LED 芯片封裝缺陷檢測方法及機理研究
加入技術交流群
3結論
針對引腳式LED芯片封裝過程中存在的封裝缺陷問題，基于p-n結的光生伏特效應，利用電子隧穿效應分析了一種封裝缺陷對LED性能的影響。理論分析表明，當LED芯片電極表面存在非金屬膜層時，流過LED支架回路的光電流小于光生電流，隨著膜層厚度的增加，回路光電流逐漸減小，其檢測信號減小。通過非接觸法檢測待測LED光激勵信號并與焊接合格的LED光激勵信號進行比較，實現對引腳式封裝LED芯片在壓焊工序中／后的功能狀態及封裝缺陷的檢測。分析了影響檢測精度的因素。用焊接合格與芯片電極表面存在非金屬膜的12mil黃LED樣品進行實驗，結果表明，該方法可以檢測LED支架回路微安量級光生電流信號，并具有較高的信噪比，檢測結果能實現對焊接質量合格與芯片失效或存在封裝缺陷的LED的區分，達到對LED芯片在壓焊工序中／后的功能狀態及封裝缺陷檢測的目的，從而降低LED生產成本、提高產品質量、避免使用存在缺陷的LED造成重大損失。
參考文獻：
[1J張延偉，江理東．半導體器件典型缺陷分析和圖例[M]．北京：科學技術出版社，2004：11—22．
[2]田艷紅，杭春進，王春青等．Cu絲超聲球焊及楔焊焊點可靠性及失效機理的研究[J]．電子工藝技術，2006，27(2)：63-69．
[3]丁榮峰，楊兵，任春嶺等．第一順序鍵合引腳失效分析及鍵合可靠性提高[J]．電子與封裝，2005，8(5)：1-5．
[4]Freeston IL．From Four Point to Impedance ImagingCJ]．Engi—neering Science and Education Journal，1997，6(6)：245—254．
[5]Tay C J．Su
[6]Kaminski A，Marchand J J，Laugier八I-V Method tO ExtractJunction Parameters with Special Emphasis on Low Series Resistanee[J]．Solid-State Electron，1999，43：741—74533．
[7]王術軍，張保洲．LED在線分揀系統的研制[J]．半導體光電【j】，2004，25(2)：108—111．
[8]李戀，李平，文玉梅等．LED芯片非接觸在線檢測方法[J]．儀器儀表學報，2008，29(4)：760—764．
[9]尹飛，李平，文玉梅等．LED芯片在線檢測方法研究[J]．傳感技術學報，2008，21(5)：869-874．
[10]Miles R W，Hynes K M，Forbes L Photovohaic Solar Cells：anOverview of State-of-the-SArt Cen Development and Environ—mental Issues[J]．Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials，2005，51(1-3)：1-42．
[11] Watanabe M，Tabuse D．Surface Contamination of BondingPads Incapable of Au Wire Bonding[C]／／IEEE／CPMT InL ElectronManuhct Teehmol Symp，1998，187—193．
[12] 曲喜新，過璧君．薄膜物理[M]．電子工業出版社，北京，1994，228—229．
[13]舒啟清．電子隧穿原理[M]．科學出版社，北京，1998，30-31．
[14]趙凱華，陳熙謀．電磁學[M]．高等教育出版社，北京，2001，55—59．
作者：
蔡有海(1982-)，2005年畢業于重慶大學電子科學與技術系，獲學士學位，現于重慶大學光電工程學院攻讀碩士學位，研究方向為儀器科學與技術。
文玉梅(1964一)，1984年畢業于北京航空航天大學電子工程系，獲學士學位，1987年航天部第一研究院研究生院畢業獲碩士學位，1997年重慶大學獲博士學位。1988年起在重慶大學光電工程學院工作至今，教授，博士生導師。1999年至2000年英國牛津大學工程系高級訪問研究員。主要研究方向為傳感器技術，信號(圖象)處理。
評論