安森美半導體推出微型封裝電壓抑制器件

安森美半導體（ON Semiconductor）推出全新高性能、微型封裝的靜電放電（ESD）保護二極管系列，專為便攜式產品和電池供電應用中電壓敏感元件提供單線保護而設計。

新系列中的五個ESD5Z器件包括ESD5Z2.5T1（2.5 V）, ESD5Z3.3T1（3.3 V）, ESD5Z5.0T1 （5.0 V）, ESD5Z6.0T1（6.0 V）和ESD5Z7.0T1（7.0 V）。這些器件為鉗制快速上升的ESD脈沖而設計，防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30 kV的輸入波形（符合 IEC61000-4-2 標準）將在幾納秒鐘內被ESD5Z 系列器件鉗制到7V以下 。這些器件尺寸小，便于放置在ESD 可進入系統的輸入/輸出端口附近，因此可在瞬態電壓耦合到板上其它部分之前將其抑制。在關閉狀態下，這些ESD5Z器件的泄漏電流僅為5 納安（nA）之低，因此是極重要的節電應用的理想選擇 。這些器件也適用于保護電壓敏感元件，防止電源線上的負載開關產生瞬流，并且可以在8 x 20 微秒（µsec）的脈沖波形內耗散200 W。

ESD5Z 器件采用超小的SOD-523 封裝，尺寸僅為1.6 mm x 0.8 mm x 0.7 mm，是手機、PDA和MP3播放器的理想選擇，板面積對這些便攜產品來說是極為珍貴的，但ESD卻經常發生，所以設計人員考慮到板面積或板布局的因素，不可使用多線保護器件。因此ESD5Z系列為設計者提供了單線保護的最大靈活性。

ESD5Z 系列的性能在多個方面優于常用的多層變阻器（MLV），同時還保持了尺寸小的優勢。器件的最大鉗制電壓小于MLV的一半，為敏感的集成電路提供了優異的保護。ESD5Z 二極管中關閉狀態的泄漏電平為5 nA，電池使用壽命比更高泄漏電平的MLV更具優勢。ESD5Z 二極管除了能夠多次承受ESD 沖擊，還可保持其電氣特性。

安森美半導體小信號部總經理Mamoon Rashid說：“因為便攜式應用的集成電路越來越小，越來越密集，所以對ESD電壓也越來越敏感。安森美半導體將繼續在這個極具挑戰的應用領域內開發高性能的ESD電壓抑制解決方案。”

封裝和價格
ESD5Z2.5T1, ESD5Z3.3T1, ESD5Z5.0T1, ESD5Z6.0T1和ESD5Z7.0T1 系列采用SOD-523封裝，每10,000件的批量單價為0.038美元。