SoC存儲器的智能電源連接方法

找出偏移值

情況1：如果SFIO SFCO

SFIO/4被作為分析的初始偏移值，按照上面的第3步確定捆扎頻率。再一次用該偏移值和上述步驟中計算出的捆扎頻率分析IR壓降。

a.如果IR壓降過高，則通過少量增加偏移值重復(fù)進(jìn)行IR分析。重復(fù)執(zhí)行此過程直到IR壓降停止（即IR壓降超出目標(biāo)限制）。選擇此IR壓降恰好達(dá)到目標(biāo)上限時的偏移值。如果IR壓降在SFIO/4過高，至少針對（SFIO/4-5）、（SFIO/4-10）和（SFIO/4-15）進(jìn)行分析，以確保降低IR壓降，并且不會再惡化。這樣獲得的值將是最后的偏移值。應(yīng)將偏移值作為OS.

b.如果IR壓降停止，則通過少量降低偏移量重復(fù)執(zhí)行IR分析。重復(fù)此操作，直到IR壓降達(dá)到目標(biāo)值。應(yīng)將該值作為OS.

如果SFIO/4 > SFCO/2，則必須確保在IR壓降到達(dá)值SFCO/2之前，IR壓降分析會持續(xù)進(jìn)行。另外還必須確保IR壓降在達(dá)到該值之前不會停止。如果IR壓降在任何大于SFCO/2的偏移值上停止，那么最近的一個大于SFCO/2的偏移值應(yīng)為最終偏移值。

例如，假設(shè)針對某項(xiàng)特定的技術(shù)，捆扎頻率被定為50um，而偏移值則被定為10um.

我們運(yùn)用下面的演算法來確定給定捆扎頻率的正確偏移量范圍。

圖5：使用演算法尋找最佳偏移值。

圖字：捆扎頻率= N，假設(shè)的偏移= OS = N；目標(biāo)IR壓降= IR；執(zhí)行IR壓降；IR壓降= IR（N）；最終IR = IR（N）；最有效的偏移= O1；停止

按照上述針對各種捆扎頻率的算法，我們得到一張IR壓降偏移值之間的關(guān)系圖，類似于圖6所示的內(nèi)容。最小IR對應(yīng)的偏移量即為最佳偏移值。

圖6：給定捆扎頻率上IR與偏移頻率的關(guān)系圖。

圖字：最佳偏移量；偏移量（um）

圖7：使用偏移量和捆扎頻率的電源連接。

如圖7所示，分頻器1、分頻器2和分頻器3都會接收多個電源線，由此獲得合適的工作電壓。