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        SDRAM接口的VHDL設(shè)計

        作者:清華大學(xué)電子工程系 沙燕萍 曾烈光 時間:2008-06-13 來源:電子技術(shù)應(yīng)用 收藏

          3.2 寫操作時序設(shè)計

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/84168.htm

          當(dāng)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移方向為從雙口RAM到時,如果寫操作行地址未發(fā)生變化,可以滿足每時鐘周期寫入一次數(shù)據(jù)的高速操作。但是當(dāng)SDRAM行地址發(fā)生變化時,必須返回預(yù)充狀態(tài),由于從SDRAM的寫命令輸入到SDRAM數(shù)據(jù)輸入之間沒有延時,所以判斷下一寫操作的行 地址是否發(fā)生變化無需提前判斷,因此寫操作狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖比讀操作部分簡單。寫操作部分的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖如圖3所示。

          在所設(shè)計的讀、寫操作時序中,SDRAM地址、數(shù)據(jù)、控制信號和RAM部分的地址、數(shù)據(jù)、讀寫控制信號均由有限狀態(tài)機(jī)產(chǎn)生,因此在狀態(tài)轉(zhuǎn)移過程中還必須仔細(xì)考慮RAM部分輸出控制信號的時序關(guān)系。

          4 實現(xiàn)

          硬件描述語言(Very=high Speed IC HARDWARE DESCRIPTION Language)是一種應(yīng)用于電路設(shè)計的高層次描述語言,具有行為級、寄存器傳輸級和門級等多層次描述,并且具有簡單、易讀、易修改和與工


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        關(guān)鍵詞: VHDL SDRAM 存儲器 微處理器

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