深入研究DDR電源(07-100)

　　總線信號以VTT電壓為中心上下擺動。當總線信號電壓超過比較器的閥值電壓時，它將輸出一個如圖所示的反向電壓。在這個系統中，比較器的閥值電壓為電源所提供的VREF電壓。

　　由于在比較器中存在滯回現象，信號的圖片將有一個時間偏移，如圖所示。

　　因此，在VIHmin 和VIlmax之間，仍保持著先前的VTT狀態。

　　VTT和VREF的電壓跟蹤

　　為了保持信號的目標特性，VTT和VREF必須跟蹤VDDQ。它們必須控制在1/2 VDDQ的范圍內。

　　當VTT和VREF的跟蹤失效時，由于‘High ’和‘ Low ’的周期不同， 信號的目標特性將會惡化，從而引起定時漂移。

　　DDR1 SDRAM系統

　　在DDR1 SDRAM應用中，VTT被用來從電源IC中獲取電壓，以給數據總線和地址總線提供電源。

　　如圖7所示，地址指令和控制線要求系統級端口接到一個等于1/2存儲器電源電壓(VDDQ)的電壓(VTT)。在中點具有端電壓，電源保證轉換時間的對稱。

　　VTT被用來從電源IC中獲取電壓，以給數據總線和地址總線提供電源。對于DDR1 SDRAM應用中的地址總線控制信號和數據總線信號都有端接電阻。需要一個沒有任何的噪聲或者電壓變化的參考電壓(VREF)，用作DDR SDRAM輸入接收器，VREF也等于1/2 VDDQ。VREF的變化將會影響存儲器的設置和保持時間。

　　為了符合DDR的要求并保證最優的性能，VTT和VREF需要在電壓、溫度和噪聲容限上進行嚴密的控制以便跟蹤1/2 VDDQ。

　　DDR2 SDRAM系統

　　我們將會看到兩個特別的例子，說明對于一個典型的DDR2系統，DDR總線如何連接。在下面描述的第一個存儲器應用示例中。用于數據總線的VTT由VDDQ在存儲器內通過ODT來生成。然而，有必要從電源IC中提供VTT來給地址總線控制信號。

　　注意：對于DDR2存儲器，內置有數據總線的端接電阻，但是在DDR1存儲器的應用中，仍需要用于地址總線控制信號的端接電阻。

　　現在，讓我們來看一種特殊情況，其中DDR2存儲器的應用連接不需要VTT電源和端電阻，在這種情況下，當控制器和存儲器之間的地址總線控制信號的導線長度足夠短的情況(如小于63.5mm)；VTT的電源和端接電組是多余的。