英特爾：閃存替代產品PCM將全面量產

　　今年令人激動的技術終于由intel得以宣布最新進度，intel方面表示，用來替代當前NAND閃存技術的全新PCM(phase change memory，相位變換存儲)芯片即將進入全面的量產化階段，并且intel公司目前已經可以提供PCM閃存芯片的樣品。

　　Sandisk剛剛發布有別于當前標準NAND flash閃存芯片存儲密度的新技術，不過intel方面則在接下來沒有多久的時間內發布消息表明，PCM閃存芯片的樣品已經開始出貨給特定的合作客戶，首批出貨樣品采用90納米制程技術生產，產品代號Alverstone，采用2bit核心存儲單元的多級封裝技術制造，單體容量目前為256M bit。

　　PCM最新發布的測試樣品制作技術來自于剛剛加入intel和意法半導體(ST microelectronics)的NUmonyx，PCM閃存技術采用一種非常類似于CD和DVD的數據存儲技術，intel早在2001年左右就已經開始進行這項工作的開發，早期代號為ovonics，intel采用具有硫屬化物玻璃特性的材料通過加熱方式針對材料特性在晶體和無規則穿透組織間進行切換，這種切換動作可以產生特殊電阻，并激發潛在的數據存儲技術，和閃存一樣，PCM技術也是數據存儲非易失性的，這也就意味著在斷電之后數據存儲動作仍然有效。

　　對于PCM技術而言，最重要的一項開發特性就是材料的熱敏性，根據intel方面的測試，這種材質變換技術可以達到10萬次的讀寫循環操作而不會出現任何問題。

　　Nunonyx技術設計部總裁Ed Doller表示，PCM對于非易失性存儲技術來是，是發展經過40年之后令人額外關注的新技術，對于今天的存儲技術存在重大意義，而intel和意法半導體則將這項實用性的新技術已經帶到客戶手中。

　　Numonyx將會致力于供應全系列針對不同客戶和工業設備的PCM完整存儲解決方案，包括當前流行的移動電話，MP3播放器，數碼相機，電腦以及其他高科技設備，同時intel表示這項新技術也會為該公司在盈利方面建立卓越表現機會。

　　intel是全球第一家制造flash閃存芯片的公司，而在1989年NOR閃存設備容量僅為256KB，并在早期用來存儲操作系統，其大小尺寸要和一個鞋盒子相當，而上個月，intel公司則在切實考慮完全舍棄陳舊而無利潤的閃存業務。