將安森美半導體的低鉗位電壓ESD保護技術擴展至新的0201 DSN-2封裝,為需要以有限空間設計緊湊電路板的通用及低速數(shù)據(jù)線路提供保護選擇。

          兩款新的ESD產(chǎn)品都在數(shù)以納秒(ns)計的時間內,鉗位符合IEC61000-4-2接觸放電標準的8千伏(kV)輸入ESD波形至不到10伏(V)。這鉗位性能業(yè)界領先,連最敏感的集成電路也能保護到。

          安森美半導體保護及控制產(chǎn)品部總經(jīng)理兼總監(jiān)Gary Straker說:“由于客戶不斷需要在與日縮小的產(chǎn)品設計中提升ESD保護性能,安森美半導體遂推出采用節(jié)省空間的0201 DSN-2封裝的創(chuàng)新型保護器件。發(fā)揮安森美半導體的領先保護技術,推出突破性封裝設計,是公司貫徹開發(fā)針對業(yè)界與日講究保護需要的方案之又一明證。”



        關鍵詞: 安森美 ESD ESD11N ESD11B

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