三星推出80nm制程移動存儲器 二季度量產

  
據DigiTimes網站報道，韓國媒體Digital Daily與美國媒體Forbes報導，三星電子（Samsung Electronics）繼2006年8月將80nm制程的1Gb DDR 2標準型DRAM進入量產階段后，27日又發表了針對手機與移動設備推出的80nm制程DDR存儲器芯片，容量為1Gb，厚度較前代產品薄20％，耗電量減少30％。三星預計將在2007年第二季量產該產品，并預計屆時市場上對1Gb容量的手機存儲器芯片需求量將大幅增加。

三星表示，這款新產品將會使用在較高端的移動應用場合，除了手機外，數碼相機、便攜式多媒體播放器、掌上型游戲機等產品也能夠搭載80nm制程的存儲器芯片。三星的作法能夠加大手持裝置存儲器容量，進而再推出單一封裝高容量的1.5Gb、2Gb產品，并借助自動溫度檢測機制，調整耗電量以提高移動設備的電力續航時間。

近來針對更高端制程存儲器技術發展的消息甚多，日廠爾比達（Elpida）就直接跳過80nm制程，在2007年第一季先推70nm制程的DDR 2標準型DRAM芯片，之后也要推出針對手機、服務器平臺的70nm制程芯片。而另1家韓國廠商海力士（Hynix）則是著手66nm制程的開發，不過尚未有確切的量產時間。