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        拓墣:08年臺灣半導體產業表現將優于全球

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        作者: 時間:2007-12-06 來源:中電網 收藏

          拓墣產業研究所(TopologyResearchInstitute)發表全球產業調查報告指出,預計2008年全球總產值將達2,752億美元,年增長率將由2007年的2.87%大幅攀升至2008年的8%。而在全球庫存有效去化、IDM大廠提升外包比率及北京奧運商機的催化下,2008年產值可達新臺幣1兆7,000億,年增長率18.9%,遠優于全球產業表現。

          在半導體產業庫存逐步調整之際,加上主要IDM大廠紛紛轉型為FAB-Lite或FAB-less,預計將帶動產業Out-sourcing風潮;由于全球名列前茅的晶圓代工廠及封測廠商都在,預計將是這一波Out-sourcing需求下最大受惠者。

          此外,北京奧運帶來消費性及通訊產品需求,如DTV/HDTV、DSC、MP3、GPS、3G手機及移動電視,也為臺灣IC產業帶來龐大商機,因此拓墣認為2008年臺灣整體IC產業增長動能將優于全球。預計2008年臺灣IC設計產值為4,324億新臺幣,IC制造產值為9,023億新臺幣,IC封測產值為3,863億,而YoY(Year-on-yearpercentage)分別為12%、22%及20%,IC整體產值為17,210億新臺幣,YoY為18.9%。

          針對未來高效能與節能需求,半導體產業將朝向“高度系統整合”與“微縮”兩大技術趨勢發展。“高度系統整合技術”如SoC、SiP及3DIC,除可縮小終端系統產品體積,耗電、效能、成本表現也較傳統為優。

          “微縮”可提升效能與節能并降低IC價格,例如45nm制程將比前一代65nm制程提升40%的效能,同時功耗降低10-20%;低功耗制程部分,45nm的靜態(static)功耗和65nm制程相比,降低幅度則高達50%;而FDSOI(全空乏絕緣層覆硅)制程功耗也將比BulkCMOS制程降低40%。



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