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安森美半導體推出兩款靜電放電保護器件
全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體推出兩款采用最新的超小型0201雙硅片無引腳(Dual Silicon No-Lead ,DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護器件。這DSN型封裝尺寸僅為 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm,令工作的硅片百分之百地利用封裝面積,與采用塑模封裝的產品相比,提供顯著的性能/電路板面積比優勢。 安森美半導體采用這新型封裝的首批產品是ESD11N5.0ST5G和ESD11B5.0ST5G,擴展了公司高性能片外ESD保護產品系列。安森美
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安森美
ESD
ESD11N
ESD11B
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esd11b介紹
安森美半導體推出的采用最新的超小型0201雙硅片無引腳(Dual Silicon No-Lead ,DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護器件 ESD11B這15 pF器件,將安森美半導體的低鉗位電壓ESD保護技術擴展至新的0201 DSN-2封裝,為需要以有限空間設計緊湊電路板的通用及低速數據線路提供保護選擇。 [
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