中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點

　　在中國中，電源|穩壓器管理IC仍舊占據市場首要位置，（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷售額雖然不大，但隨著其在工業控制、消費電子領域中應用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產品。

　　從應用領域上看，消費電子領域銷售額位列第一位，工業控制居于第二，計算機領域銷售額位于第三位。這三大領域銷售額占整體市場的68.9%，是功率器件的重要應用市場。同時，憑借筆記本電腦在2007年產量的快速增長，計算機領域對于功率器件的需求額增長率位于各領域之首。

　　MOSFET成為市場發展亮點

　　2007年，中國市場上對于電源管理IC的需求有所放緩。這主要是受到下游整機產量以及庫存調整的影響。隨著中國廠商不斷進入LDO（低壓差線性穩壓器）、DC-DC（直流-直流）等產品市場，低端電源管理IC產品價格出現一定程度的下滑。在市場需求量增速放緩以及產品價格下滑的雙重影響下，2007年中國電源管理IC市場銷售額增長14.8%，比2006年23.2%的增長率有較大幅度的下滑。但即使2007年中國電源管理IC市場增長有所放緩，中國電源管理IC市場的增長率依舊高于全球3.8%的水平。

　　在功率分立器件中，相較于大功率晶體管、達林頓管以及晶閘管的低增長率，MOSFET和IGBT依舊保持了較快的發展。其中MOSFET已經廣泛應用在主板、鎮流器、筆記本電腦、計算機類電源適配器、液晶電視等產品中，憑借著較快的市場增長率以及廣闊的市場發展空間，MOSFET成為中國分立功率器件市場發展亮點。

　　2007年，中國筆記本電腦產量增長率超過40%，液晶電視產量增長率也超過了70%，快速增長的整機產量帶動了中國MOSFET的市場需求，但由于整體整機產量增長趨于平穩，MOSFET市場需求量增長率較2006年有所下降。2007年中國MOSFET市場需求量達到171.2億個，市場需求額為220.5億元。

　　憑借在消費類電源適配器、鎮流器等產品中的龐大用量，消費電子領域對于MOSFET產品的需求量位列各領域之首，而MOSFET在計算機主板、筆記本電腦、計算機類適配器、液晶顯示器等產品中的廣泛使用，則使得計算機領域僅次于消費電子位于市場需求量的第二位。網絡通信、工業控制、汽車電子以及電力設備領域對于MOSFET的需求量位于第三至六位。主板應用中主要使用低壓大電流MOSFET產品，其產品單價比較高。相對于計算機產品應用，消費電子領域中低壓小電流產品所占比重比較大，其產品價格相對較低。受此影響，計算機領域MOSFET需求額超過消費電子領域位于第一位，消費電子領域位于其后，而工業控制領域需求額則位于第三位。

　　本土企業競爭力有待提升

　　在中國功率器件市場中，歐美廠商占有比較大的優勢地位，2007年排名前10位的功率器件生產企業中，歐美廠商占據9席。在前10位的廠商中，德州儀器|儀表和美國國家半導體主要專注于電源管理IC產品的生產，而威旭則在MOSFET細分產品市場中擁有較強的市場競爭力。

　　飛兆、意法、安森美等企業產品線涵蓋廣泛，產品包括功率分立器件、電源管理IC。目前來看，這些企業產品質量好，技術實力強，在功率器件市場中處于領先地位。

　　近年來，中國臺灣企業逐步導入電源管理IC和功率器件產品的生產，這些企業憑借著較低的產品價格在中低端市場得到了比較快速的發展。立钅奇、富鼎先進、茂達、安茂、致新、沛亨、崇貿是中國臺灣地區具有代表性的廠商。

　　在本土企業中，近年來出現了一批從事電源管理IC生產的企業，但這些企業多以設計企業為主，產品主要集中在LDO、DC-DC。對于MOSFET、IGBT等高端功率分立器件產品，現階段大陸地區還缺乏有實力的IDM（垂直集成型）企業。但隨著飛兆等功率器件生產企業把一部分MOSFET的代工生產放到大陸地區來做，大陸地區MOSFET代工服務取得了一定的發展。目前，無錫華潤上華、吉林麥吉柯、上海先進、華虹NEC都在進行MOSFET產品的代工服務。在這些企業中華虹NEC和先進半導體主要是用8英寸線進行MOSFET產能代工服務，華潤上華則采用6英寸線進行MOSFET的代工服務，吉林麥吉柯則采用5英寸線進行MOSFET產品代工服務。而未來幾年，吉林華微、天津中環也將進入MOSFET市場。

　　綜上所述，歐美日企業在中國功率器件市場上憑借著出色的產品質量處于領先地位，中國臺灣企業則憑借著良好的產品性價比在市場中得到了較快的發展，而中國大陸企業在中國功率器件市場上的競爭力還很弱，企業實力有待提升。

　　MOSFET產品邁向高端工藝

　　隨著消費電子、計算機等領域的快速發展，對功率器件產品的需求也呈現快速增長的趨勢，而產品的小型化也使得高可靠性、節能、高性能、小尺寸、符合RoHs指令成為功率器件未來的發展趨勢。封裝工藝的提升則是提高MOSFET性能以及穩定性的有效途徑。隨著市場上對更小巧輕薄、更快速、散熱更好及性能更可靠的便攜式應用MOSFET器件的需求的快速增加，全球主要MOSFET生產企業IR、安森美、英飛凌等都在不斷通過提升封裝工藝來改善器件散熱水平。

　　MOSFET技術可大致分成平面型和溝槽型兩大類。對于低壓MOSFET產品，溝槽MOSFET技術已被市場所接受，并成為市場的發展趨勢。在高壓MOSFET市場上，平面技術仍具有一定的發展潛力。未來，含有高端工藝的平面技術將是高壓MOSFET的發展趨勢之一。