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安森美半導(dǎo)體推出兩款靜電放電保護(hù)器件

　　全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出兩款采用最新的超小型0201雙硅片無引腳(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護(hù)器件。這DSN型封裝尺寸僅為 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，令工作的硅片百分之百地利用封裝面積，與采用塑模封裝的產(chǎn)品相比，提供顯著的性能/電路板面積比優(yōu)勢(shì)。　　安森美半導(dǎo)體采用這新型封裝的首批產(chǎn)品是ESD11N5.0ST5G和ESD11B5.0ST5G，擴(kuò)展了公司高性能片外ESD保護(hù)產(chǎn)品系列。安森美
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安森美半導(dǎo)體推出的一款采用最新的超小型0201雙硅片無引腳(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護(hù)器件 ESD11N這0.6皮法(pF)器件，利用安森美半導(dǎo)體的專利集成ESD技術(shù)，提高鉗位性能，同時(shí)維持低電容。低電容值確保這器件幾乎不影響高速數(shù)據(jù)線路的信號(hào)完整性，使其非常適用于USB 2.0和高清多媒體接口(HDMI)等應(yīng)用。此外，ESD1 [ 查看詳細(xì) ]

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