深入研究DDR電源(07-100)
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作者：飛思卡爾公司 Norman KW Chan(營銷經理)和WS Wong(系統工程師)
時間：2008-04-18
來源：電子產品世界
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DDR3技術在2006年年底就已經投放使用，并補充了DDR2的不足(達到800Mbps的帶寬)，將速度提升到1.6 Gbps。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/81733.htm除了眾所周知的PC應用，DDR存儲器還廣泛用于高速并對存儲器提出高要求的應用中，如：圖形卡、刀片式服務器、網絡裝置和通信裝置等。
在市場細分中，對速度和更低工作電壓都有苛刻要求的一個領域是便攜式消費領域。舉例來說，我們已注意到越來越多的電子元器件都能提供圖形和動態圖片(視頻)能力，從而滿足了我們對于更多DRAM存儲器的高需求。像PSP(便攜式游戲機)游戲系統、智能電話、數碼相機或GPS(全球定位服務)裝置等產品都會采用某種DRAM，而且都將要求盡可能低的功耗，以使電池的運行時間更長。
由于DDR存儲器數據速率隨著技術的發展而不斷提高，那么工作電壓也在隨之變化。目前用于驅動DDR3 SDRAM的DDR3標準電壓為1.5V(圖2)。因此我們注意到隨著標準的升級，新的技術正在推動電壓變得越來越低。
表1顯示了RAM存儲器芯片集在時鐘和轉換速率方面的簡要對比，這些芯片集主要用于當今的PC電腦，其中包括SDR、DDR1、DDR2和最新推出的DDR3模塊。
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