由于市場對于音頻設備的緊湊、輕便、高集成度和節能的需求越來越高，領先的音頻設備制造商在不斷提高音質的同時，也在努力滿足這一需求。另外，他們還必須實現無縫連接、保證成本效益，并提供對用戶友好的功能，這使得音頻產品的開發變得更加復雜。為了解決這些難題，SounDigital在其全新1500 W D類放大器中集成了英飛凌科技股份公司的?CoolGaN?晶體管，支持800 kHz開關頻率和五個通道，借助英飛凌先進的氮化鎵（GaN）技術，將其能效提升了?5%，能量損耗降低了?60%。采
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作為寬禁帶半導體，氮化鎵（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現代功率電子領域的新寵。然而，GaN器件的高速開關行為也對PCB布局設計提出了巨大挑戰。因此想要充分發揮GaN的潛力，我們必須理解和管理PCB布局產生的寄生阻抗，確保電路正常、可靠地運行，并且不會引起不必要的電磁干擾（EMI）。《優化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局》應用指南 ，主要討論了在使用高壓氮化鎵（GaN）功率晶體管時，如何通過優化PCB布局來提升整體電氣性能和熱性能。以下是文件的核心內容提煉：1引言高
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Si MOSFET 正常工作的驅動電路。關于制造商的應用說明和電路圖的一般性說明：除少數例外，這些都不適合任何系列生產。基本上，驅動電路必須對柵極輸入電容進行充電和放電，但這不是恒定的。當晶體管從 OFF 切換到 ON 或從 ON 切換到 OFF 時，晶體管將跨越其線性區域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨導非常高，漏極和柵極之間的電容將成倍增加。因此，驅動器在跨越線性區域時將承受嚴重負載，這會導致柵極電壓保持在穩定狀態。因此，除非驅動器可以提供幾安培的電流，否則開關速度將大大減慢。如此強大的輸出級
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全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出全新CoolGaN?晶體管700 V G4產品系列。與市場上的其他氮化鎵（GaN）產品相比，該系列晶體管的輸入和輸出性能優化了20%，從而提高效率，降低功率損耗，并提供了更具成本效益的解決方案。憑借電氣特性與封裝的優勢結合，它們能夠在消費類充電器和筆記本適配器、數據中心電源、可再生能源逆變器、電池存儲等眾多應用中發揮出色的性能。該產品系列包含13款器件，額定電壓為700 V、導通電阻范圍在20 mΩ至315 mΩ之間。由于器件規格粒度增多，再
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我是小七，干貨滿滿。大家不要錯過，建議收藏，錯過就不一定找得到了，內容僅供參考，圖片記得放大，觀看。如果有什么錯誤或者不對，請各位大佬多多指教。今天給大家分享的是：TIP147一、TIP147是什么管？TIP147 是采用單片達林頓配置的硅外延基 PNP 功率晶體管，專為通用放大器和低頻開關應用而設計，適用于電源線性和開關應用。TIP147實物圖二、TIP147 引腳圖TIP147 引腳圖TIP147 引腳功能圖三、TIP147 CAD 模型1、TIP147電路符號TIP147 符號2、TIP1
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MACOM?Technology?Solutions?Inc.(“MACOM”)今日宣布推出一款開發工具包，旨在幫助商業OEM快速、輕松地調整其產品設計，以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業加熱/烘干、醫療/制藥和汽車點火系統等各種應用之中。商業OEM將固態射頻能量作為高效、精確的能源，可使未來幾代產品實現全新的性能水平和承受能力。 MACOM的全新射頻能量工具包(測試版)現已推出，可幫助系統設計人員簡化和加快產品開發，使其能夠輕松微調射頻能量輸出水平，從而
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Maxim推出雙通道RF LDMOS偏置控制器MAX1385/MAX1386*/MAX11008。這些高度集成的器件采用7mm x 7mm封裝，是業內最小的、集成了蜂窩基站控制所需的所有模擬至數字(A/D)、數字至模擬(D/A)接口以及邏輯功能的LDMOS偏置
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宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出450 V并通常處于斷開狀態的增強型功率晶體管(EPC2027)，可用于需要高頻開關的應用，從而實現更高的效率及功率密度。受惠于采用高壓并具備更快速開關特性的器件的應用包括超高頻直流-直流轉換器、醫療診斷儀器、太陽能功率逆變器及發光二極管照明等應用。
