三星現代偏重閃存生產內存迎來缺貨漲價期

    DRAM制造業巨頭調換產能搶攻NAND型閃存市場的效應正在快速擴散，那就是內存芯片正面臨缺貨危機。三星、Hynix以及我國臺灣的力晶紛紛實施或宣布了將產能轉調入閃存生產的消息后，內存模塊制造商即將進入長達數個月的供貨“枯水期”。 

    內存模塊制造業人士稱，原本DRAM芯片供貨量僅受三星轉換產能影響，還沒有明顯感受到貨源不足壓力，但從7月起，Hynix也將轉換產能生產閃存，在2大DRAM芯片制造商雙雙轉換產能的沖擊下，DRAM芯片供貨量大減。三星還決定從7月起，對下游DRAM模塊制造商全面采取強制配貨行動，保證DRAM芯片貨源均優先供應跨國的大型電腦制造商。 

    事實上，三星從2005年第一季度末逐月增產NAND型閃存后，6月起DRAM供貨量減少的不良效應就已開始擴散，不過，由于6月僅有三星轉移產能，因此6月DRAM芯片平均合約報價與之前持平或僅有微幅增長。 

    不過，從7月起Hynix也轉換產能增產閃存后，預計DRAM市場供貨量將持續降低，并使得DRAM顆粒合約價將很有可能在7月前半個月漲價約5%～10%。值得注意的是，8月起力晶增加對瑞薩（Renesas）AG-AND型閃存代工的轉產效應也將起到火上澆油的效果，屆時可能造成DRAM市場供貨來源“三缺”效應同時發生。 

    更重要的是，大型電腦制造商們對DRAM的需求從6月起就已逐步增加，由于7月IT市場將進入傳統上的旺季，加上DRAM制造商只優先向大型電腦制造商提供DRAM芯片，因此DRAM模塊制造商們未來恐將面臨長達數個月的DRAM芯片供貨“枯水期”，目前各家DRAM模塊制造商們只能自行尋找DRAM貨源，預計我國臺灣的一些DRAM芯片制造廠可望因此得利。