DRAM十月價格持續下跌；ETT現貨價急漲12%

　　上周(10/15-10/22)現貨市場eTT顆粒呈現近幾周少見的急漲局面，DDR2512MbeTT價格收在1.17美元，漲幅約11.9%;相較之下，品牌顆粒仍呈現平穩走勢，上漲至1.37美元，幅度為1.4%。根據集邦科技(DRAMeXchange)分析指出，上周DDR2eTT的強勁漲勢，是因為eTT主要的供貨商進行70nm轉進，供給量減少，部份買主逢低買進拉抬買氣，進而帶動價格上揚，因此這波價格上揚主要是短期市場操作結果，而非市場終端需求帶動;此外，這波投機性買盤主要集中在DDR2eTT的顆粒，并沒有帶動品牌顆粒價格同步上漲。集邦科技預測，接下來幾周DDR2eTT的供給將會大量開出，屆時DDR2eTT也會再回探1美元。

　　十月是PC出貨旺季，也是戴爾(DELL)及惠普(HP)的年底結帳月，兩家系統大廠皆希望將零組件庫存降低，尤其是價格持續下滑的DRAM。十月上旬DDR2UDIMM/SODIMM模塊合約價已經下降20%，仍難以刺激合約市場的買氣，導致十月下旬合約價繼續下跌10%。在合約價持續走低的情況下，的確能刺激DRAM搭載率的提升，尤其在消費型筆記型計算機中，2GB比率已接近60%;若未來DRAM價格持續下降，年底將有機會增加至70%-80%。

　　以DRAM廠的成本分析來說，目前70nm制程轉進領先的爾必達(Elpida)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)僅約20%產出在70nm1Gb，即使未來在70nm良率高又產能滿載的情況下，1Gb顆粒的總成本(含折舊、封測)最低也要2.7-3.0美元;而512Mb顆粒價格為1.7-1.9美元。集邦科技觀察，2008年12吋的產能擴張已趨減緩，加上8吋去化的產能，DRAM2008年的供給位成長率將由今年的93%大幅下降至近50%;然而在DRAM需求方面，由于今年底消費型筆記型與桌上型計算機2GB的搭載率將高達七成及六成以上，明年需求成長力道將轉向商務型筆記型計算機。