EPC2027器件具備450 V額定電壓、400 m?最高導通電阻(RDS(on))及4 A輸出電流。器件使用含焊條的鈍化晶片，從而可以實現高效散熱及易于組裝。EPC2027器件的尺寸是1.95毫米 x 1.95毫
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宜普電源轉換公司宣布推出60 V增強型單片半橋式氮化鎵晶體管(EPC2101)。透過集成兩個eGaN®功率場效應晶體管而成為單個器件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得晶體管的占板面積減少50%。結果是增加效率(尤其是在更高頻率時)及提高功率密度并同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2101最理想的應用領域是高頻直流-直流轉換。
在EPC2101半橋式元件內，每一個器件的額定電壓是60 V。 上面的場效應晶體管的導通電阻(RDS(on))典型值是8.4 m?，
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意法半導體的13.6MHz RF功率晶體管STAC250V2-500E具有市場領先的穩定性和高功率密度 (power density) 。采用熱效率 (thermally efficient) 極高的微型封裝，可用于大輸出功率的E級工業電源。
STAC250V2-500E的負載失匹率 (load-mismatch) 為20:1，處于市場最高水平，最大安全功率高達600W。與采用傳統陶瓷封裝的解決方案相比，0.55x1.35吋STAC® 氣室封裝 (air-cavity package)
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宜普電源轉換公司可幫助參賽者于谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽通過采用氮化鎵(eGaN®)功率晶體管設計出超小型功率逆變器以勝出該挑戰賽。
宜普電源轉換公司宣布全力支持參加谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽的工程師創建更小體積的功率逆變器并贏取100萬美元獎金。由于氮化鎵場效應晶體管 (eGaN®FET)具有可處理高功率功能、超快開關速度及小尺寸等優勢，因此它是功率逆變器的理想晶體管。
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致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 擴大其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通管制機場監視雷達(ASR)應用，ASR用于監視和控制在機場大約100英里范圍的飛機。
在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500晶體管具有無與倫比的500
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隨著油電混合車和電動車技術的演進，逆變器驅動技術已經進入汽車領域，從空調機和加熱系統等低功率應用，一直到驅動和再生制動系統等高功率應用，所有這些系統的共通點是需要通過保護逆變器設計中的功率開關晶體管來
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隨著電子技術的不斷發展和新型元器件的問世，開關電源以其體積小、重量輕、效率高、對電網電壓適應范圍...
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功率晶體管 二次擊穿 防護
按IC Insight報道,在2009年下降16%之后, 全球功率晶體管銷售額在2010年有望增長31%,達到創記錄的109,6億美元。自從功率晶體管在2000年達到創記錄的增長32%后,此次的31%的增長也是相當亮麗。
IC Insight預測, 功率晶體管市場在2014年將達到145億美元, 而2009年為84億美元, 表示年均增長率CAGR達12%,并預計未來5年內出貨量的CAGR達到14%, 從2009年的371億個增加到713億個。
在電池操作的移動電子產品增長以及全球更強調電子
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功率晶體管介紹
耗散功率在 1瓦以上的晶體管。在電力電子器件中為一大類，包括雙極型功率晶體管、功率場效應晶體管、功率靜電感應晶體管、隔離柵晶體管、復合晶體管等。通常，功率晶體管是雙極型功率晶體管的簡稱。
制造功率晶體管用的半導體材料多為單晶硅（也有用鍺或砷化鎵的）。器件的心片通常裝在散熱良好的金屬塊上。功率晶體管往往做成功率集成器件，其一個器件的心片上就含有數十個乃至上萬個并聯的晶體管單元。
功率晶體 [
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