安森美半導體推出HighQ™硅-銅集成無源器件

安森美半導體宣布，將其先進的制造工藝技術擴大到HighQ™;硅-銅集成無源器件(IPD)的制造服務領域。與昂貴、超高性能的基于砷化鎵-金工藝無源器件相比，這創新的8英寸晶圓技術比原來較低精密程度的硅-銅工藝成本更低，性能更高。

安森美半導體的HighQ™; IPD工藝技術是諸如不平衡變換器、耦合器和濾波器等無源器件制造的理想選擇。對于便攜和無線應用，高性能等于延長電池壽命。

安森美半導體制造服務總經理Rich Carruth說：“目前，為了向市場推出具有價格競爭力的電子消費品，設計人員在為板選擇無源器件時只好犧牲性能。以砷化鎵-金工藝制造的無源器件提供較好的性能，但是過高的總體制造成本限制了其用于手機和其他無線產品。而典型的硅-銅工藝制造的無源器件比砷化鎵無源器件制造成本低，只是性能稍遜。采用安森美半導體HighQ™;工藝制造的無源器件，為設計人員提供具價值的第三個選擇——比普通硅-銅器件的Q值高，比砷化鎵無源器件更具價格優勢。”

工藝

位于美國的世界級安森美半導體200 mm制造廠采用的是IPD工藝。該廠具世界一流水平的原型和生產周期，高科技產品生產和故障分析設備和系統。

HighQ™制造工藝制造出銅鍍層厚實的電感器、MIM 電容器(0.62 fF/um2) 以及 TiN 電阻器
(9 ohms/square)，工藝成熟，將滿足全部可靠性評估標準，顯示了該方案的穩健。
•    加工溫度-65