中芯國際推38納米NAND閃存工藝制程

　　中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米NAND閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產NAND產品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發，可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質量、低密度NAND閃存持續增長的需求，使中芯國際占據該領域的領先地位。

　　NAND閃存是近年來發展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產品。38納米NAND閃存主要面向嵌入式產品、移動計算、物聯網(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領域。客戶也可利用此技術帶動串行外設接口(SPI)NAND市場的發展以及不斷增長的IoT相關產品的應用。此次中芯國際成功推出38納米NAND閃存技術，能夠幫助客戶滿足中國及全球市場對此技術的需求。

　　中芯國際技術研發執行副總裁李序武博士表示，“此前中芯國際已開發出一系列從130納米到65納米的特殊NOR閃存平臺。經過研發團隊專注及系統的努力，我們成功推出了38納米NAND閃存，在技術多元化方面取得重要進展，也為后續開發更先進的2x/1x納米及3DNAND閃存奠定了穩固的基礎。我們將繼續努力推進NAND閃存技術的開發，以滿足無晶圓廠客戶對高質量標準的要求。”

　　中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云博士表示，“這一重要里程碑對中芯國際以及特殊存儲器客戶及合作伙伴，都具有重大的戰略性意義。對客戶來說，中芯國際顯示了其在非易失性存儲技術開發方面的決心和能力。此外，還證明中芯國際有足夠的實力在精心選擇的細分市場確立領導地位。”

　　關于中芯國際

　　中芯國際集成電路制造有限公司，是世界領先的集成電路晶圓代工企業之一，也是中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術服務。中芯國際總部位于上海，在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm超大規模晶圓廠;在北京建有一座300mm超大規模晶圓廠，一座控股的300mm先進制程晶圓廠正在開發中;在天津建有一座200mm晶圓廠;在深圳正開發一個200mm晶圓廠項目。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺灣地區設立營銷辦事處、提供客戶服務，同時在香港設立了代表處。