英特爾推出增強版張力硅技術 性能提高30%

英特爾公司負責處理器架構和集成事務的主管馬克表示，英特爾公司將在其0.065微米工藝中集成許多變化。它已經在用0.065微米工藝生產試驗性的SRAM芯片。

根據芯片設計者的目標，用0.065微米工藝生產的芯片能夠提高芯片的性能或降低能耗，或者能夠同時實現這兩個目標，但英特爾公司把重點放在了節能上。

與不使用張力硅技術的芯片相比，增強版張力硅能夠使芯片的性能提高30%，并能將泄露電流降低4倍。馬克說，通過使用張力硅技術，英特爾公司至少保持了一代的技術領先優勢。采用增強版張力硅技術，能夠增強驅動電流和減少電流泄露。張力硅技術也已經開始在IBM、AMD等公司的芯片中使用。

摩爾定律的核心是減小晶體管的體積和晶體管組件的數量。通常更小的晶體管速度更快，將能夠生產出更小、更廉價、更好和更節能的芯片。在試驗的SRAM芯片中，1000萬個晶體管能夠集成在原子筆尖大小的面積上。芯片產業按照摩爾定律發展了30多年，芯片的集成度已經大大提高了，這使芯片的設計和生產的難度進一步提高。

氧化物柵極是0.065微米工藝芯片中的另一個改進，在0.065微米工藝芯片中柵極的長度更短，這將能夠提高晶體管的性能。通過保持厚度不變，電容將能夠降低20%，從而減少了可能發生的電流泄露。

0.065微米工藝芯片中還將包含能夠切斷其它晶體管電源的睡眠晶體管。盡管馬克對這些晶體管的節能效果無法準確地進行量化，但它可能有效地節省相當多的能耗和減少泄露電流。他說，這個技術具有顯而易見的降低電流泄露的作用。

在英特爾公司的0.065微米工藝芯片中不包含絕緣硅（SOI）技術。一種名為“超薄SOI”的技術英特爾公司曾經做過試驗，但它認為，“超薄SOI”的節能效果將由使用三柵極晶體管來完成。